概述
HMC1126ACEZ是一種砷化鎵（GaAs）、偽晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）、低噪聲放大器，工作頻率為400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型輸出三階截距（OIP3）、17.5 dBm的1 dB增益壓縮（OP1dB）的典型輸出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪聲系數(shù)。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V電源。所有通常需要的外部無源元件（交流耦合電容器和電源去耦電容器）都是集成的，這有助于實(shí)現(xiàn)小型和緊湊的印刷電路板（PCB）占地面積。

HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.00 mm、24引腳芯片陣列小型封裝、無引腳腔(LGA_CAV)封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1126 GaAs、pHEMT、低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 測(cè)試儀器儀表
• 軍事與太空

特性

• 增益：12 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• 輸入回波損耗：14 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• 輸出回波損耗：16 dB（典型值，10 GHz至40 GHz時(shí)）
• OP1dB：17.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• P SAT ：21 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• OIP3：28.5 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• 噪聲系數(shù)：3.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz時(shí)）
• 5 V電源電壓（85 mA時(shí)）
• 50 ?匹配輸入和輸出
• 無需外部無源元件
• 5.00 mm × 5.00 mm、24引腳LGA_CAV封裝

功能框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用信息
圖57顯示了操作HMC1126ACEZ的基本連接。由于RFIN和RFOUT引腳內(nèi)部交流耦合，因此不需要外部交流耦合。因?yàn)轳T。VGG 1和VcG2內(nèi)部去耦，這些引腳無需外部元件。圖57顯示了用于表征和驗(yàn)證器件的配置。有關(guān)使用評(píng)估板的信息，請(qǐng)參考HMC1126-EVALZ用戶指南。

HMC920LP5E(見圖58)旨在為HMC1126ACEZ等增強(qiáng)型和耗盡型放大器提供有源偏置控制。HMC920LP5E測(cè)量并調(diào)節(jié)漏極電流，以補(bǔ)償溫度變化和器件差異。

此外，HMC920LP5E對(duì)柵極和漏極電壓進(jìn)行適當(dāng)排序，以確保安全的開關(guān)操作，并在短路時(shí)提供電路自我保護(hù)。有源偏置控制器包含一個(gè)內(nèi)部電荷泵，它產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)HMC1126ACEZ上Vcc1引腳所需的負(fù)電壓?；蛘撸梢蕴峁┩獠控?fù)電壓。有關(guān)HMC920LP5E使用的更多信息，請(qǐng)參考HMC920LP5E數(shù)據(jù)手冊(cè)和AN-1363應(yīng)用筆記。