近年來(lái)，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，電動(dòng)汽車(chē)的普及速度進(jìn)一步加快。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，為延長(zhǎng)車(chē)輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級(jí)加速推進(jìn)，同時(shí)，提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也日益凸顯。另一方面，市場(chǎng)還要求這些應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化和輕量化，其核心是提高功率密度，同時(shí)亟需在影響功率密度提升的散熱性能改善方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)性突破。

新品直擊

針對(duì)這些挑戰(zhàn)，羅姆于2025年4月推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車(chē))車(chē)載充電器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”)的PFC和LLC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。其通過(guò)將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中，可有效減少客戶(hù)的設(shè)計(jì)時(shí)間，而且有助于實(shí)現(xiàn)OBC等應(yīng)用中電力變換電路的小型化。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1構(gòu)建大功率電源電路拓?fù)?PFC、LLC)的理想產(chǎn)品陣容

- 內(nèi)置4枚/6枚1,200V/750V耐壓的SiC MOSFET，可構(gòu)建更簡(jiǎn)潔小巧的電源電路

- 產(chǎn)品陣容豐富，提供多種導(dǎo)通電阻(13mΩ~62mΩ)，用戶(hù)可根據(jù)需求選擇合適的產(chǎn)品

2采用導(dǎo)熱性能優(yōu)異的絕緣材料，散熱性能出色，絕緣設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便

- 與散熱性好的分立器件封裝產(chǎn)品相比，其卓越的散熱性能可有效抑制封裝發(fā)熱

3與同等小型功率模塊相比，輸出功率更高

- 采用具有高散熱性封裝和低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET，電流密度是其他公司DIP模塊的1.5倍

產(chǎn)品陣容

HSDIP20是羅姆SiC功率器件家族的新成員，作為SiC領(lǐng)域的深耕者，羅姆自2010年在全球率先實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)以來(lái)，已經(jīng)自主開(kāi)發(fā)了從SiC晶圓制造到元器件結(jié)構(gòu)、制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法等SiC元器件所需的各種技術(shù)。

另外，羅姆還提供各種形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模塊。不僅如此，為滿(mǎn)足SiC市場(chǎng)不斷擴(kuò)大的需求，羅姆于2023年開(kāi)始生產(chǎn)8英寸襯底，并計(jì)劃從2025年開(kāi)始量產(chǎn)并銷(xiāo)售相應(yīng)的元器件。

除新推出的HSDIP20，羅姆于2024年推出的2款產(chǎn)品同樣引人矚目。

新型二合一SiC封裝模塊

“TRCDRIVE pack”

TRCDRIVE pack的功率密度高，并采用ROHM自有的引腳排列方式，有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時(shí)等主要課題。

產(chǎn)品陣容

寬爬電距離封裝

SiC肖特基勢(shì)壘二極管

采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高!與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無(wú)需進(jìn)行樹(shù)脂灌封絕緣處理。

產(chǎn)品陣容

未來(lái)，ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，通過(guò)提供滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的優(yōu)質(zhì)功率元器件，為汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備的節(jié)能和效率提升貢獻(xiàn)力量。