意外的電源中斷也不再可怕：搭載 FeRAM 的 PLC 能夠在瞬間停電前保存數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)可靠的恢復(fù)。

PLC(可編程邏輯控制器)的作用

在汽車及電子設(shè)備的生產(chǎn)線、半導(dǎo)體制造以及金屬加工的工廠設(shè)備、電梯控制系統(tǒng)中，PLC 實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化和設(shè)備運(yùn)行的高級(jí)控制。

PLC 是一種時(shí)順控制設(shè)備，通過與 I/O 模塊集成處理來自輸入設(shè)備的信號(hào)并控制輸出。由于廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)線等場(chǎng)景，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性以及使用壽命的要求較高。此外，即使意外斷電也需確保實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制并安全重啟設(shè)備，因此 FeRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。

FeRAM的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

FeRAM 是一種具備高速寫入和高重寫耐性的存儲(chǔ)技術(shù)。因此，在PLC 中，F(xiàn)eRAM 能發(fā)揮以下優(yōu)勢(shì)：

高速數(shù)據(jù)記錄：

PLC 需要應(yīng)對(duì)系統(tǒng)電壓驟降等突發(fā)異常情況，F(xiàn)eRAM 可在系統(tǒng)完全喪失電壓之前快速記錄控制參數(shù)、I/O 狀態(tài)、運(yùn)行/停止模式等信息，由此便可安全重啟系統(tǒng)，縮短停機(jī)時(shí)間提高生產(chǎn)設(shè)備的運(yùn)行率。同時(shí)可追溯問題根源也便于 PLC 及其連接設(shè)備的維護(hù)。

高重寫耐性：

PLC 通過持續(xù)記錄控制參數(shù)、I/O 狀態(tài)、運(yùn)行/停止模式等，可記錄突發(fā)系統(tǒng)電壓驟降前發(fā)生的事件。FeRAM 的高重寫耐性實(shí)現(xiàn)持續(xù)記錄，從而確保系統(tǒng)在整個(gè)生命周期內(nèi)可靠運(yùn)行。

數(shù)據(jù)保持：

即使斷電 FeRAM 數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，因此恢復(fù)供電后即可安全重啟。

PLC有時(shí)需在高溫環(huán)境下運(yùn)作，125℃ 溫度下也可正常運(yùn)作的 FeRAM 便能發(fā)揮其特性。FeRAM 在 105℃ 的環(huán)境下可保存數(shù)據(jù) 10 年以上，即使在極端環(huán)境下也能可靠保存數(shù)據(jù)。

FeRAM搭載PVC的結(jié)構(gòu)圖

具體的采用案例

作為一家全球領(lǐng)先公司，該公司在其多種產(chǎn)品中采用了 FeRAM?？蛻羰且患夜?yīng) PLC、運(yùn)動(dòng)控制器、伺服電機(jī)、HMI 等工廠自動(dòng)化產(chǎn)品的的頭部企業(yè)，其 PLC 等多數(shù)產(chǎn)品采用了FeRAM。

客戶的 PLC 預(yù)計(jì)將在極端環(huán)境中使用，終端用戶尤其要求 PLC 在電源不穩(wěn)定的環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。當(dāng)電源電壓下降時(shí)，需要在數(shù)十毫秒的短時(shí)間內(nèi)保存大約 128KB 的運(yùn)行模式、運(yùn)行狀態(tài)等數(shù)據(jù)，并在電源恢復(fù)后無縫重啟 PLC。因此，我們對(duì)各種非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行了評(píng)估。

傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器，如 EEPROM 與 FLASH 存儲(chǔ)器，寫入速度慢，無法滿足客戶的需求。

非易失性存儲(chǔ)器寫入速度比較

因此，我們決定采用高速非易失性存儲(chǔ)器，而 FeRAM 以其出色的市場(chǎng)表現(xiàn)和性能脫穎而出，并最終被采用。

通過嵌入 FeRAM 的產(chǎn)品，客戶的最終用戶數(shù)量得以擴(kuò)大，市場(chǎng)口碑和業(yè)績(jī)得到提升。

總結(jié)

在 PLC 中，F(xiàn)eRAM 憑借其高速寫入、高重寫耐性和出色的數(shù)據(jù)保持性實(shí)現(xiàn)了高可靠性、易維護(hù)性和長(zhǎng)期使用壽命。

推薦產(chǎn)品

MS85R4M2TA : 4Mbit Parallel I/F 1.8V～3.6V -40～85℃ TSOP44

MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8V～3.6V 50MHz -40～125℃ SOP8/DFN8

MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~85℃ SOP8/DFN8

MB85RS1MT : 1Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8/DFN8

MB85RS512TY : 512Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8

MB85RS256B : 256Kbit SPI I/F 2.7~3.6V 33MHz -40~85℃ SOP8

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關(guān)于 RAMXEED

RAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名的半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長(zhǎng)久制造歷史，高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(EUIPO)注冊(cè)，涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括集成電路、存儲(chǔ)器件、芯片、元件和基板。

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加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器，繼電器，MCU和電源功率器件等，它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動(dòng)終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。