來源：晶能光電

近日，備受行業(yè)矚目的2026九峰山論壇在武漢隆重開幕。本屆論壇以“新賽道、新技術、新產(chǎn)品、新市場”為主題，匯聚了國內(nèi)外院士專家、行業(yè)領袖與產(chǎn)業(yè)鏈代表，共商產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展大計。

晶能光電應邀參會，并發(fā)表題為《硅襯底GaN技術助力Micro-LED微顯產(chǎn)業(yè)落地》的專業(yè)報告。Micro-LED作為新一代顯示技術，憑借超高亮度、高像素密度、低功耗、長壽命等顯著優(yōu)勢，已成為AR/VR、車載HUD、光通信、近眼顯示等前沿應用場景的首選方案。

當前，Micro-LED微顯示技術仍面臨制程良率、全彩化方案、成本控制與紅光效率等關鍵挑戰(zhàn)。相較于傳統(tǒng)藍寶石襯底，硅襯底GaN技術具備大尺寸兼容、低成本、翹曲小、適配CMOS工藝、波長均勻性優(yōu)異、同質鍵合無損傷等核心優(yōu)勢，正成為Micro-LED產(chǎn)業(yè)化的理想路徑。

作為全球硅襯底GaN基LED技術的領導者之一，晶能光電深耕該領域20年，依托榮獲國家技術發(fā)明獎一等獎的底層核心技術，構建了覆蓋外延—芯片—器件—模組的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM布局，為Micro-LED微顯示產(chǎn)業(yè)提供了堅實的技術支撐和產(chǎn)業(yè)化基石。

目前，晶能光電已實現(xiàn)4-12英寸硅襯底GaN全色系外延，并率先突破12英寸RGB三基色Micro-LED外延技術。其中：

大電流性能優(yōu)異，滿足車燈等高階應用場景

量產(chǎn)EQE效率與4英寸外延片水平相當

特別值得關注的是，晶能光電的硅襯底GaN基Micro-LED材料已賦能下游多家企業(yè)產(chǎn)品落地。例如，鴻石智能、諾視科技等合作伙伴利用晶能大尺寸Micro-LED外延材料，已成功推出萬級PPI、超小體積的量產(chǎn)級微顯示芯片，標志著硅襯底技術路線的產(chǎn)業(yè)化進程全面提速。

展望未來，隨著技術和工藝的持續(xù)進步，晶能光電將繼續(xù)聚焦硅襯底GaN核心技術創(chuàng)新，強化全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力，與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴攜手共建下一代顯示生態(tài)，共同推動Micro-LED技術的規(guī)?；涞嘏c產(chǎn)業(yè)化進程。