UCC27311A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的兩個 N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流能力使 UCC27311A-Q1 能夠在米勒平臺過渡期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS 引腳） 可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓，從而可以保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。
*附件：ucc27311a-q1.pdf

輸入與電源電壓無關(guān)，能夠承受 -10V 和 +20V 的絕對最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns，并分別通過 LI 和 HI 輸入引腳進(jìn)行控制。片內(nèi) 120V 額定電壓自舉二極管，無需添加分立式自舉二極管。高壓閉鎖 （UVLO） 適用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器，可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動電壓低于指定閾值時強(qiáng)制輸出為低電平。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 設(shè)備溫度等級 1
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• HB 引腳上的最大電壓為 120V abs
• 3.7A 灌電流、4.5A 拉電流輸出電流
• 8V 至 17V VDD 工作范圍 （最大 20V 絕對值），帶 UVLO
• HS 引腳上的 –（28–VDD）V abs 最大負(fù)瞬態(tài)容差（<100ns 脈沖）
• –10V 至 +20V 絕對最大輸入引腳容差，與電源電壓范圍無關(guān)（TTL 兼容）
• 切換參數(shù)：
  • 20ns 典型傳播延遲時間
  • 7.2ns 上升時間，5.5ns 下降時間，1000pF 負(fù)載
  • 4ns 典型延遲匹配
• 集成自舉二極管
• 禁用時具有低電流消耗（典型值為 3μA）的啟用/禁用功能

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：UCCA-Q
• ?類型?：V, .A/.A半橋驅(qū)動器
• ?應(yīng)用?：適用于汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器、OBC、兩輪及三輪牽引驅(qū)動、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、無線充電、智能玻璃模塊等

二、主要特性

• ?驅(qū)動能力?：
  • 驅(qū)動兩個N溝道MOSFET，半橋配置
  • .A源電流，.A沉電流
• ?電壓范圍?：
  • VDD工作范圍：V至V（絕對最大V）
  • HB引腳絕對最大電壓：V
  • HS引腳負(fù)瞬態(tài)電壓耐受：-(-VDD)V（
  • 輸入引腳耐受電壓：-V至+V（獨(dú)立于供電電壓范圍）
• ?保護(hù)功能?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）
  • 使能/禁用功能，禁用時低功耗（典型μA）
  • 功能安全能力
• ?其他特性?：
  • 典型傳播延遲：ns
  • 上升/下降時間：.ns/.ns（pF負(fù)載）
  • 延遲匹配：ns（典型）
  • 集成V自舉二極管

三、電氣特性

• ?絕對最大額定值?：
  • VDD、HB、VSS、HS引腳電壓范圍
  • 輸入引腳（HI、LI、EN）電壓范圍
  • 輸出引腳（HO、LO）電壓范圍
• ?推薦工作條件?：
  • VDD電壓范圍：V至V
  • HS電壓范圍：-V至V
  • HB電壓范圍：VS+V至VS+V
• ?電氣參數(shù)?：
  • 靜態(tài)電流：VDD靜態(tài)電流、HB靜態(tài)電流等
  • 輸入閾值電壓：HI、LI輸入高/低閾值
  • 使能閾值電壓：啟用/禁用閾值
  • 輸出特性：HO、LO高/低電平輸出電壓，峰值拉/灌電流

四、保護(hù)功能

• ?UVLO保護(hù)?：監(jiān)控VDD和HB電壓，低于閾值時關(guān)斷輸出
• ?熱關(guān)斷?：內(nèi)部熱傳感器監(jiān)測結(jié)溫，超過閾值時自動關(guān)斷

五、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：VSON（DRC），引腳
• ?尺寸?：mm × mm（體尺寸）

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：半橋或同步降壓配置，驅(qū)動大功率MOSFET
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括輸入閾值類型、VDD偏置電壓、峰值源/沉電流、傳播延遲、功率耗散等

七、布局指導(dǎo)

• ?關(guān)鍵布局原則?：
  • 驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET
  • VDD和GND、HB和HS電容靠近驅(qū)動器放置
  • GND和HS節(jié)點(diǎn)處理
  • 使用寬跡線，多過孔
  • 避免輸入信號靠近高dV/dt跡線

八、文檔與支持

• ?支持資源?：TI EE支持論壇、相關(guān)文檔鏈接、貿(mào)易標(biāo)記、靜電放電警告等