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低功耗電壓檢測芯片TPS3803浪涌防護(hù)方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-04-27 16:45 ? 次閱讀
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本文主要是針對低功耗電壓檢測芯片TPS3803的浪涌防護(hù)方案,采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對芯片進(jìn)行浪涌防護(hù),保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害,確保設(shè)備的安全性。

一、TPS3803介紹

TPS3803系列器件可為電路提供初始化和時序監(jiān)控,主要用于DSP和基于處理器的系統(tǒng)。TPS3803G15設(shè)備有一個由內(nèi)部分壓器設(shè)置的固定檢測閾值VIT,TPS3803?01具有可調(diào)節(jié)的SENSE輸入,可以由兩個外部電阻器配置。如果兩個電壓中的任何一個電壓降至VIT以下,則置位RESET。上電期間,當(dāng)電源電壓 VDD高于 0.8 V時,RESET 被置位。此后,監(jiān)控電路將監(jiān)控 VDD或SENSE并保持RESET有效,只要保證VDD或SENSE保持在閾值電壓VIT以下。一旦VDD或SENSE上升到閾值電壓VIT以上,RESET就會再次置低。該產(chǎn)品系列專為 1.5V、3.3 V和可調(diào)電源電壓而設(shè)計,采用5引腳SC-70封裝,額定工作溫度范圍為?40°C至+85°C。

二、TDS器件介紹

TDS(平緩鉗位浪涌抑制器)具有精準(zhǔn)且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護(hù)。當(dāng) EOS 事件來臨時,瞬態(tài)電壓攀升至超過集成精密觸發(fā)器所設(shè)定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發(fā)電路精確的開啟內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管,有效的將瞬態(tài)高壓與大電流安全釋放到地。由于TDS的內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管具有極低的導(dǎo)通電阻,其鉗位電壓在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)幾乎是恒定的。

在選擇浪涌防護(hù)器件時,許多工程師會優(yōu)先選擇TVS二極管,實(shí)際上大電流TDS芯片在成本和性能、面積上比TVS更具優(yōu)勢。TDS器件的優(yōu)勢如下:

在提供相同保護(hù)的情況下,TDS耗散浪涌能量較小,能通過自身特性將過壓與過流事件高效泄放到地,從而避免增加自身熱損耗。

TDS器件體積小巧,結(jié)構(gòu)緊湊,為硬件工程師設(shè)計高度集成型解決方案提供了更優(yōu)選擇。如果應(yīng)用需要超過單個TDS器件所能提供的特定鉗位電壓, 可以將多個TDS器件串聯(lián),提供了更多的靈活性。

TDS器件的鉗位電壓通常比傳統(tǒng)TVS保護(hù)設(shè)備的鉗位電壓低30%,減少了系統(tǒng)的電氣應(yīng)力,可以更好的保護(hù)后端IC,也為系統(tǒng)中的其他組件創(chuàng)造了更大的安全余量。

TDS器件在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)擁有幾乎恒定的鉗位電壓。傳統(tǒng)TVS二極管的箝位電壓隨著峰值脈沖電流的增加而增加,而TDS器件的鉗位電壓在最大峰值脈沖電流之前幾乎保持不變。

TDS器件的鉗位電壓在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,而傳統(tǒng)TVS二極管的鉗位電壓隨溫度變化。TDS器件擁有卓越的耐用性,在工作規(guī)格內(nèi)性能不會下降,仍能保證低漏電和高鉗位電壓。

三、應(yīng)用方案

wKgZO2fuLFaARM5OAABOLxlXTDE629.png圖1?應(yīng)用方案

上圖部分詳細(xì)介紹了使用電壓檢測器或比較器設(shè)計二進(jìn)制或數(shù)字輸入模塊的替代方法。這可用干互鎖應(yīng)用或電池監(jiān)控。SENSE作為可調(diào)式感應(yīng)輸入端,使用工作電壓為33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR來防止過電壓和瞬態(tài)。。

ESTVS3300DRVR是湖南靜芯新推出的TDS平緩浪涌抑制器,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護(hù),采用小型 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引腳封裝。ESTVS3300DRVR通常用于保護(hù)工作電壓為28V、33V、36V的系統(tǒng)。觸發(fā)電壓為38.7V,額定瞬態(tài)峰值脈沖電流可達(dá)50A(tp=8/20μs),鉗位電壓VC為40V以內(nèi)。

四、器件電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM -0.5 33 36 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mAfrom VDD/IO to GND 38 38.7 39.4 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=33Vfrom VDD/IO to GND 0.5 100 nA
Forward Voltage VF IT=1mAfrom GND to VDD/IO 0.517 V
Clamping Voltage VC IPP=24A; tp=8/20us 38.2 38.7 V
IPP=35A; tp=8/20us 38.2 38.7 V
IPP=50A; tp=8/20us 38.6 39.1 V
Dynamic Resistance RDYN tp=8/20us 30
Junction Capacitance CJ VR=25V; f=1MHz T=25℃ 113 pF

表1ESTVS3300DRVR電氣特性表

五、總結(jié)與結(jié)論

TPS3803作為常用的電壓檢測芯片,浪涌防護(hù)十分關(guān)鍵。靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護(hù)特性,可以廣泛應(yīng)用于USB/雷電接口、工業(yè)機(jī)器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器、IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網(wǎng)供電(PoE)等領(lǐng)域,可為系統(tǒng)提供更全面以及更可靠的保護(hù)。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等型號,歡迎客戶前來咨詢選購。

審核編輯 黃宇

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