UCD74111 是一個(gè)多芯片模塊，集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器器件和兩個(gè) NexFET 功率 MOSFET 采用熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN 封裝。15A 輸出電流能力使 該器件適合為 DSP 和 ASIC 供電。該器件旨在補(bǔ)充數(shù)字或 模擬 PWM 控制器。驅(qū)動(dòng)器件的 PWM 輸入兼容 3 態(tài)。兩名司機(jī) 電路為高側(cè) N 溝道 FET 開關(guān)提供高充電和放電電流，而 同步降壓轉(zhuǎn)換器中的低側(cè) N 溝道 FET 同步整流器。
*附件：ucd74111 大電流、同步降壓功率級(jí)數(shù)據(jù)表.pdf

一種精密電流感應(yīng)放大器，用于處理 外部電流檢測(cè)元件測(cè)量和監(jiān)控輸出電流。上的 PWM 控制器 IMON 引腳可以使用這個(gè)放大的信號(hào)。板載比較器監(jiān)控 高壓側(cè)開關(guān)和外部電流感應(yīng)元件兩端的電壓，以保護(hù)電源 階段。用于高側(cè)比較器的單個(gè)電阻器將 消隱延遲。此延遲可防止與 switch edge noise 相吻合的 false 報(bào)告。在 發(fā)生高側(cè)故障或過(guò)流故障時(shí)，高側(cè) FET 關(guān)閉，故障 flag （FLT） 斷言以提醒 PWM 控制器。

特性

• 集成同步降壓驅(qū)動(dòng)器和 NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率
• DSP 和 ASIC 的 15A 輸出電流能力
• 4.7V 至 14V 輸入電壓范圍
• 工作開關(guān)頻率高達(dá) 2MHz
• 內(nèi)置高側(cè)電流保護(hù)
• 用于過(guò)流保護(hù)和輸出電流監(jiān)控的 DCR 電流感應(yīng)
• 電壓與負(fù)載電流監(jiān)控器輸出成正比
• 用于功率級(jí)關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
• UVLO 內(nèi)務(wù)處理電路
• 集成熱關(guān)斷
• 40 引腳、5 mm x 7 mm、PQFN PowerStack 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：UCD74111
• ?制造商?：Texas Instruments
• ?類型?：大電流、同步降壓功率級(jí)
• ?特點(diǎn)?：集成同步降壓驅(qū)動(dòng)器和NexFET?功率MOSFET，適用于高功率密度和高效率應(yīng)用，如DSP和ASIC供電。

二、主要特性

• ?輸出電流能力?：15A
• ?輸入電壓范圍?：4.7V至14V
• ?開關(guān)頻率?：高達(dá)2MHz
• ?保護(hù)功能?：
  • 高側(cè)電流保護(hù)
  • 過(guò)流保護(hù)
  • 短路保護(hù)
  • 欠壓鎖定（UVLO）
  • 熱關(guān)斷
• ?監(jiān)控功能?：
  • 輸出電流監(jiān)測(cè)
  • 故障標(biāo)志（FLT）輸出
• ?封裝?：40引腳PQFN（5mm x 7mm）

三、電氣特性

• ?工作結(jié)溫范圍?：-40°C至125°C
• ?VGG輸出電壓?：6.4V（典型值）
• ?UVLO閾值?：
  • 開啟電壓：4.4V至4.6V
  • 關(guān)閉電壓：4.1V至4.3V
  • 遲滯電壓：80mV
• ? 輸入電流（非切換狀態(tài)） ?：8mA至10mA（典型值）
• ?故障檢測(cè)時(shí)間?：約350ns至475ns
• ? 過(guò)流閾值（高側(cè)FET） ?：30A（典型值）

四、功能描述

• ?同步降壓轉(zhuǎn)換?：集成高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET，實(shí)現(xiàn)同步整流，提高效率。
• ?電流監(jiān)測(cè)?：通過(guò)精密電流感應(yīng)放大器監(jiān)測(cè)輸出電流，并提供IMON引腳輸出。
• ?故障保護(hù)?：
  • 過(guò)流保護(hù)：監(jiān)測(cè)高側(cè)和低側(cè)電流，防止過(guò)流損壞。
  • 短路保護(hù)：快速響應(yīng)短路條件，保護(hù)電路。
  • 熱關(guān)斷：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，自動(dòng)關(guān)斷功率級(jí)。
  • UVLO保護(hù)：確保VGG電壓在安全范圍內(nèi)，避免低電壓?jiǎn)?dòng)損壞。
• ?三態(tài)PWM輸入?：支持PWM輸入的三態(tài)模式，用于功率級(jí)關(guān)斷。
• ?模式選擇?：支持同步模式和獨(dú)立模式，通過(guò)SRE_MD引腳選擇。

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：
  • 數(shù)字或模擬POL電源模塊
  • 高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 電信和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
• ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：
  • 選擇合適的電感和輸出電容器以滿足性能要求。
  • 使用DCR電流感應(yīng)或外部電流感應(yīng)電阻進(jìn)行電流監(jiān)測(cè)。
  • 根據(jù)應(yīng)用需求調(diào)整軟啟動(dòng)時(shí)間和過(guò)流保護(hù)閾值。

六、封裝與供貨信息

• ?封裝類型?：40引腳PQFN（5mm x 7mm）
• ?供貨狀態(tài)?：活躍生產(chǎn)

七、其他信息

• ?熱阻?：θJA = 28.9°C/W（PQFN封裝）
• ?開發(fā)支持?：提供設(shè)計(jì)資源和工具，簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)流程。
• ?安全警示?：在存儲(chǔ)或處理過(guò)程中，應(yīng)采取措施防止靜電損壞MOS柵極。