概述

HMC525ALC4是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該混頻器使用兩個標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個90°混合器件，均采用GaAs金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝。HMC525ALC4為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。HMC525ALC4無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC525ALC4 GaAs MMIC I Q混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 微波和甚小孔徑終端無線電
• 測試設(shè)備
• 點對點無線電
• 軍事電子戰(zhàn)、電子對抗、以及指揮、控制、通信和情報

特性

• 無源：無需直流偏置
• 轉(zhuǎn)換損耗：8 dB（典型值）
• 輸入IP3：20 dBm（典型值）
• LO至RF隔離：47 dB（典型值）
• IF頻率范圍：DC至3.5 GHz
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、4 mm × 4 mm LCC封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型應(yīng)用電路

圖101展示了HMC525ALC4的典型應(yīng)用電路。為選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要直流工作的應(yīng)用，使用片外隔直電容；對于需要抑制輸出邊帶的直流工作應(yīng)用，則使用偏置三通或射頻饋電，如圖101所示。確保每個中頻端口的源電流或灌電流在本振抑制時小于2毫安，以防止損壞器件。每個中頻端口的共模電壓為0V。

若用作上變頻器來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。若選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。輸入連接到混合耦合器的和端口，差分端口接50Ω終端。

若用作下變頻器且本振處于低端（low - side LO）來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。若本振處于高端（high - side LO）來選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。輸入連接到混合耦合器的和端口，差分端口接50Ω終端。