Analog Devices ADGM1121 0Hz/直流至18GHz DPDT MEMS開(kāi)關(guān)IC是寬帶、雙刀雙擲 (DPDT) 開(kāi)關(guān)，采用Analog Devices的微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 開(kāi)關(guān)技術(shù)制造而成。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)小尺寸、寬射頻帶寬、高線性度和低插入損耗開(kāi)關(guān)，工作頻率低至0Hz/直流。Analog Devices ADGM1121 MEMS開(kāi)關(guān)IC采用24引腳、5mm x 4mm x 1mm焊盤(pán)柵格陣列 (LGA) 封裝。得益于以上特性，ADGM1121非常適合用于各種射頻和精密設(shè)備開(kāi)關(guān)需求。集成驅(qū)動(dòng)器芯片產(chǎn)生高電壓以靜電驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)，然后可通過(guò)并行接口和串行外設(shè)接口 (SPI) 進(jìn)行控制。所有開(kāi)關(guān)均可獨(dú)立控制。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Analog Devices Inc. ADGM1121 0Hz，直流至18GHz DPDT MEMS開(kāi)關(guān)IC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 頻率范圍：直流至18GHz
• 高比特率能力：高達(dá)64Gbps
• 插入損耗低
  • 0.5 dB（8 GHz時(shí)典型值）
  • 1.0 dB（16 GHz時(shí)典型值）
• 73dBm（典型值）的高三階互調(diào)截點(diǎn) (IIP3) 輸入
• 較高的射頻功率處理能力：33dBm（最大值）
• 導(dǎo)通電阻：1.9?（典型值）
• 高直流電流處理能力：200mA
• 高開(kāi)關(guān)周期數(shù)：10000萬(wàn)次（最小值）
• 快速開(kāi)關(guān)時(shí)間：200μs（典型值）
• 集成3.3V驅(qū)動(dòng)器，可通過(guò)并行接口和SPI進(jìn)行簡(jiǎn)單控制
• 節(jié)省空間的集成無(wú)源器件，包括去耦和分流電阻器
• 小型5mm × 4mm × 1mm、24引腳塑料封裝
• 溫度范圍：-40 °C至+85 °C

應(yīng)用

• ATE負(fù)載和探針板
• 帶高速環(huán)回測(cè)試的直流
• 高速SerDes、PICe Gen4/5、USB4和PAM4
• 繼電器替代方案
• 可重新配置濾波器/衰減器
• 軍用和微波無(wú)線電
• 5G毫米波蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施

功能框圖