ZS826GaN+ZS7606C 高性價比氮化鎵DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測試報告
ZS826GaN+ZS7606C內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器與DMOSGaN.高性能.低待機功率以及經(jīng)濟高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進行了優(yōu)化.提供全面的保護覆蓋,包括OCP.OLP.VDD過壓鉗位和欠壓鎖(UVLO)通過頻率抖動技術(shù)以及圖騰柱柵極驅(qū)動輸出處的軟開關(guān)控制.將20KHz以下的音頻能量將至最低。最大限度降低工作噪聲。實現(xiàn)了出色的EMI性能。采用ESOP-7封裝。
以上方案只是本公司其中一款產(chǎn)品。需要樣品或者DEMO的歡迎咨詢和了解。謝謝關(guān)注
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