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HMC773A GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊

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概述

HMC773A采用經(jīng)過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu),提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。該混頻器采用13 dBm或以上的LO驅(qū)動電平工作,具備出色的性能。HMC773A無需線焊,可以使用表貼制造技術(shù)。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC773A GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • 點對點無線電
  • 點對多點無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  • 測試設(shè)備和傳感器
  • 軍用最終用途

特性

  • 轉(zhuǎn)換損耗:9 dB(典型值)
  • 本振(LO)至射頻(RF)隔離:37 dB(典型值)
  • LO至中頻(IF)隔離:37 dB(典型值)
  • RF至IF隔離:20 dB(典型值)
  • 輸入三階交調(diào)截點(IP3):20 dBm(典型值)
  • 輸出二階交調(diào)截點(IP2):50 dBm(典型值)
  • 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率:10 dBm(典型值)
  • IF帶寬:DC至8 GHz
  • 無源;無需直流偏置
  • 3 mm × 3 mm、12引腳陶瓷LCC封裝

引腳配置描述
image.png

接口示意圖
image.png

典型性能特征
image.png

典型應(yīng)用電路

圖 77 展示了 HMC773ALC3B 的典型應(yīng)用電路。HMC773ALC3B 是無源器件,無需外部元件。LO 引腳和 RF 引腳內(nèi)部已進行交流耦合。當不需要進行 IF 操作時,建議使用交流耦合電容隔直。當需要直流下的 IF 操作時,IF 源和灌電流額定值不得超過 “絕對最大額定值” 部分中規(guī)定的值。
image.png

評估印刷電路板(PCB)信息

評估 PCB 必須采用射頻電路設(shè)計技術(shù),如圖 78 所示。信號線必須具有 50Ω 阻抗,并且封裝接地引腳和裸露焊盤必須直接連接到接地層,類似于圖 78 所示。使用足夠數(shù)量的過孔將頂層和底層接地層連接起來。
image.png

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