概述
ADuM7702 是一款高性能二階Σ-Δ 調(diào)制器,具有基于 ADI 公司iCoupler^?^ 技術(shù)的片內(nèi)數(shù)字隔離功能,可將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速、一位數(shù)據(jù)流。該套件由 4.5 V 至 5.5 V 電源 (V DD1 ) 供電,可接受 ±50 mV(±64 mV 滿量程)的偽差分輸入信號(hào)。偽差分輸入適合在需要電氣隔離的高電壓應(yīng)用中進(jìn)行并聯(lián)電壓監(jiān)控。
模擬輸入由高性能模擬調(diào)制器持續(xù)采樣,并轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)速率高達(dá) 21 MHz 的 1 密度數(shù)字輸出流。可以使用適當(dāng)?shù)?sinc3 數(shù)字濾波器重構(gòu)原始信息,以便在 78.1 kSPS 時(shí)以 256 抽取率和 20 MHz 主時(shí)鐘實(shí)現(xiàn) 86 dB 的信噪比 (SNR)。串行輸入和輸出使用 5 V 或 3 V 電源 (V DD2 ) 運(yùn)行。
串行接口采用數(shù)字隔離。高速互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)與整體式變壓器技術(shù)相結(jié)合,使得片內(nèi)隔離能夠提供比光耦合器套件等替代方案更出色的性能特點(diǎn)。ADuM7702 采用 16 引腳 SOIC_W 和 8 引腳 SOIC_IC 封裝,工作溫度范圍為 ?40°C 至 +125°C。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADUM7702 16位隔離型Σ-Δ調(diào)制器技術(shù)手冊.pdf
應(yīng)用
特性
- 5 MHz 至 21 MHz 主時(shí)鐘輸入頻率
- 失調(diào)漂移與溫度:±0.25 μV/°C
- SNR:82 dB(典型值)
- 16 位,無失碼
- 滿量程模擬輸入電壓范圍:±64 mV
- ENOB:13 位(典型值)
- I
DD1:10 mA(最大值) - 板載數(shù)字隔離器
- 工作溫度范圍:?40°C 至 +125°C
- 高隔離型共模瞬變抗擾度:150 kV/μs(最小值),V
DD2= 3.3 V - 寬體 SOIC
- 16 引腳 SOIC_W
- 8 引腳 SOIC_IC,爬電距離更長
- 安全和監(jiān)管審批
- CSA 元件驗(yàn)收通知 5A
- VDE 合規(guī)證書
- DIN V VDE V 0884-10:VIORM = 1270 V
PEAK - DIN V VDE V 0884-11:VIORM = 1060 V
PEAK(待定)
- DIN V VDE V 0884-10:VIORM = 1270 V
框圖
引腳配置描述

典型性能特征
電路信息
ADuM7702隔離式Σ - Δ調(diào)制器可將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速(最高21MHz)單比特?cái)?shù)據(jù)流。調(diào)制器輸出的時(shí)間平均單比特?cái)?shù)據(jù)與輸入信號(hào)直接成比例。圖25展示了ADuM7702的典型應(yīng)用電路,該電路在模擬輸入、電流檢測電阻或分流器與數(shù)字輸出之間提供隔離,數(shù)字輸出隨后由數(shù)字濾波器處理,以生成N位字。
模擬輸入
ADuM7702的偽差分模擬輸入由開關(guān)電容電路實(shí)現(xiàn)。該電路采用二階調(diào)制器級,將輸入信號(hào)數(shù)字化為單比特輸出流。采樣時(shí)鐘(MCLKIN)為轉(zhuǎn)換過程以及輸出數(shù)據(jù)幀提供時(shí)鐘,此時(shí)鐘源由ADuM7702外部提供。模擬輸入信號(hào)由調(diào)制器持續(xù)采樣,并與內(nèi)部電壓基準(zhǔn)進(jìn)行比較。隨時(shí)間準(zhǔn)確表示模擬輸入的數(shù)字流會(huì)出現(xiàn)在轉(zhuǎn)換器輸出端(見圖26)。
0V的差分信號(hào)在MDAT輸出引腳理論上會(huì)產(chǎn)生1和0交替的數(shù)據(jù)流,此輸出50%的時(shí)間為高電平,50%的時(shí)間為低電平。50mV的差分輸入產(chǎn)生的1和0數(shù)據(jù)流中,1占89.06%的時(shí)間。-50mV的差分輸入產(chǎn)生的1和0數(shù)據(jù)流中,1占10.94%的時(shí)間。
64mV的差分輸入理論上產(chǎn)生全為1的數(shù)據(jù)流,-64mV的差分輸入理論上產(chǎn)生全為0的數(shù)據(jù)流。ADuM7702的絕對滿量程范圍為±64mV,規(guī)定的滿量程性能范圍為±50mV,如下表所示:

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