此前，2025年4月23日至5月2日，第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(huì)（Auto Shanghai 2025）在國家會(huì)展中心（上海）盛大舉行。本屆車展以“擁抱創(chuàng)新，共贏未來”為主題，匯聚了全球領(lǐng)先的汽車制造商、零部件供應(yīng)商和科技企業(yè)，共同展示電動(dòng)化、智能化、低碳化的最新成果。展會(huì)現(xiàn)場人潮涌動(dòng)，國內(nèi)外觀眾絡(luò)繹不絕，充分體現(xiàn)了市場對未來出行方式的高科技應(yīng)用和技術(shù)迭代的高度關(guān)注。

作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者，派恩杰攜最新大尺寸高良率的車規(guī)級碳化硅芯片、6并汽車電驅(qū)模塊及業(yè)界最小的第二代3.5微米元胞尺寸的平面柵結(jié)構(gòu)車規(guī)芯片重磅亮相，全面展示公司在新能源汽車領(lǐng)域功率器件產(chǎn)品的技術(shù)領(lǐng)先實(shí)力。

碳化硅芯片驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化的核心力量

為了不斷滿足人民對美好生活的向往，電動(dòng)汽車逐漸向著高電壓平臺(tái)、高功率密度、高效能轉(zhuǎn)換、高續(xù)航里程、高可靠性的方向發(fā)展。碳化硅（SiC）芯片因其高頻率、高工作溫度、高電壓的特性，成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展的關(guān)鍵器件。派恩杰專注于車規(guī)級碳化硅芯片的研發(fā)與制造，致力于為主機(jī)廠提供高質(zhì)量的產(chǎn)品解決方案，助力整車性能的提升和能耗的降低。

助力整車廠實(shí)現(xiàn)降本增效

派恩杰采用兼容嵌入式PCB的封裝方案，解決了傳統(tǒng)封裝中存在的雜散電感高、散熱效率低等問題。這種封裝技術(shù)不僅提高了功率密度，還增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，滿足了新能源汽車對高效、緊湊和可靠電力電子系統(tǒng)的需求。

通過與比亞迪的深入合作，派恩杰的碳化硅技術(shù)在以下方面為其提供了顯著的價(jià)值：

降低系統(tǒng)成本：派恩杰發(fā)布的最新6并碳化硅模塊、新一代大尺寸芯片以及小元胞設(shè)計(jì)幫助車廠減少了整車的BOM成本。

增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性：高溫、高壓、高頻的工作能力使得SiC器件在復(fù)雜工況下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行，延長了系統(tǒng)的使用壽命。

提升續(xù)航里程：更高的能效轉(zhuǎn)化率使得電動(dòng)汽車在相同電池容量下實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航，提升了整車的市場競爭力。

在展會(huì)期間，派恩杰榮幸接待了比亞迪高層領(lǐng)導(dǎo)的到訪參觀。雙方圍繞芯片技術(shù)創(chuàng)新、模塊應(yīng)用開發(fā)及未來合作機(jī)會(huì)等進(jìn)行了深入交流。比亞迪領(lǐng)導(dǎo)對派恩杰在芯片技術(shù)迭代、良率提升、系統(tǒng)級解決方案上的持續(xù)突破給予了高度肯定，為未來深化戰(zhàn)略合作奠定了更堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

“用中國芯加速可持續(xù)能源，讓每一瓦電能都發(fā)揮最大價(jià)值！”，派恩杰始終堅(jiān)持以客戶需求為導(dǎo)向，不斷推動(dòng)功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程與平臺(tái)化演進(jìn)，助力全球汽車產(chǎn)業(yè)駛向更加高效、綠色的未來。

本次上海車展不僅是派恩杰技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化階段性成效的一次集中展示，更是我們與行業(yè)伙伴共創(chuàng)未來的重要起點(diǎn)。未來，派恩杰將繼續(xù)以領(lǐng)先的技術(shù)與卓越的品質(zhì)，攜手客戶共贏新能源時(shí)代！共創(chuàng)美好未來！

關(guān)于派恩杰

中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌

專注寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)、設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)化

主營車規(guī)級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件

擁有國內(nèi)最全碳化硅功率器件目錄

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。