概述
ADGM1121 是一款寬帶雙刀雙擲 (DPDT) 開關(guān)，使用 ADI 公司的微機電系統(tǒng) (MEMS) 開關(guān)技術(shù)制造。該技術(shù)可實現(xiàn)小尺寸、寬射頻帶寬、高線性和低插入損耗開關(guān)，工作頻率低至 0 Hz/DC，使其成為滿足各種射頻和精密設(shè)備開關(guān)需求的理想解決方案。

集成驅(qū)動器芯片會產(chǎn)生高電壓，從而以靜電方式驅(qū)動可以由并行接口和串行外設(shè)接口 (SPI) 控制的開關(guān)。所有開關(guān)都是獨立可控的。

該套件采用 24 引腳、5 mm × 4 mm × 1 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝。為確保 ADGM1121 以最佳方式工作，請參見數(shù)據(jù)手冊中的“關(guān)鍵運行要求”部分。

ADGM1121 的導(dǎo)通電阻 (R ON ) 性能受零件間差異、通道間差異、周期驅(qū)動、導(dǎo)通后建立時間、偏置電壓和溫度變化的影響。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADGM1121 0 Hz DC 至 18 GHz，DPDT MEMS開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• ATE 負載和探針板
• 具有高速環(huán)回測試功能的直流
• 高速 SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
• 繼電器替代方案
• 可重新配置濾波器/衰減器
• 軍用和微波無線電
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G mm 波

特性

• 頻率范圍為直流至 18 GHz
• 高達 64 Gbps 的高比特率能力
• 低插入損耗：
• 8 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
• 16 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
• 高輸入 IIP3：73 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力：33 dBm（最大值）
• 導(dǎo)通電阻：1.9 Ω（典型值）
• 高直流電流處理能力：200 mA
• 高開關(guān)周期數(shù)：1 億次循環(huán)（最少值）
• 快速開關(guān)時間：200 μs TON（典型值）
• 集成 3.3 V 驅(qū)動器，可通過并行接口和 SPI 進行簡單控制
• 緊湊型集成無源元件，包括去耦和分流電阻器
• 小 5 mm × 4 mm × 1 mm，24 引腳塑料封裝
• 溫度范圍：?40°C 至 +85°C

框圖

時序特征

引腳配置描述

典型性能特征

工作原理

開關(guān)設(shè)計

ADGM1121是一款寬帶雙刀雙擲（DPDT）開關(guān)，采用亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）的微機電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)技術(shù)制造。這種技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高性能、低功耗、低失真的千兆赫茲級開關(guān)，滿足嚴苛的射頻（RF）應(yīng)用需求。

MEMS技術(shù)的一個關(guān)鍵優(yōu)勢在于，它能同時實現(xiàn)高頻性能與出色的直流精度，在高達6GHz的頻率下展現(xiàn)卓越表現(xiàn)，同時具備優(yōu)異的可靠性和極小的表面貼裝封裝尺寸，使MEMS開關(guān)成為射頻及精密信號儀器應(yīng)用的理想之選。

并行數(shù)字接口

ADGM1121可通過并行接口進行控制。標準互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）低壓晶體管 - 晶體管邏輯（LVTTL）信號通過該接口控制ADGM1121所有開關(guān)通道的獨立開啟/關(guān)閉。

設(shè)置引腳6（PIN/SPI）置低可啟用并行控制接口。引腳1、2、3和4（IN1、IN2、IN3和IN4）控制ADGM1121的開關(guān)功能。當向這些引腳中的一個施加邏輯1時，相應(yīng)的開關(guān)開啟。反之，施加邏輯0時，開關(guān)關(guān)閉。真值表見表7。

當引腳23（V DD ）未施加電源電壓時，所有開關(guān)均處于不確定狀態(tài)。