納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產(chǎn)品是對納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級與補充。新一代CSP MOS進一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)，顯著提升了電氣與極限能力。以首發(fā)產(chǎn)品NPM12017A為例，典型阻值相比上一代降低了26%，溫升降低近30%，極限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%，達到國際領(lǐng)先水準。同時，憑借12寸特色專利工藝，NPM12017A在極具性價比的同時，還能提供充足的產(chǎn)能保障。

該系列延續(xù)了上一代NPM12023A的產(chǎn)品極限能力和優(yōu)異的封裝機械強度，解決了傳統(tǒng)CSP封裝芯片機械強度低、雪崩能量小、生產(chǎn)組裝加工困難等問題。為手機、平板以及智能穿戴等便攜式鋰電管理應(yīng)用提供更安全、可靠的解決方案，助力客戶簡化設(shè)計。

（納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢，來源：納芯微）

卓越性能，助力鋰電保護實現(xiàn)大功率、小型化需求

隨著智能手機、平板電腦等便攜式設(shè)備的快充功率從3-5W躍升至100W以上，廠商和客戶對鋰電池快速充電功率/電流的需求持續(xù)提升，相應(yīng)要求采用超低阻值的MOSFET產(chǎn)品以降低鋰電池充放電路徑的功耗，進而提升電池系統(tǒng)性能。

全新一代CSP封裝NPM12017A基于上一代自有知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新芯片結(jié)構(gòu)上，進一步優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)相同封裝下內(nèi)阻降低26%，溫升下降近30%，在降低功耗的同時有效降低了系統(tǒng)溫升和發(fā)熱量，性能領(lǐng)先業(yè)內(nèi)水平。同時，其短路能力提升40%（短路電流達400A），雪崩能力提升67%（達50A），兼顧超低阻抗與優(yōu)異極限電氣特性，為鋰電設(shè)備提供更全面可靠的保護。

（NPM12017A核心參數(shù)特點，來源：納芯微）

（來源：納芯微）

此外，NPM12017A克服傳統(tǒng)CSP封裝在機械強度與雪崩能量方面的不足，耐受超60N機械壓力，有效防止芯片在生產(chǎn)組裝中的翹曲與裂片等問題，顯著提升產(chǎn)品可靠性與安全性。

領(lǐng)先設(shè)計，突破傳統(tǒng)封裝的工藝限制

便攜式鋰電設(shè)備向小型化、輕薄化發(fā)展，對系統(tǒng)尤其是MOSFET的體積提出更高要求。在傳統(tǒng)晶圓級CSP封裝雙N溝道MOS產(chǎn)品中，硅基材的電阻在電池管理應(yīng)用中的總電阻占比較大。為降低襯底電阻，一般會采用芯片減薄工藝，但這會顯著削弱產(chǎn)品的機械強度，造成芯片在生產(chǎn)組裝過程中翹曲、變形，甚至產(chǎn)生裂紋，從而導(dǎo)致應(yīng)用端不良等問題。針對機械強度不足的問題，部分解決方案會采用其他材料加厚的方式來增加機械強度，但這會帶來成本的增加以及不同材質(zhì)的兼容性風(fēng)險。

納芯微全新CSP封裝系列在設(shè)計之初即針對這一問題進行了優(yōu)化。通過調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電流平行于芯片表面，縮短電流路徑，從而降低導(dǎo)通電阻，從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機械強度問題，在兼顧輕薄化、小型化的基礎(chǔ)上，最大程度減少芯片使用過程中的變形、裂片等問題，確保產(chǎn)品的可靠性與安全性。

（納芯微CSP封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)CSP封裝結(jié)構(gòu)對比，來源：納芯微）

簡化系統(tǒng)設(shè)計，加速客戶產(chǎn)品上市

納芯微全新CSP封裝MOSFET不僅在性能上實現(xiàn)突破，還在設(shè)計上進行了優(yōu)化。其共漏極雙N溝道結(jié)構(gòu)簡化了電路設(shè)計，可直接Pin to Pin替代上一代產(chǎn)品NPM12023A，即可實現(xiàn)性能升級，有效縮短開發(fā)周期，助力客戶更快地將高性能產(chǎn)品推向市場。

（NPM12017A選型表，來源：納芯微）

目前，該平臺的更多產(chǎn)品規(guī)格正在穩(wěn)步開發(fā)中，未來，納芯微將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出更多元化的產(chǎn)品，歡迎垂詢！

審核編輯 黃宇