在存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)格局中，除了FRAM，不得不提的另外兩個(gè)產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡(jiǎn)略地講，F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存，還可替代NOR Flash。

今天，小編就為大家講講身懷絕技的 ReRAM 和 NRAM。

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小型化是趨勢(shì)，論ReRAM的進(jìn)化路線

ReRAM：可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，通過(guò)向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來(lái)存儲(chǔ)“0”和“1”。

其結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡(jiǎn)化了制造工藝，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)低功耗和高速重寫(xiě)等卓越性能。此存儲(chǔ)器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設(shè)備和助聽(tīng)器。

富士通的 ReRAM產(chǎn)品易于寫(xiě)入操作，在寫(xiě)入操作之前，不需要擦除操作，并且擁有豐富的中密度存儲(chǔ)線，涵蓋4Mbit、8Mbit、32Mbit。同時(shí)，5MHz 的讀出操作最大電流僅為0.5mA，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于同樣條件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴設(shè)備和小型醫(yī)療設(shè)備一直是 ReRAM 的主要市場(chǎng)，為了使用可穿戴和醫(yī)療設(shè)備小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的產(chǎn)品也將向小型化方向發(fā)展。

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速度比普通內(nèi)存快1000倍，富士通押寶NRAM

BCC Research預(yù)計(jì)，全球NRAM市場(chǎng)將從2018年到2023年實(shí)現(xiàn)62.5%的復(fù)合年成長(zhǎng)率(CAGR)，其中嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2018年達(dá)到470萬(wàn)美元，到了2023年將成長(zhǎng)至2.176億美元，CAGR高達(dá)115.3% 。

作為一個(gè)比較“新”的產(chǎn)品，NRAM之所以能很快引起市場(chǎng)的注意，與NRAM獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)分不開(kāi)——NRAM讀寫(xiě)的速度比較快，讀寫(xiě)耐久性比NOR Flash高于1000倍。具有高可靠性，一般80度可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)達(dá)到1000年，300度時(shí)可達(dá)10年。同時(shí)還具有低功耗的特點(diǎn)。

目前，富士通與 Nantero達(dá)成協(xié)議，使用三重富士通的 300mm 晶圓，共同開(kāi)發(fā) 55nm CMOS 技術(shù)的 NRAM。

高性能的 NRAM 在眾多應(yīng)用領(lǐng)域擁有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：

可應(yīng)用于任何系統(tǒng)：NRAM 不但是非易失性存儲(chǔ)器，又具有與 DRAM 同等的高速操作。

可實(shí)現(xiàn) instant on（即開(kāi)即用）功能，降低功耗的同時(shí)提高了系統(tǒng)的性能。

適應(yīng)于高溫環(huán)境動(dòng)作的逐漸增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

最后一張圖了解富士通 NRAM的目標(biāo)應(yīng)用~