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高度集成,基于RISC-V AI CPU芯片K1的PsP封裝CoM產(chǎn)品發(fā)布

進迭時空 ? 2025-06-06 16:55 ? 次閱讀
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進迭時空推出首款PsP(Package-side-Package)封裝CoM(Computer-on-Module)產(chǎn)品B1,集成RISC-V AI CPU芯片K1、LPDDR4x芯片和無源器件,重布線DDR接口信號,重排布信號電源ball。通過進一步優(yōu)化硬件解決方案,可以協(xié)助解決客戶設計DDR模板的困難,縮短客戶產(chǎn)品開發(fā)周期,助力RISC-V生態(tài)建設。


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B1產(chǎn)品結構


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(a)頂視圖



104aec52-42b4-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg

(b)剖視圖



B1產(chǎn)品規(guī)格


CPU:RISC-V AI CPU芯片K1

AI:CPU融合2.0Tops

DDR:4GB/8GB/16GB容量;2666MT/s數(shù)據(jù)率

接口:豐富接口組合,滿足多樣連接需求

視頻類:

MIPI-DSI 4lane;HDMI 1.4;MIPI-CSI 4+4(2+2)lane

存儲類:

2*SDIO3.0;MMC5.1;QSPI

控制類:

4*SPI;4*I2S;10*I2C;2*CANFD;30*PWM;12*UART

高速類:

2*USB2.0;1*USB3.0 combo PCIe2.1 x1;2*PCIe2.1 x2;2*GMAC

封裝:

類型:PsP-BGA Package

引腳數(shù):568-pin

尺寸:23mm×33mm×2.4mm

間距:1mm pitch

焊球尺寸:0.6mm



B1產(chǎn)品優(yōu)勢


更優(yōu)的SIPI性能


重布線DDR接口信號,B1縮短了DDR芯片與K1芯片的物理距離,信號傳輸路徑減小約50%。


重排布信號ball,所有信號均能在Top層扇出,差分信號支持包地。


CORE電源和DDR電源ball數(shù)量,相比K1翻倍;支持底板Bottom層添加0603大電容。



更短的開發(fā)周期


DDR模板layout和SIPI仿真,一般不少于15天。B1不需要再進行DDR模板layout和SIPI仿真,可以節(jié)省至少15天的開發(fā)時間。


B1支持4層通孔底板設計,相比K1,量產(chǎn)制板時間可省約3天。


B1精簡電源數(shù)量為15路,相比K1減少約50%,只需2層就能完成所有信號電源的扇出,顯著降低了layout難度,縮短了layout時間。



更少的開發(fā)問題


B1集成確定型號的LPDDR4x芯片,經(jīng)過嚴格的穩(wěn)定性和可靠性測試,提前解決了DDR模板問題,客戶開發(fā)和量產(chǎn)中將不會為DDR問題而困擾。



更低的量產(chǎn)成本


隨著B1生產(chǎn)量上升,相比客戶單獨采購,有機會獲取更優(yōu)惠的LPDDR4x芯片價格,為客戶爭取到量產(chǎn)成本降低的實際收益。


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