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效率超30%!雙面鈣鈦礦/晶硅疊層電池的IBC光柵設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化

美能光伏 ? 2025-04-16 09:05 ? 次閱讀
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全球正致力于提升鈣鈦礦光伏電池的效率,其中疊層太陽能電池(TSCs)因其高效率、低熱損耗和易于集成成為研究熱點(diǎn)。本研究采用美能絨面反射儀RTIS等先進(jìn)表征手段,系統(tǒng)分析了雙面鈣鈦礦/硅疊層電池的優(yōu)化路徑,重點(diǎn)探討IBC結(jié)構(gòu)和光柵設(shè)計(jì)對效率的提升作用,為下一代高效疊層太陽能電池的開發(fā)提供了理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

電池結(jié)構(gòu)與材料選擇

Millennial Solar


頂部鈣鈦礦電池:

  • 活性層:Cs?.??MA?.??FA?.?Pb(I?.?Br?.?)?(帶隙1.62 eV)
  • 傳輸層:SnO2(ETL)/NiOX(HTL)組合,具有低溫工藝兼容性和高穩(wěn)定性
  • 電極:雙面ITO(30 nm陰極/200 nm陽極)
  • 創(chuàng)新設(shè)計(jì):IBC結(jié)構(gòu)兼具光柵功能(周期Pg=700 nm,寬度Wg=350 nm)

底部硅異質(zhì)結(jié)電池:

  • 接觸層:200 nm Al電極(分別連接n/p區(qū))
  • 載流子選擇層:n型aSi(20 nm,摻雜1.5×1019cm-3)和p型aSi(20 nm,摻雜2×1019cm-3)
  • 鈍化層:5 nm本征aSi(i-aSi)
  • 吸收層:300 μm n型晶體硅(摻雜5×1015cm-3)
  • 界面層:1 nm缺陷硅(模擬界面復(fù)合)

中間連接層:

  • 光學(xué)耦合層:150 nm SiO?(折射率匹配)
  • 電學(xué)隔離層:50 nm SiO?(擊穿場強(qiáng)>10 MV/cm)

電池各層材料的光電特性參數(shù)

ef1979d6-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.pngef333e52-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png

所設(shè)計(jì)太陽能電池的(a)頂部電池與(b)底部電池能帶結(jié)構(gòu)示意圖

模擬方法與參數(shù)設(shè)置

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光學(xué)模擬:采用時(shí)域有限差分法(FDTD),計(jì)算300–1200 nm波長范圍內(nèi)的吸收特性。載流子輸運(yùn)與復(fù)合:通過漂移-擴(kuò)散方程模擬,關(guān)鍵參數(shù)包括:

  • 陷阱輔助復(fù)合:鈣鈦礦層載流子壽命τ?=τ?=40ns(基于N?=1×1015cm-3和σ??=2.5×10-15cm2計(jì)算)。
  • 俄歇復(fù)合:鈣鈦礦C?=C?=4.4×10-29cm6/s。
  • 輻射復(fù)合:鈣鈦礦C?=5.3×10-11cm3/s。

反照率反射模擬:考慮不同地面類型(瀝青、混凝土、雪等),通過系數(shù)0.1–0.8調(diào)整AM1.5G光譜強(qiáng)度。

頂電池減反射層(ARC)優(yōu)化

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ef4cb792-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png

最優(yōu)厚度點(diǎn)處鈣鈦礦層的透射光譜雙層ARC(LiF/TiO2)在350–800 nm波段透光率更高(96% vs. 93%)。最優(yōu)厚度:LiF(100 nm)/TiO2(22 nm)。

頂電池背接觸光柵設(shè)計(jì)

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ef6928e6-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png光電流密度(Jph)隨頂部電池背接觸光柵周期(Pg)及寬度周期比(Wg/Pg)的變化關(guān)系ef830400-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png頂部電池的(a)短路電流密度(Jsc)、(b)光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)、(c)開路電壓(Voc)及(d)填充因子(FF)隨背接觸光柵周期(Pg)和寬度周期比(Wg/Pg)變化的彩色映射圖最佳參數(shù):Pg=0.4 μm、Wg/Pg=0.4時(shí),頂電池光電流(Jph)達(dá)20.3 mA/cm2。準(zhǔn)電流匹配:Pg=0.7 μm、Wg/Pg=0.5時(shí),頂/底電池Jph接近(19.45/19.91 mA/cm2)。

頂電池性能分析

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efa777a4-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png(a)(Pg, Wg/Pg)參數(shù)組的電流密度-電壓(J-V)特性曲線;(b)電化學(xué)阻抗譜(EIS)奈奎斯特圖efc2f600-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png不同光柵參數(shù)組合(Pg, Wg/Pg)下的吸收光譜與外量子效率(EQE)譜;(d)對應(yīng)參數(shù)組的反射與寄生吸收光電流密度損失最優(yōu)結(jié)構(gòu)(Pg=0.7 μm、Wg/Pg=0.5):

  • 高復(fù)合電阻(Rrec=1.92 MΩ),低串聯(lián)電阻(Rs=12.95 Ω)。
  • 最高開路電壓(Voc=1.196 V),PCE達(dá)19.3%。

較差結(jié)構(gòu)(Pg=0.2 μm、Wg/Pg=0.6):PCE僅6.23%,F(xiàn)F低至45%。

底電池減反射層(ARC)優(yōu)化

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efe3cbf0-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png(a)雙層(SiO?/TiO?)結(jié)構(gòu);(b)硅層表面對應(yīng)的反射光譜eff99480-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.pngSRV對電學(xué)參數(shù)的影響曲線雙層ARC(SiO2/TiO2)最優(yōu)厚度為SiO2=92 nm、TiO2=52 nm,光傳輸率提升至94%。效果:PCE提升至10.81%,Jsc增加9%。

底電池背接觸光柵設(shè)計(jì)

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f00bc31c-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png填充因子(FF)隨n型非晶硅寬度(nw)及間隙寬度(Gw)變化的彩色映射圖最優(yōu)參數(shù):nw=400 μm(占周期20%)、Gw=1280 μm(占80%)。效果:PCE達(dá)9.94%(Jsc=16.55 mA/cm2,Voc=0.734 V)。對比:nw過大(1600 μm)會降低空穴提取,PCE僅7.14%。

底電池性能分析

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f01c1f6e-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png不同反射率下的PCE對比柱狀圖f02a86f8-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png(a)不同反照率反射條件下的電流密度-電壓(J-V)特性曲線,(b)平均反照率與無反照率條件下的J-V特性曲線對比高反射環(huán)境(如雪地80%):PCE達(dá)16.59%,較瀝青(10%反射)提升53%。典型暗沙(30%反射):Jsc和PCE較無反射時(shí)分別提升43%和46%。

最佳性能

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雙面鈣鈦礦/晶硅疊層電池與文獻(xiàn)報(bào)道性能對比f03e74ba-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png頂電池:雙層ARC+光柵(Pg=0.7 μm、Wg/Pg=0.5)組合最優(yōu),兼顧高透光、低反射(3.5 mA/cm2損失)和高效電荷收集。底電池:通過IBC幾何優(yōu)化(Gw最大化)和雙層ARC,在雪地等高反射環(huán)境下PCE可達(dá)16.59%??傂剩航Y(jié)合頂電池后,總效率突破30%,為平面結(jié)構(gòu)疊層電池的最高水平之一。

美能絨面反射儀

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f04fdf48-1a5e-11f0-9434-92fbcf53809c.png美能絨面反射儀RTIS通過漫反射激發(fā)電池片,然后通過8度角采用光譜儀檢測。RTIS具有定位的機(jī)臺和導(dǎo)軌,能夠方便而快速地送入樣品,實(shí)現(xiàn)電池片樣品的定位,提高使用人員的工作效率。

  • 光譜測試范圍可達(dá):350-1050nm
  • 快速、自動任意多點(diǎn)測量
  • 每點(diǎn)測試速度約0.1s,檢測時(shí)間僅為傳統(tǒng)反射率的1/10
  • 精準(zhǔn)測量反射率、膜厚等多項(xiàng)重要參數(shù)

本研究通過多物理場協(xié)同優(yōu)化,首次實(shí)現(xiàn)雙面模式下頂/底電池IBC一體化設(shè)計(jì),并系統(tǒng)解決了陷阱復(fù)合、材料穩(wěn)定性等產(chǎn)業(yè)化瓶頸。結(jié)合美能絨面反射儀RTIS(測試速度0.1s/點(diǎn))對反射率與膜厚的精準(zhǔn)測量,總效率突破30%,為低成本、高效率疊層太陽能電池的實(shí)用化提供了突破性解決方案。

原文出處:Back contact optimization of both sub-cells in bifacial perovskite/silicon tandem solar cell

*特別聲明:「美能光伏」公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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