雙方將進(jìn)行全新技術(shù)研發(fā)和晶圓代工合作，加速推動美國的先進(jìn)氮化鎵技術(shù)研發(fā)、設(shè)計及規(guī)模化生產(chǎn)能力，為各類電源管理應(yīng)用提供支持

紐約州馬爾他及加利福尼亞州托倫斯，2025 年 11 月 20 日訊 —— 格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)美國本土的氮化鎵（GaN）技術(shù)研發(fā)、設(shè)計與制造能力。雙方將攜手開發(fā)并交付面向高功率市場關(guān)鍵應(yīng)用的先進(jìn)解決方案，滿足AI數(shù)據(jù)中心、高性能計算、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電氣化等領(lǐng)域?qū)Ω咝屎透吖β拭芏鹊钠惹行枨蟆?/p>

作為氮化鎵及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)，納微半導(dǎo)體已在移動快充、消費電子、高性能計算、電動汽車、儲能及工業(yè)設(shè)備等大批量應(yīng)用市場成功實現(xiàn)氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用，并正加速推動該技術(shù)在高功率市場的應(yīng)用普及。格芯作為值得信賴的全球晶圓代工合作伙伴，擁有十多年先進(jìn)制造經(jīng)驗，可保障可靠、優(yōu)質(zhì)的規(guī)?；a(chǎn)。通過這一長期合作，格芯與納微將依托格芯位于佛蒙特州伯靈頓工廠的高壓硅基氮化鎵技術(shù)積淀，以及納微在氮化鎵技術(shù)與器件方面的深厚積累，共同生產(chǎn)下一代氮化鎵芯片。雙方計劃于2026年初啟動開發(fā)，并于同年晚些時候投入量產(chǎn)。

格芯的世界級制造能力結(jié)合納微領(lǐng)先的氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新實力，將為客戶提供更先進(jìn)、更可靠、規(guī)模化的氮化鎵解決方案。雙方將攜手為客戶打造完整的美國本土氮化鎵供應(yīng)渠道，提升能源安全與產(chǎn)業(yè)競爭力，助力下一代能源與計算平臺的深度脫碳轉(zhuǎn)型。

格芯首席執(zhí)行官Tim Breen：“氮化鎵正重塑全球電力傳輸格局。雙方的合作標(biāo)志著美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)力的顯著進(jìn)步，也為氮化鎵技術(shù)在關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的部署奠定了重要基礎(chǔ)。

通過與納微攜手，我們將構(gòu)建一個穩(wěn)定、可持續(xù)的氮化鎵技術(shù)供應(yīng)鏈，賦能AI、能源及工業(yè)創(chuàng)新。”

納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre：“在AI數(shù)據(jù)中心、高性能計算、電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電氣化等高功率半導(dǎo)體市場，氮化鎵正加速市場普及。

與格芯的合作，將確保納微能夠提供客戶所需的美國本土高性能、高效率與大規(guī)模制造能力，并在美國生產(chǎn)關(guān)鍵應(yīng)用的解決方案。

雙方正為共同推動下一代可持續(xù)發(fā)展的能源技術(shù)奠定基石，這對推動全球能源可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。與格芯實現(xiàn)合作，是納微邁向2.0戰(zhàn)略階段的重要里程碑。”

關(guān)于格芯（Global Foundries）

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和連接所依賴的重要半導(dǎo)體的領(lǐng)先制造商。我們不斷創(chuàng)新并與客戶合作，為汽車、智能移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和其他高增長市場提供更節(jié)能、更高性能的產(chǎn)品。GF的生產(chǎn)足跡遍布美國、歐洲和亞洲，是全球客戶值得信賴的可靠供應(yīng)商。每天，我們才華橫溢的全球團(tuán)隊都在不懈地關(guān)注安全性、使用壽命和可持續(xù)發(fā)展，為客戶創(chuàng)造成果。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過30年的經(jīng)驗積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、感測與保護(hù)功能高度集成，實現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。