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HMC787A GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-03-27 16:51 ? 次閱讀
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概述
HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝,可用作3 GHz至10 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。HMC787A通過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)隔離性能,采用17 dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平工作。陶瓷LCC封裝無需線焊,與高容量表貼制造技術(shù)兼容。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC787A GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

HMC787AG是一款通用型雙平衡混頻器,可用作3 GHz至10 GHz頻率范圍的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。

HMC787AG通過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)提供高本振(LO)至RF及LO至中頻(IF)隔離性能,采用13 dBm至21 dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平工作。

特性
HMC787ALC3B

  • 轉(zhuǎn)換損耗:9 dB(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • 本振(LO)至射頻(IF)隔離:43 dB(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • RF至中頻(IF)隔離:26 dB(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3):24 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • 輸入1 dB壓縮點(diǎn)(P1dB):17 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • 輸出二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2):67 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz時(shí))

  • 無源雙平衡拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

  • 寬IF頻率范圍:DC至4 GHz

  • 12引腳、陶瓷、無鉛芯片載體(LCC)封裝

HMC787AG(芯片)
下變頻器* 變頻損耗

  • 8 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
  • 10 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • LO至IF隔離
    • 44 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 42 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • RF至IF隔離
    • 21 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 32 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 輸入IP3
    • 22 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 28 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 輸入P1dB
    • 15 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 17 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 無源雙平衡拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
  • 寬IF頻率范圍:DC至4 GHz
  • 6焊盤、裸片[芯片]

框圖
image.png

應(yīng)用

  • 微波無線電
  • 工業(yè)、科研和醫(yī)療(ISM)頻段和超寬頻段(UWB)無線電
  • 測(cè)試設(shè)備和傳感器
  • 軍用最終用途

引腳配置描述
image.png

接口示意圖
image.png

典型應(yīng)用電路

圖49展示了HMC787A的典型應(yīng)用電路。本振(LO)引腳和射頻(RF)引腳內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)交流耦合。如果不需要直流中頻(IF)工作,建議在IF端口使用一個(gè)交流耦合電容。如果需要直流IF工作,請(qǐng)勿超過“絕對(duì)最大額定值”部分中規(guī)定的IF源電流和灌電流數(shù)值。
image.png

應(yīng)用中使用的電路板必須采用射頻電路設(shè)計(jì)技術(shù)。信號(hào)線必須具有50Ω的阻抗,封裝接地引腳和外露焊盤必須直接連接到接地層,類似于圖50中所示。使用足夠數(shù)量的過孔連接頂層和底層接地層。圖50中所示的評(píng)估電路板可應(yīng)要求從亞德諾半導(dǎo)體公司(Analog Devices, Inc.)獲取。

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