氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處!

U8733L / U8733

01 U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。

02 U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W

03 封裝不同：

U8733L采用HSOP-7封裝，具體腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測(cè)，過溫降功率和過溫保護(hù)功能。

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

U8733采用ESOP-7封裝，具體腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP /UVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 NTC I/O 外置溫度檢測(cè)，過溫降功率和過溫保護(hù)功能。

6、7 GND P 芯片參考地

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。更多訊息，盡在銀聯(lián)寶，期待您的來電!