此前，2025年4月23日至25日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體博覽會(以下簡稱“CSE”)在武漢光谷科技會展中心舉行，作為國內(nèi)碳化硅三代半IDM的代表，方正微電子以“智啟未來”為主題，攜全系車規(guī)/工規(guī)碳化硅產(chǎn)品亮相展會，并通過開幕式主題演講分享了對三代半產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀及前沿洞察，引發(fā)行業(yè)的高度關(guān)注。

2025，中國三代半：革新、重塑、跨越

2025年4月23日，方正微電子副總裁彭建華先生在開幕大會發(fā)表了主題演講——2025，中國三代半：革新、重塑、跨越。彭建華指出，當(dāng)前三代半行業(yè)不斷擴產(chǎn)，導(dǎo)致價格暴跌，這一方面有助于拓展碳化硅的應(yīng)用場景、支撐硬件芯片快速迭代、加速替代硅器件，另一方面也使得行業(yè)玩家面臨“卷產(chǎn)能、拼低價”內(nèi)耗，大量行業(yè)玩家面臨生存考驗。2025年作為重塑行業(yè)格局的關(guān)鍵一年，中國三代半將實現(xiàn)新的跨越。

車規(guī)碳化硅功率專家

方正微電子攜G1&G2&G3三代SiC晶圓、襯底、外延、器件、模組系列產(chǎn)品，展示了新能源汽車全場景應(yīng)用，涵蓋車規(guī)主驅(qū)、OBC充電機、DCDC轉(zhuǎn)換器、車載空調(diào)、及空懸控制等場景。其中，新能源汽車主驅(qū)對SiC應(yīng)用的要求極高，方正微電子作為國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的重要代表，目前已實現(xiàn)SiC MOS乘用車主驅(qū)大規(guī)模上車，2025年是方正微電子發(fā)展過程中關(guān)鍵的一年，將實現(xiàn)車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片應(yīng)用新能源乘用車數(shù)量從幾萬輛到幾十萬輛的跨越。

光儲充全場景解決方案

SiC在光、儲、充、UPS的應(yīng)用不斷增長，本次展覽針對光伏MPPT、光伏儲能逆變、直流充電模塊、UPS模塊等應(yīng)用，具象化地展示了完整的碳化硅解決方案，包含SiC MOS 1200V EASY2B功率模塊、SiC MOS 1200V單管器件、SiC MOS 650V單管器件、SiC MPS 1200V二極管單管器件。本次展覽將碳化硅芯片放置于場景化的模型之中，直觀地展示了碳化硅技術(shù)在光、儲、充、UPS中的落地應(yīng)用，獲得了參展觀眾、客戶及媒體朋友的高度評價。