LU是 Latch Up的簡寫，即閂鎖效應，也叫可控硅效應，表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都不會提供這個參數(shù)，而車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都會明確標注出來這個參數(shù)。這也是一個極為重要卻極容易被電子工程師忽略的參數(shù)。

閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，是由NMOS的有源區(qū)、P襯底、N阱、PMOS的有源區(qū)構(gòu)成的N-P-N-P結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的，當其中一個三極管正偏時，就會構(gòu)成正反饋形成閂鎖。ESD 和相關的電壓瞬變都可能會引起閂鎖效應，是半導體器件失效的主要原因之一。一旦觸發(fā)閂鎖效應，即會產(chǎn)生一個低阻抗通路，如圖1，當Q1或者Q2被異常觸發(fā)導通后，會使芯片的VDD和GND之間產(chǎn)生大電流，如果芯片的VDD端流入的電流超過芯片Latch up能承受的電流極限，就可能會燒毀芯片。

圖1 CMOS寄生BJT示意圖及等效電路(圖片來源于網(wǎng)絡）

芯片被觸發(fā)進入Latch up狀態(tài)后，只有重新上電才能脫離這個鎖定狀態(tài)。

芯片研發(fā)工程師在設計層面會采用多種手段來防御閂鎖的產(chǎn)生，但是難以根除。在應用層面，電子工程師就需要在應用電路層面做適當?shù)姆烙胧?/p>

1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過規(guī)定電壓。

2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。

3）在VDD供電腳加限流電阻，保證觸發(fā)Latch up后的通路極限電流小于芯片承受的能力，保護芯片不被損壞。

4）當系統(tǒng)由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS芯片的電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉CMOS芯片的電源。