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功率密度> 100W/in3,TI新款電源管理芯片賦能現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心建設(shè)

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:吳子鵬 ? 2025-04-22 00:12 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)在算力需求與碳中和目標(biāo)的雙重約束下,數(shù)據(jù)中心行業(yè)正從單一指標(biāo)極致化轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化,對(duì)相關(guān)元器件的功率密度和效率提出了更高要求。與此同時(shí),現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心體量持續(xù)擴(kuò)大,安全可靠性的重要性愈發(fā)凸顯。


德州儀器系統(tǒng)經(jīng)理游聲揚(yáng)表示,現(xiàn)代 AI 數(shù)據(jù)中心正驅(qū)動(dòng)云計(jì)算、人工智能、5G 等技術(shù)迅猛發(fā)展,隨之而來的是數(shù)據(jù)中心對(duì)電源需求的急劇攀升,更高的功率密度與效率成為行業(yè)核心挑戰(zhàn)。如何在高性能計(jì)算與能源效率之間找到平衡,已成為推動(dòng)數(shù)據(jù)中心持續(xù)演進(jìn)的關(guān)鍵。
為幫助現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心應(yīng)對(duì)上述挑戰(zhàn),德州儀器(TI)推出新款電源管理芯片,以滿足其快速增長(zhǎng)的電源需求。其中,TI 發(fā)布的采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL 封裝的集成式 GaN 功率級(jí)系列(LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070),在功率密度和效率方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升;新款 TPS1685 則是具備電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲,可助力客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件及處理需求。

功率密度 > 100W/in3 的集成式 GaN 功率級(jí)系列

在提升效率和功率密度領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體的價(jià)值日益凸顯。在電源設(shè)計(jì)中,GaN(氮化鎵)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度的特性,正成為數(shù)據(jù)中心電源提升效率與功率密度的核心技術(shù)突破口。

GaN 在數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的顛覆性優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面:
高頻高效轉(zhuǎn)換,降低電能損耗:GaN 器件的開關(guān)速度遠(yuǎn)超硅基 MOSFET,且反向恢復(fù)損耗幾乎為零,可實(shí)現(xiàn)高效電源設(shè)計(jì);

減小被動(dòng)元件體積,提升功率密度:高頻工作模式允許使用更小的電感和電容,因此 GaN 器件可大幅壓縮電源模塊體積,縮短板級(jí)輸電距離,降低線纜損耗,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高功率密度。

不過,GaN 器件也面臨技術(shù)挑戰(zhàn)?,F(xiàn)有數(shù)據(jù)中心架構(gòu)多基于硅基器件設(shè)計(jì),改用 GaN 需重新優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路、散熱方案和控制算法,尤其是驅(qū)動(dòng)器與 GaN 器件的匹配存在一定技術(shù)門檻。

游聲揚(yáng)指出,TI 推出的集成式 GaN 功率級(jí)系列(LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070)集成了高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與 650V GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高效率(>98%)和高功率密度(>100W/in3)。這些器件還集成了過電流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù)等先進(jìn)功能,這對(duì)服務(wù)器電源等交流 / 直流應(yīng)用尤為重要 —— 設(shè)計(jì)人員需在更小空間內(nèi)提供更大功率。

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在實(shí)際應(yīng)用中,TI 集成式 GaN 功率級(jí)系列的集成柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助設(shè)計(jì)人員構(gòu)建簡(jiǎn)潔的高密度布局,同時(shí)顯著減少寄生耦合。這一特性在高開關(guān)頻率的電源轉(zhuǎn)換中尤為關(guān)鍵,因?yàn)闁艠O環(huán)路中的電路寄生耦合會(huì)導(dǎo)致柵極噪聲和重疊損耗增加。而使用集成式功率級(jí),寄生耦合可降至極低水平,且布局設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)化。

值得一提的是,集成式 GaN 功率級(jí)系列采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)變壓器外形無引腳(TOLL)封裝,設(shè)計(jì)人員可直接利用 TI GaN 器件的效率優(yōu)勢(shì),無需進(jìn)行成本高昂且耗時(shí)的重新設(shè)計(jì)。傳統(tǒng) GaN 器件常因初期改造難度大,迫使設(shè)計(jì)人員放棄升級(jí),而 TI 的方案有效解決了這一痛點(diǎn)。

保護(hù)能力達(dá) 6kW 以上的熱插拔電子保險(xiǎn)絲

TI 推出的另一款新品是48V 可堆疊集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲 ——TPS1685。

TPS1685 是一款集成式大電流電路保護(hù)與電源管理器件,僅需少量外部元件即可提供多種保護(hù)模式,能有效抵御過載、短路和浪涌電流沖擊。針對(duì)浪涌電流有特殊要求的應(yīng)用,可通過單個(gè)外部電容器設(shè)定輸出轉(zhuǎn)換率;用戶還可根據(jù)系統(tǒng)需求設(shè)置輸出電流限制電平。借助用戶可調(diào)節(jié)的過流消隱計(jì)時(shí)器,系統(tǒng)可在電子保險(xiǎn)絲不跳閘的情況下支持負(fù)載電流瞬態(tài)峰值。此外,集成的快速、準(zhǔn)確模擬負(fù)載電流監(jiān)測(cè)器有助于開展預(yù)測(cè)性維護(hù),而Intel PSYS 和 PROCHOT 等先進(jìn)動(dòng)態(tài)平臺(tái)電源管理技術(shù)可優(yōu)化服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心性能。

游聲揚(yáng)介紹,采用分立式熱插拔控制器和外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),功率通常僅為 4kW;而集成式解決方案 TPS1685 可將功率擴(kuò)展至6kW 以上。由于集成了熱插拔控制器和 FET,該方案元件數(shù)量更少,設(shè)計(jì)更精簡(jiǎn) —— 無需檢測(cè)電阻和電流傳感放大器即可監(jiān)測(cè)電流,元件數(shù)量和解決方案尺寸減少 50%。此外,TPS1685 采用30mm2 薄型四方扁平無引腳(LQFN)封裝,可提供可靠且智能的電源路徑保護(hù)。

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傳統(tǒng)電子保險(xiǎn)絲并聯(lián)運(yùn)行時(shí)面臨顯著挑戰(zhàn),如漏源導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 布線電阻和比較器閾值不匹配,可能導(dǎo)致電子保險(xiǎn)絲間電流分配不均,引發(fā)過早跳閘或誤跳閘。而設(shè)計(jì)人員可通過并行連接多個(gè) TPS1685 器件,增加高功率系統(tǒng)的總電流容量。所有器件在啟動(dòng)和穩(wěn)態(tài)期間可主動(dòng)同步運(yùn)行狀態(tài)并共享電流,避免部分器件過載導(dǎo)致并行鏈過早或部分關(guān)閉,使設(shè)計(jì)人員能夠通過可擴(kuò)展的器件滿足 > 6kW 的高功率處理需求。

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