UCC27524A-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件，能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A-Q1 器件是 UCC2752x 系列的變體。UCC27524A-Q1 器件增加了直接在輸入引腳上處理 –5V 電壓的能力，以提高穩(wěn)健性。UCC27524A-Q1 器件是一款雙通道、同相驅(qū)動器。UCC27524A-Q1 器件采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流的設(shè)計(jì)，能夠向容性負(fù)載提供高達(dá) 5A 拉電流和 5A 灌電流的高峰值電流脈沖，同時(shí)具有軌到軌驅(qū)動能力和極小的傳播延遲（通常為 17ns）。此外，驅(qū)動器在兩個(gè)通道之間具有匹配的內(nèi)部傳播延遲，非常適合需要具有關(guān)鍵時(shí)序的雙柵極驅(qū)動的應(yīng)用，例如同步整流器。這還允許并聯(lián)兩個(gè)通道以有效提高電流驅(qū)動能力，或用單個(gè)輸入信號驅(qū)動兩個(gè)并聯(lián)開關(guān)。輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低電壓邏輯，該邏輯是固定的，獨(dú)立于 VDD 電源電壓。高閾值和低閾值之間的寬滯后提供了出色的抗噪性。
*附件：ucc27524a-q1.pdf

出于保護(hù)目的，UCC27524A-Q1 器件輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻器可確保在輸入引腳處于浮動狀態(tài)時(shí)，輸出保持為低電平。UCC27524A-Q1 器件功能使引腳（ENA 和 ENB）能夠更好地控制驅(qū)動程序應(yīng)用程序的運(yùn)行。引腳在內(nèi)部上拉至 VDD 以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯，并保持開路用于標(biāo)準(zhǔn)作。

UCC27524A-Q1 器件采用 SOIC-8 （D） 和帶外露焊盤 （DGN） 的 VSSOP-PowerPAD-8 封裝。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 設(shè)備溫度等級 1
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳輸出
• 兩個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動通道
• 5A 峰值拉電流和灌電流驅(qū)動電流
• 每個(gè)輸出的獨(dú)立啟用功能
• TTL 和 CMOS 兼容邏輯閾值，與電源電壓無關(guān)
• 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
• 能夠處理輸入端的負(fù)電壓 （–5V）
• 輸入和使能引腳電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
• 4.5V 至 18V 單電源范圍
• 在 VDD-UVLO 期間，輸出保持低電平（確保在上電和斷電時(shí)無毛刺運(yùn)行）
• 快速傳播延遲（典型值為 17ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（典型值為 6ns 和 10ns）
• 2 通道之間的 1ns 典型延遲匹配
• 能夠并聯(lián)兩個(gè)輸出以實(shí)現(xiàn)高驅(qū)動電流
• 當(dāng)輸入懸空時(shí)，輸出保持低電平
• SOIC-8 和 VSSOP-8 PowerPad? 封裝選項(xiàng)
• 工作溫度范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號?：UCCA-Q
• ?類型?：雙通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器
• ?特點(diǎn)?：
  • AEC-Q0認(rèn)證，適用于汽車應(yīng)用
  • 雙獨(dú)立柵極驅(qū)動通道
  • A峰值源和漏驅(qū)動電流
  • TTL和CMOS兼容邏輯閾值，獨(dú)立于電源電壓
  • 高噪聲免疫力的滯回邏輯閾值
  • 輸入端能承受負(fù)電壓（-5V）
  • 輸入和使能引腳電壓水平不受VDD引腳偏置電壓限制
  • .V至V單電源供電范圍
  • VDD欠壓鎖定（UVLO）時(shí)輸出保持低電平
  • 快速傳播延遲（典型值ns）
  • 快速上升和下降時(shí)間（典型值分別為ns和ns）
  • 兩通道之間ns的典型延遲匹配
  • 能夠并聯(lián)輸出以實(shí)現(xiàn)高驅(qū)動電流
  • 輸入浮空時(shí)輸出保持低電平
  • SOIC-和VSSOP-8 PowerPad?封裝選項(xiàng)
  • 工作溫度范圍：-°C至°C

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車
• 開關(guān)電源
• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 電機(jī)控制、太陽能電源
• 新興寬禁帶功率器件（如GaN）的柵極驅(qū)動

3. 電氣特性

• ?VDD欠壓鎖定?：
  • VON（供電啟動閾值）：.V至4.4V
  • VOFF（供電停止閾值）：.V至4.1V
  • VDD滯回電壓：.V
• ?輸入特性?：
  • VIN_H（輸入高閾值）：1.8V至.V
  • VIN_L（輸入低閾值）：0.8V至.V
  • 輸入滯回：1V
• ?使能特性?：
  • VEN_H（使能高閾值）：.V至2.3V
  • VEN_L（使能低閾值）：.V至1.2V
  • 使能滯回：V
• ?輸出特性?：
  • ISRC（源峰值電流）：A
  • ISNK（漏峰值電流）：A
  • VOH（輸出高電平電壓）：接近VDD
  • VOL（輸出低電平電壓）：接近GND
  • ROH（輸出上拉電阻）：5.Ω至8.5Ω
  • ROL（輸出下拉電阻）：0.6Ω至.Ω

4. 功能模式

• ?獨(dú)立使能功能?：每個(gè)輸出通道都有獨(dú)立的使能引腳（ENA和ENB），允許獨(dú)立控制每個(gè)通道的操作。
• ?輸入浮空保護(hù)?：當(dāng)輸入引腳浮空時(shí)，輸出保持低電平。
• ?UVLO保護(hù)?：當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，輸出被鎖定在低電平。

5. 布局指南

• 將驅(qū)動器盡可能靠近功率器件放置，以最小化高電流跡線的長度。
• 將VDD旁路電容器放置在盡可能靠近驅(qū)動器的地方，以改善噪聲濾波。
• 最小化開關(guān)電流環(huán)路路徑，以減少寄生電感。
• 使用星點(diǎn)接地來最小化噪聲耦合。
• 使用地平面提供噪聲屏蔽，并確保地平面不作為任何電流環(huán)路的傳導(dǎo)路徑。

6. 熱考慮因素

• 提供了不同封裝選項(xiàng)的熱阻等熱度量標(biāo)準(zhǔn)，以幫助設(shè)計(jì)師評估散熱性能。
• HVSSOP-（DGN）封裝提供了一個(gè)暴露的熱墊，可以通過PCB上的銅直接散熱，從而顯著提高熱性能。

7. 電源耗散

• 電源耗散包括靜態(tài)功耗和開關(guān)功耗兩部分。
• 靜態(tài)功耗非常低（小于mA），開關(guān)功耗取決于柵極電荷、開關(guān)頻率和外部柵極電阻的使用。