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@ ICDT 2025

{聽Ta講報告}

隨著顯示技術(shù)向超高清、柔性化、低功耗方向持續(xù)演進，顯示行業(yè)對創(chuàng)新技術(shù)的需求更加迫切。維信諾從材料、器件電路、工藝等方面開展了全方位的技術(shù)攻關(guān)，以多維度創(chuàng)新推動顯示技術(shù)突破邊界。在此次ICDT2025上，維信諾技術(shù)專家分享了其在OLED、QD-OLED、LTPO等領(lǐng)域的創(chuàng)新成果。

· 技術(shù)突破 ·

Recent Technical and Mass Production Progress on High-Performance ViP AMOLED Technology

ViP技術(shù)采用光刻像素化方案，省去了精細金屬掩膜版也就是Fine Matel Mask工藝，徹底消除了相關(guān)技術(shù)瓶頸，讓OLED技術(shù)的本征性能得以更徹底的釋放。同時引入定制化隔離柱結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)子像素級別的光學(xué)設(shè)計、加強型的封裝保護和輔助電路平臺。

搭載ViP技術(shù)的新型OLED產(chǎn)品，在壽命、亮度、功耗、可靠性、低亮度畫質(zhì)等維度相較于Fine Matel Mask技術(shù)實現(xiàn)了顯著的提升，在自由形態(tài)、高PPI、大尺寸等維度實現(xiàn)了質(zhì)的突破。

Investigation of high mobility metal oxide TFT for IT AMOLED backplane technology development

全氧化物TFT背板技術(shù)因為其較好的均一性和低成本的優(yōu)點，是具有潛力的高世代線中尺寸OLED背板技術(shù)，為了高刷新率和窄邊框需求，我們今年發(fā)表了高遷移率氧化物TFT器件成果，成功點亮中尺寸屏體，并展現(xiàn)較好的亮度均一性和可靠性。

Development of High Stable Devices with Smal Chanel Length in High Mobility Oxide TFT

高遷氧化物具有IGZO的低漏電，及接近LTPS的大電流，有利于實現(xiàn)氧化物屏體的高PPI、窄邊框和高刷新率。本實驗在G6獲得好的均一性和穩(wěn)定性的高遷氧化物器件，器件遷移率大于30cm2/Vs，且溝道長度小至2um器件收斂。各結(jié)構(gòu)的器件均收斂和穩(wěn)定，滿足高遷氧化物屏體驅(qū)動要求，可制備高品質(zhì)氧化物屏體。

Super high PPI panel design on GOLED (glass base OLED)

VR、AR領(lǐng)域一直是近些年顯示屏產(chǎn)業(yè)的熱點 , 尤其是Micro OLED與Fast-LCD技術(shù) , 但Micro OLED的成本太高 , Fast-LCD的響應(yīng)時間與功耗太高 , 所以本報告的核心在于如何突破玻璃基的OLED技術(shù) , 讓VR、AR可以用到更具性價比的OLED 屏幕。

· 材料創(chuàng)新 ·

High Performance and High Color Purity Green OLEDs for Wide Color Gamut Requirements

隨著終端對屏幕顯示效果需求的不斷提高，寬色域OLED顯示（如Adobe和BT2020標(biāo)準(zhǔn)）在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。我們基于pTSF技術(shù)制備了一系列的器件，并和對應(yīng)的磷光器件進行了比較。相比于磷光器件，pTSF器件表現(xiàn)出了相當(dāng)甚至更高的電流效率，壽命上面更是有30%以上的提升效果，器件色純度也從DCI-P3色度擴展到了Adobe以及BT2020色度，且器件開啟及工作電壓，以及電容等都沒有產(chǎn)生很大影響。可以看到，pTSF技術(shù)具備窄光譜高色純度，高效率，長壽命，低成本等優(yōu)勢，是未來OLED顯示技術(shù)的重要迭代方向。

Optical Efficiency Improvement of QD-OLED Technology with Structural Design and Material Selection

QD-OLED以高色域、廣視角及更優(yōu)的感知亮度，在中尺寸、高端電視和顯示領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，但較低的光轉(zhuǎn)換效率限制了其在高分辨顯示領(lǐng)域的應(yīng)用。藉由光學(xué)仿真，針對QD-OLED技術(shù)中影響光轉(zhuǎn)換效率的薄膜封裝單元、QD色轉(zhuǎn)換單元結(jié)構(gòu)設(shè)計以及光學(xué)選擇層材料等因素綜合優(yōu)化設(shè)計，最終實現(xiàn)>40%出光效率的提升以及>90% BT. 2020高色域顯示，從而推動新一代QD-OLED顯示性能提升及應(yīng)用。

Research Progress on the Influence of Black Organic Materials on OLED Display Residual Image

COE是一種在薄膜封裝上構(gòu)建濾色器堆疊結(jié)構(gòu)的低功耗技術(shù)，以封裝上的濾色器（CF）取代傳統(tǒng)的核心材料偏光片。近年來，該技術(shù)已廣泛應(yīng)用于柔性顯示器、折疊手機、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。它具有色域?qū)挕⒐牡?、厚度低等?yōu)點。然而，COE結(jié)構(gòu)中的BPDL涂層會導(dǎo)致顯示面板的殘余圖像亮度低，這已成為亟待解決的問題。本文首先解釋了殘留圖像現(xiàn)象與BPDL涂層之間的相關(guān)性，并討論了材料與工藝之間的相互作用。其次，通過SEM、AFM、TEM等方法對材料的表面形態(tài)和界面形態(tài)進行了表征和評價，總結(jié)了殘余圖像問題的產(chǎn)生機理。

· 器件電路設(shè)計突破 ·

Multi-Region Variable Refresh of LTPO Technology

LTPO是一種結(jié)合低溫多晶硅和氧化物的混合型TFT驅(qū)動技術(shù)，分區(qū)多頻技術(shù)的引入使其實現(xiàn)了超長待機的突破。本文分析了分區(qū)多頻技術(shù)面臨的難點及解決方案，探討了關(guān)鍵技術(shù)的實現(xiàn)進展，并展現(xiàn)了我司LTPO技術(shù)在省功耗方面的顯著優(yōu)勢，為其在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用帶來了廣闊前景。

Research on Power Saving Solutions for medium-sized AMOLED Display

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，AMOLED中尺寸面板功能日益豐富，但其功耗問題也隨之顯現(xiàn)。由于中尺寸面板廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備，而設(shè)備續(xù)航普遍受到關(guān)注，加之AMOLED中尺寸面板已成為高端移動設(shè)備的標(biāo)配，因此降功耗成為研究重點。從功耗消耗路徑來看，降功耗可從芯片優(yōu)化、陣列基板優(yōu)化、發(fā)光結(jié)構(gòu)優(yōu)化及透光結(jié)構(gòu)優(yōu)化四個方向入手，其中芯片優(yōu)化和陣列基板優(yōu)化最為關(guān)鍵。此文以中尺寸面板降功耗技術(shù)為核心，重點圍繞芯片優(yōu)化和陣列基板優(yōu)化展開深入研究，同時詳細闡述了其他優(yōu)化方向的相關(guān)內(nèi)容，為降低AMOLED功耗提供了系統(tǒng)性解決方案。

Research on Topologyof Consumer Oxide Power Chip

目前在LTPS或LTPO產(chǎn)品應(yīng)用中， ELVDD、ELVSS分別需求正壓、負壓。在氧化物像素電路中，ELVDD仍然需求為正壓，但 ELVSS 可能需求正壓或零伏或負壓。當(dāng) ELVSS 為正壓時，需要具備 sink 功能；當(dāng) ELVSS 為零伏或負壓時，需要具備 source 功能。因此，需要一種可以產(chǎn)生三種不同電壓形態(tài)的拓撲來滿足氧化物未來的應(yīng)用要求。通過分析產(chǎn)生三種不同電壓形態(tài)的拓撲機理，并基于仿真驗證其可行性，為后續(xù)開發(fā)氧化物電源芯片提供參考。

A new narrow border design with a new scanning circuit under low frequency AoD

為提高續(xù)航能力，穿戴產(chǎn)品一般通過采用AOD顯示模式。OLED AoD技術(shù)通過精準(zhǔn)控制像素點亮與超低刷新率，平衡了信息顯示與能耗的矛盾，成為智能設(shè)備的標(biāo)配功能。

為實現(xiàn)AoD低頻驅(qū)動且不閃爍，傳統(tǒng)設(shè)計需搭配多組行掃描電路，增加了邊框。通過設(shè)計一種能同時輸出高低頻脈沖信號的行掃描電路，減少了GoA電路組數(shù)，達到了兼顧低頻顯示和縮窄邊框的效果。

Gate Driver Circuit to generating Multi-Output using LTPO Technology

利用IGZO的LTPO補償電路與LTPS補償電路相比，GIP電路數(shù)量增加，存在功耗和Bezel Size增加的缺點，因此需要改善。

GIP電路采用LTPO CMOS電路，可以整合Logician電路，搭建可輸出Pscan及Nscan的電路。

如果采用LTPO CMOS復(fù)合GIP，Layout面積可壓縮75.um，功耗可還降低46%左右。

A Study on Improvement of Low Gray Mura

隨著OLED材料效率的不斷提升，2nit 32Gray的低灰階Mura也越發(fā)明顯，需研究和改進。

影響低灰階Mura的主要因素是DTFT的SS離散，另外OLED器件的開口率（OLED內(nèi)Cap.）也有相關(guān)性，通過離散的仿真探究了改進方案。

根據(jù)離散仿真結(jié)果，Green的開口率降低至70%時，低灰階的ΔE5可以減少10%左右。后續(xù)新材料開發(fā)可以通過不同開口率的仿真結(jié)果進行優(yōu)化和改進。

Research on Brightness Uniformity Compensation

本文提出一種2-D IRC補償技術(shù)方法。在補償系統(tǒng)整合了GIR和LIR和CUC的補償技術(shù)，并且對面內(nèi)不同區(qū)域像素的閾值電壓Vth進行補償。該補償系統(tǒng)具備對廣泛灰階域、不同背景下的亮度均一性和色彩差異進行補償。本設(shè)計方案簡化面內(nèi)區(qū)域區(qū)域電流模型，優(yōu)化電流統(tǒng)計的方案，優(yōu)化調(diào)試方案，使2-D IRC補償技術(shù)具備更低的功耗。

· 工藝精進 ·

Newstructure for improving the reliability of the camera hole area in AMOLED

HIAA技術(shù)通過在AA區(qū)打孔集成攝像頭，成為實現(xiàn)手機“偽全面屏”的主流方案。當(dāng)前Ti/Al/Ti結(jié)構(gòu)作為隔斷柱是打孔屏的核心技術(shù)路線，但其傳統(tǒng)電化學(xué)濕刻法因側(cè)向刻蝕量不足，導(dǎo)致后續(xù)封裝工藝中易產(chǎn)生黑斑缺陷，影響顯示效果。針對這一問題，研究提出基于Mo連接的原電池側(cè)刻技術(shù)。

該路線通過構(gòu)建Mo-AL原電池體系，利用鉬的析氫電勢（0.67V）顯著低于鈦（0.83V）的特性，形成較大電勢差以增強電化學(xué)反應(yīng)驅(qū)動力，從而加速鋁層的側(cè)向刻蝕速率。同時，研究結(jié)合電化學(xué)動力學(xué)分析及模組可靠性測試，系統(tǒng)性驗證工藝可行性。結(jié)果表明，引入Mo連接方案后，側(cè)刻效率顯著提升，黑斑缺陷率大幅降低。經(jīng)測試，該方案制備的模組屏在顯示均一性、可靠性等關(guān)鍵指標(biāo)上均符合指標(biāo)，為高屏占比屏幕的規(guī)?；a(chǎn)提供了高效、穩(wěn)定的技術(shù)路徑。

未來，顯示技術(shù)將逐漸趨向性能極致化、形態(tài)柔性化和交互智能化，維信諾通過多種技術(shù)及工藝的能效協(xié)同和設(shè)計上的聯(lián)合攻關(guān)，顯示屏幕在折疊、卷曲、透明等形態(tài)上或許將實現(xiàn)更大突破。