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圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子 ? 來源:圣邦微電子 ? 2025-05-09 16:57 ? 次閱讀
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圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。

SGMNQ36430 的主要特性包括低導通電阻和低柵極電荷。在 VGS= 10V 時,其導通電阻典型值為 2.9mΩ,最大值為 3.6mΩ,能夠有效減少功率損耗。同時,總柵極電荷僅為 22.7nC(VGS= 10V),有助于降低開關過程中的能量損失。此外,其封裝尺寸為 3.3×3.3mm2,較為緊湊,適合在有限的 PCB 空間內使用。產(chǎn)品符合 RoHS 標準且無鹵素,滿足環(huán)保要求。

在性能參數(shù)方面,SGMNQ36430 的最大漏源電壓為 30V,最大漏極電流在外殼溫度 25℃ 時可達 75A,在 100℃ 時為 47A。脈沖漏極電流最高為 160A,適用于短時高電流脈沖場景。其雪崩電流為 38A,雪崩能量為 72.2mJ,能夠在一定程度上承受反向恢復過程中的能量沖擊。SGMNQ36430 采用符合環(huán)保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 綠色封裝,工作溫度范圍為 -55℃ 至 +150℃,存儲溫度范圍相同,適應多種工作環(huán)境。

電氣特性方面,器件的漏源擊穿電壓不低于 30V,零柵極電壓時漏極電流小于等于 1μA,柵極漏電流在 ±20V 的 VGS下小于等于 100nA。柵極閾值電壓在 1.2V 至 2.2V 之間,確保穩(wěn)定的開關控制。動態(tài)特性上,輸入電容為 1028pF,輸出電容為 876pF,反向轉移電容為 57pF,這些參數(shù)決定了其在高頻開關應用中的性能表現(xiàn)。

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圖 1 SGMNQ36430 等效電路

關于圣邦微電子

圣邦微電子(北京)股份有限公司(股票代碼 300661)是一家綜合性的高性能和高可靠性模擬及混合信號處理和系統(tǒng)電源管理集成電路供應商,擁有 34 大類 5900 余款可供銷售產(chǎn)品,為工業(yè)自動化、新能源、汽車、通信、計算機、醫(yī)療設備和消費類電子等應用提供各類模擬信號調理和電源創(chuàng)新解決方案。

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原文標題:【新品發(fā)布】圣邦微電子推出 30V 單 N 溝道功率 MOSFET SGMNQ36430

文章出處:【微信號:sg-micro,微信公眾號:圣邦微電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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