日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

兆易創(chuàng)新GigaDevice ? 來(lái)源: 兆易創(chuàng)新GigaDevice ? 2025-04-08 18:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

今日,兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作!雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合,打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品,并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解,加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車(chē)商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分,兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,融合雙方的技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)和生態(tài)資源優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)智能、高效電源管理方案的創(chuàng)新升級(jí)。

87bfb7a2-145d-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

▲納微半導(dǎo)體全球高級(jí)副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理查瑩杰(左)與兆易創(chuàng)新高級(jí)副總裁、CTO、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁(右)合影

作為第三代功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,納微半導(dǎo)體憑借全面的GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件,為AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能儲(chǔ)能和消費(fèi)電子等行業(yè)注入充電更快、效率更高和節(jié)能環(huán)保的“芯”動(dòng)力。

兆易創(chuàng)新GD32 MCU作為中國(guó)高性能通用微控制器領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,憑借其卓越的性能,廣泛應(yīng)用于能源電力、工業(yè)控制、車(chē)載設(shè)備、運(yùn)動(dòng)控制等領(lǐng)域,累計(jì)出貨量已突破19.8億顆。其中數(shù)字能源是兆易創(chuàng)新的重要戰(zhàn)略布局方向。隨著數(shù)字能源系統(tǒng)的不斷發(fā)展,其對(duì)于高精度、高效率功率控制需求也在日益提升,為了更好地響應(yīng)這一趨勢(shì),兆易創(chuàng)新持續(xù)推出了GD32G5、GD32F5、GD32H7等多個(gè)系列的高性能MCU,并構(gòu)建了一系列行業(yè)垂直解決方案,為客戶帶來(lái)卓越的產(chǎn)品、方案及全方位的技術(shù)支持服務(wù)。

納微半導(dǎo)體全球高級(jí)副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理查瑩杰與兆易創(chuàng)新高級(jí)副總裁、CTO、MCU 事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁等雙方高層共同出席了戰(zhàn)略合作簽約儀式,雙方明確了戰(zhàn)略合作方向,并就聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的運(yùn)營(yíng)模式展開(kāi)了深入的交流。

納微半導(dǎo)體全球高級(jí)副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示:“納微半導(dǎo)體致力于全球領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā),加速AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備和新能源汽車(chē)行業(yè)的電氣化進(jìn)程。此次與兆易創(chuàng)新達(dá)成戰(zhàn)略合作,將充分發(fā)揮雙方在芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和市場(chǎng)生態(tài)上的互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立不僅加速了下一代高效能電源解決方案的研發(fā),更標(biāo)志著我們?cè)凇悄?綠色'戰(zhàn)略上的深化布局。我們期待通過(guò)這一合作,為全球客戶提供更快、更節(jié)能的創(chuàng)新產(chǎn)品,共同開(kāi)啟電力電子行業(yè)的合作新生態(tài)。”

兆易創(chuàng)新高級(jí)副總裁、CTO、MCU 事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁表示:“數(shù)字能源是兆易創(chuàng)新重要的戰(zhàn)略市場(chǎng)之一。MCU在推動(dòng)數(shù)字電源系統(tǒng)的智能化、提升能效以及保障系統(tǒng)安全性等方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此次與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作,將高性能GD32 MCU與納微GaNFast氮化鎵技術(shù)深度融合,為數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)等應(yīng)用場(chǎng)景提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。這不僅是雙方公司技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新的積極實(shí)踐,更是秉承雙方對(duì)綠色能源理念的堅(jiān)持,助力產(chǎn)業(yè)向高效化、智能化發(fā)展的關(guān)鍵一步。”

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)是唯一一家全面專(zhuān)注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司,于2024年迎來(lái)了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起,為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

關(guān)于兆易創(chuàng)新(GigaDevice)

兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司(股票代碼603986)是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商,公司成立于2005年4月,總部設(shè)于中國(guó)北京,在全球多個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有分支機(jī)構(gòu),營(yíng)銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)遍布全球,提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。兆易創(chuàng)新致力于構(gòu)建以存儲(chǔ)器、微控制器、傳感器、模擬產(chǎn)品為核心驅(qū)動(dòng)力的完整生態(tài),為工業(yè)、汽車(chē)、計(jì)算、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)應(yīng)用以及通信領(lǐng)域的客戶提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和服務(wù),已通過(guò)ISO26262:2018汽車(chē)功能安全最高等級(jí)ASIL D體系認(rèn)證,并獲得IEC 61508功能安全產(chǎn)品認(rèn)證以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等體系認(rèn)證和鄧白氏認(rèn)證。同時(shí),公司與多家世界知名晶圓廠、封裝測(cè)試廠建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。

*兆易、兆易創(chuàng)新、GigaDevice,及其標(biāo)志均為兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo),其他名稱(chēng)或品牌均為其所有者所有。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • mcu
    mcu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    19160

    瀏覽量

    404756
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1507

    瀏覽量

    45291
  • 兆易創(chuàng)新
    +關(guān)注

    關(guān)注

    24

    文章

    730

    瀏覽量

    84189
  • 納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    162

    瀏覽量

    21454
  • 第三代半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    182

    瀏覽量

    7903

原文標(biāo)題:強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合!兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作,打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源解決方案

文章出處:【微信號(hào):GigaDevice,微信公眾號(hào):兆易創(chuàng)新GigaDevice】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深圳市薩科slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開(kāi)啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1135次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?404次閱讀

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?486次閱讀

    半導(dǎo)體與格芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

    格芯(GlobalFoundries,納斯達(dá)克代碼:GFS)與半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor,納斯達(dá)克代碼:NVTS)今日正式宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:30 ?2458次閱讀

    半導(dǎo)體2.0的轉(zhuǎn)型之路

    自我正式擔(dān)任半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)首席執(zhí)行官至今,已有 60 天時(shí)間。今天,我們迎來(lái)了關(guān)鍵時(shí)刻:正加速
    的頭像 發(fā)表于 11-21 17:05 ?1745次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1586次閱讀

    創(chuàng)新半導(dǎo)體數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌,加速高效電源管理方案落地

    創(chuàng)新GigaDevice與半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)共同設(shè)立的“
    的頭像 發(fā)表于 10-13 13:52 ?688次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1074次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    Deca與冠捷半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作

    )旗下子公司冠捷半導(dǎo)體(SST)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作,雙方將共同打造一款完整的非失性存儲(chǔ)(NVM)芯?;庋b
    的頭像 發(fā)表于 09-12 10:52 ?1462次閱讀

    基本半導(dǎo)體與東芝達(dá)成戰(zhàn)略合作

    日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過(guò)將雙方擁有的先進(jìn)碳化硅及IGBT芯片技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-30 16:33 ?2185次閱讀

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?927次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    瑞聲科技與創(chuàng)晟半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作

    近日,瑞聲科技與高端車(chē)規(guī)通信芯片企業(yè)創(chuàng)晟半導(dǎo)體(深圳)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“創(chuàng)晟半導(dǎo)體”)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。雙方將在車(chē)載信號(hào)傳輸處理方面深度
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:11 ?1361次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2897次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1097次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
    驻马店市| 铁岭市| 罗田县| 禄丰县| 莱阳市| 上蔡县| 固始县| 新建县| 潼关县| 上饶县| 闵行区| 金湖县| 建德市| 红河县| 南丰县| 梁平县| 巴林右旗| 会理县| 长子县| 武冈市| 永登县| 类乌齐县| 临泉县| 什邡市| 乌兰浩特市| 清涧县| 侯马市| 宁都县| 东乡族自治县| 兰坪| 佛坪县| 台东市| 客服| 东阿县| 余干县| 汝阳县| 聊城市| 莱西市| 安吉县| 巴里| 浦城县|