電動汽車領域的發(fā)展日新月異：電動動力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續(xù)航里程。車載充電器(OBC)作為這一發(fā)展的核心部件，必須在保持高效率的同時實現(xiàn)最小化的重量與體積。這一技術挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內。

OBC用于交流充電，需接入電網單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至22kW。當前市場以中等功率(11kW)OBC作為成本與效率的平衡點，22kW方案主要應用于高端市場。值得注意的是，所有OBC都必須兼容單相充電模式以適應低功率場景。此外，支持雙向充放電的OBC正成為趨勢，以實現(xiàn)車對電網(V2G)和車對車(V2V)充電功能。

傳統(tǒng)OBC設計采用市場標準分立器件(THD或SMD封裝)。對于SMD元件，熱量需通過PCB或逐個封裝添加導熱界面材料傳導至散熱器，這種方案在追求更高功率密度和系統(tǒng)緊湊性時已接近極限。而功率模塊為新一代產品帶來了顯著優(yōu)勢。

架構與拓撲

OBC主要存在兩種架構(圖1)：模塊化架構基于三個相同的單相模塊，集中式架構則采用兼容單相工作的三相AC/DC變換器。兩種架構均可實現(xiàn)單向或雙向拓撲。

模塊化架構需要更多元件，導致直流母線在儲能容量、體積及成本方面要求更高，同時還需額外配置柵極驅動器和電壓/電流傳感。相比之下，集中式架構因元件數(shù)量更少而更具成本效益，是高功率密度OBC的首選方案。

提升效率與功率密度的SiC模塊

憑借卓越特性，SiC成為OBC功率半導體的理想材料。羅姆第四代溝槽結構SiC MOSFET具有極低導通電阻，其超低米勒電容可實現(xiàn)快速開關，有效降低開關損耗。這些特性共同減少了整體損耗，從而緩解散熱壓力。

羅姆最新推出的HSDIP20模塊擴展了EcoSiC產品線，專為OBC應用優(yōu)化。該模塊集成四或六個SiC MOSFET構成全橋電路，相比同技術分立器件具有多重優(yōu)勢：采用氮化鋁(AlN)陶瓷隔離冷卻板與MOSFET漏極，實現(xiàn)極低的結殼熱阻(Rth)，無需額外導熱絕緣材料;模塑材料使模塊內芯片間電氣隔離，允許更緊密的芯片排布(無需考慮PCB爬電距離)，有效縮小PCB占用面積并提升功率密度。

降低開發(fā)風險與工作量

除技術優(yōu)勢外，模塊內置絕緣設計簡化了開發(fā)流程：電氣絕緣功能由模塊內部完成，而分立方案需外部處理。羅姆出廠前已完成模塊測試，OBC開發(fā)階段無需額外絕緣測試，顯著縮短研發(fā)周期和成本，同時降低絕緣故障風險。

HSDIP20模塊還繼承了第四代SiC MOSFET的附加優(yōu)勢：0V關斷電壓簡化了PCB布局設計。如圖2所示，在800V直流母線電壓下，模塊中第四代SiC MOSFET在不同溫度下均表現(xiàn)出低開關損耗。

模塊化設計還具有出色擴展性：羅姆提供多種導通電阻和拓撲結構的模塊以適應不同功率OBC，包括4合1與6合1拓撲各六款模塊。另有一款六封裝"混合"模塊，通過組合不同導通電阻的MOSFET為圖騰柱PFC電路提供低成本解決方案，輕松實現(xiàn)單/三相兼容。所有模塊采用統(tǒng)一封裝，便于系統(tǒng)擴展，且均通過AQG324認證。

熱性能與開關特性分析

通過仿真與實測驗證HSDIP模塊優(yōu)勢：采用36m?/1200V SiC MOSFET的六封裝模塊在液冷板(單芯片損耗25-35W、環(huán)境/水溫60℃、20um厚度/4.1W/mK導熱系數(shù)的TIM材料)下的仿真顯示(圖3)，優(yōu)化內部結構使每芯片保持極低熱阻，最高結溫遠低于SiC MOSFET 175℃限值，為高功率OBC需求留出充足余量。

在模擬OBC AC/DC階段的測試板上，36mW/1200V SiC MOSFET六合一模塊的開關損耗測試結果(圖2)同樣適用于雙向DC/AC場景?；谠摂?shù)據(jù)對11kW系統(tǒng)雙向AC/DC階段進行仿真(圖4)，預測采用強制風冷散熱器時，基于第四代SiC MOSFET(36m?/1200V)的六合一模塊在48kHz開關頻率下效率可達99%(僅考慮半導體損耗)。

結論

由四或六個SiC MOSFET集成的模塊相比分立器件，在電動/混動汽車車載充電器中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。更高功率密度使OBC體積重量得以縮減，同時降低設計復雜度。羅姆HSDIP20模塊集成最新EcoSiC MOSFET，仿真顯示其在雙向OBC的AC/DC階段具有優(yōu)異熱特性和99%的效率表現(xiàn)。