TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6003-SP（額定電壓 200V）、TPS7H6013-SP（額定電壓 60V）和 TPS7H6023-SP（額定電壓 22V）。驅(qū)動器具有可調(diào)死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的驅(qū)動電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
*附件：tps7h6003-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號，用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強度 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子閂鎖 （SEL）、單粒子燃盡 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時間的分離輸出
• 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH3-SP
• ?類型?：輻射硬度保證（RHA）半橋GaN FET柵極驅(qū)動器
• ?特性?：專為高頻、高效率應(yīng)用設(shè)計，具有可調(diào)死區(qū)時間、小傳播延遲和高側(cè)/低側(cè)匹配特性

二、主要特性

• ?輻射性能?：
  • 輻射硬度保證（RHA）至總電離劑量（TID）krad(Si)
  • 對單粒子閂鎖（SEL）、單粒子燒毀（SEB）、單粒子?xùn)艠O擊穿（SEGR）免疫，線性能量轉(zhuǎn)移（LET）=MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài)（SET）和單粒子功能中斷（SEFI）特性至LET=MeV-cm2/mg
• ?電氣性能?：
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
  • 兩種操作模式：單PWM輸入模式（可調(diào)死區(qū)時間）和雙獨立輸入模式
  • 可選輸入互鎖保護（獨立輸入模式）
  • 分裂輸出，可調(diào)開通和關(guān)斷時間
  • 典型傳播延遲：0ns（獨立輸入模式）
  • 延遲匹配：5.5ns（高側(cè)到低側(cè)）

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?空間應(yīng)用?：
  • 衛(wèi)星電源供應(yīng)
  • 通信有效載荷
  • 命令與數(shù)據(jù)處理
  • 光學(xué)成像有效載荷
  • 衛(wèi)星電力系統(tǒng)

四、電氣特性

• ?供電電壓?：VIN范圍V至V
• ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?：高側(cè)和低側(cè)5V穩(wěn)壓器，確保柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定
• ?死區(qū)時間?：通過外部電阻可調(diào)，防止半橋配置中的直通
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：保護內(nèi)部穩(wěn)壓器和VIN免受低電壓影響
• ? 電源良好（PGOOD） ?：指示內(nèi)部穩(wěn)壓器和VIN的UVLO狀態(tài)

五、功能描述

• ?操作模式?：
  • ?PWM模式?：單個PWM輸入生成互補輸出信號，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • ? 獨立輸入模式（IIM） ?：兩個獨立輸入分別控制高側(cè)和低側(cè)輸出，支持輸入互鎖保護
• ?內(nèi)部開關(guān)?：用于半橋配置的自舉電容充電，減少反向恢復(fù)損失
• ?保護特性?：包括輸入欠壓鎖定、電源良好指示和可選的輸入互鎖保護

六、應(yīng)用與實現(xiàn)

• ?典型應(yīng)用?：同步降壓轉(zhuǎn)換器
• ?設(shè)計考慮?：
  • 自舉電容和旁路電容的選取
  • 柵極電阻的選取，以調(diào)節(jié)開關(guān)速度和減少振鈴
  • 布局指導(dǎo)，以最小化寄生電感和電容

七、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：引腳陶瓷扁平封裝（CFP）
• ?尺寸?：.8mm x .4mm，質(zhì)量2.2g

八、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：包括TPS7HEVM-CVAL評估模塊用戶指南、輻射效應(yīng)報告等
• ?支持資源?：TI E2E支持論壇、文檔更新通知、貿(mào)易標記信息等

該文檔詳細描述了TPSH3-SP輻射硬度保證半橋GaN FET柵極驅(qū)動器的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、功能描述、應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計考慮、封裝尺寸以及相關(guān)的文檔和支持資源。該驅(qū)動器適用于需要高頻率、高效率以及強輻射硬度的空間應(yīng)用。