在物聯(lián)網(wǎng)和智能化應(yīng)用飛速發(fā)展的今天，RFID技術(shù)作為數(shù)據(jù)采集與身份識別的核心手段，其性能、安全性與可靠性愈發(fā)受到重視。然而，傳統(tǒng)基于EEPROM或Flash存儲的RFID標(biāo)簽在寫入速度、耐久性和功耗方面存在明顯短板，難以滿足高頻率數(shù)據(jù)交互或嚴(yán)苛環(huán)境下的長期使用需求。而采用內(nèi)置FeRAM(鐵電隨機存儲器)的RFID芯片，憑借其超快的寫入速度(比EEPROM快千倍)、近乎無限的讀寫壽命，以及低功耗特性，正成為工業(yè)傳感、醫(yī)療追溯、智能倉儲等場景的革命性解決方案。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌 RAMXEED 有限公司長期專注于研發(fā)與生產(chǎn)用于RFID標(biāo)簽的LSI產(chǎn)品，產(chǎn)品主要覆蓋13.56MHz的HF頻段。其核心優(yōu)勢在于內(nèi)置了FeRAM，該存儲器憑借其卓越高速寫入性能與高重寫耐性，使得其LSI產(chǎn)品成為大容量數(shù)據(jù)載體型RFID應(yīng)用的理想之選，廣泛應(yīng)用于國內(nèi)外的工廠自動化(FA)系統(tǒng)、醫(yī)療健康等領(lǐng)域。此外，RAMXEED還拓展了產(chǎn)品線，成功研發(fā)并制造了支持860 MHz至960 MHz超高頻(UHF)頻段的產(chǎn)品，并豐富了產(chǎn)品陣容。

選擇內(nèi)置FeRAM的RFID的6個理由

01 高速數(shù)據(jù)處理

FeRAM具有高速數(shù)據(jù)寫入能力以及出色的數(shù)據(jù)保存能力，能夠顯著提高數(shù)據(jù)處理速度。在工廠自動化過程中，準(zhǔn)確高效的操作是提高生產(chǎn)效率的重要因素。

課題：為了在FA生產(chǎn)制造過程中實現(xiàn)高吞吐量，要求生產(chǎn)過程中的記錄數(shù)據(jù)能高速寫入RFID標(biāo)簽的存儲器中。內(nèi)置EEPROM的RFID標(biāo)簽的寫入速度較慢，無法應(yīng)用于高吞吐量的生產(chǎn)流程。

用FeRAM解決：FeRAM相較其他非易失性存儲器(如EEPROM)，具有非常高速的寫入速度。因此寫入時間大幅縮短，可應(yīng)用于高吞吐量的生產(chǎn)制造產(chǎn)線。

02 大容量數(shù)據(jù)存儲

內(nèi)置FeRAM的RFID標(biāo)簽的LSI憑借其高速寫入處理能力，實現(xiàn)了8KB的大容量存儲器配置。通過采用面向工廠自動化設(shè)計的數(shù)據(jù)載體型RFID LSI，實現(xiàn)了大容量與高速寫入性能需求應(yīng)用的最佳解決方案。

課題：在FA生產(chǎn)制造過程中，需要實時更新和保存大量數(shù)據(jù)，如產(chǎn)品信息、設(shè)置參數(shù)、加工過程記錄以及檢驗信息等。內(nèi)置EEPROM的RFID標(biāo)簽由于存儲器寫入速度較慢，無法在實時更新和保存大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用中發(fā)揮作用。

用FeRAM解決：FeRAM相比其他非易失性存儲器(如EEPROM等)具有非常高速的寫入速度。因此可實現(xiàn)大容量存儲器的RFID標(biāo)簽，實時準(zhǔn)確地記錄數(shù)據(jù)。

03 穩(wěn)定的通信距離

由于FeRAM存儲器具有低功耗特性，寫入(Write)的通信距離與讀取(Read)相同。而使用EEPROM存儲器的RFID，寫入的通信距離約為讀取的一半。因其低功耗以及高數(shù)據(jù)保存能力，F(xiàn)eRAM可在無線等不穩(wěn)定情況下確保重要數(shù)據(jù)的可靠保存。

04 高重寫耐性

FeRAM具有非常多的重寫次數(shù)，因此在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的工廠自動化(FA)環(huán)境中表現(xiàn)出卓越的耐久性，可在長時間內(nèi)保證穩(wěn)定運行，減少維護成本和時間。憑借這一特性，可提升FA生產(chǎn)過程的效率和可靠性。

課題：在FA生產(chǎn)制造過程中，RFID標(biāo)簽的高重寫耐性至關(guān)重要。傳統(tǒng)的EEPROM有100萬次的重寫限制，無法滿足高速且頻繁重寫的FA領(lǐng)域需求。擁有高重寫耐性的FeRAM則能保證標(biāo)簽的長期使用。

用FeRAM解決：具有高重寫耐久性的FeRAM可保證標(biāo)簽的長期使用。FeRAM(鐵電隨機存取存儲器)因其優(yōu)異的耐重寫性，在標(biāo)簽的保修期內(nèi)能維持穩(wěn)定性能。這使得企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)長期可靠的數(shù)據(jù)存儲，減少維護和更換頻率。

*條件：每分鐘在同一地址寫入RFID數(shù)據(jù)

FA的應(yīng)用案例

05 實現(xiàn)無電池化

FeRAM具有優(yōu)異的低功耗寫入特性，因此適用于無電池設(shè)備。通過在傳統(tǒng)RFID LSI中集成驅(qū)動外部設(shè)備所需的電路，可以實現(xiàn)各種無電源、無線應(yīng)用。這能夠減少更換電池等維護工作并縮減成本。憑借這一特性，可實現(xiàn)高效且經(jīng)濟的生產(chǎn)管理，大幅提升產(chǎn)品的競爭力。

06 高輻射耐受性

FeRAM具有出色的輻射耐受性，即使在伽馬射線照射或電子束滅菌時也能保存數(shù)據(jù)。因此，內(nèi)置FeRAM的RFID可顯著提高醫(yī)療以及醫(yī)藥行業(yè)的管理效率，提高產(chǎn)品的可追溯性。憑借這一特性，RFID標(biāo)簽?zāi)軌蛟诋a(chǎn)品生產(chǎn)到廢棄的全過程提供完整的追溯管理。如此便能準(zhǔn)確追蹤產(chǎn)品歷史，提高質(zhì)量管理和安全性。

歡迎聯(lián)系加賀富儀艾電子(上海)有限公司了解內(nèi)置 FeRAM 的 RFID產(chǎn)品更多信息。

關(guān)于 RAMXEED

RAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名的半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長久制造歷史，高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識產(chǎn)權(quán)局(EUIPO)注冊，涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括集成電路、存儲器件、芯片、元件和基板。

關(guān)于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子，其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司，負責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務(wù)。

加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs)，代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，MCU和電源功率器件等，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。