光刻膠介紹

光刻膠是芯片制造過程中的關(guān)鍵材料，芯片制造要根據(jù)具體的版圖（物理設(shè)計，layout）設(shè)計出掩模板，然后通過光刻（光線通過掩模板，利用光刻膠對裸片襯底等產(chǎn)生影響）形成一層層的結(jié)構(gòu)，最后形成3D立體電路結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生Die（裸片）。工藝的發(fā)展，***的發(fā)展，材料學(xué)的同步發(fā)展才能促進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品類較多，根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠做涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分為三種類型。

1）光聚合型，采用烯類單體，負(fù)性膠；

2）光分解型，疊氮醌類化合物，正性膠

3）光交聯(lián)型，聚乙烯醇硅酸酯，負(fù)性膠；

不同的材料性質(zhì)不同，涉及到的參數(shù)也有所不同，實際應(yīng)用中也會有所不同。相關(guān)參數(shù)主要包括以下幾種：

1）分辨率，用關(guān)鍵尺寸（摩爾定律）來衡量分辨率；

2）對比度，光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過度的陡度，會對芯片制造良率產(chǎn)生影響；

3）粘滯性粘度，衡量光刻膠流動特性的參數(shù)；

4）敏感度，產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（最小曝光量）；

5）粘附性，粘附于襯底的強(qiáng)度；

6)抗蝕性，光刻膠要保持粘附在襯底上并在后續(xù)刻蝕工序中保護(hù)襯底表面；

這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。

此次的突破有幾個特點(diǎn)：1）并非是國內(nèi)技術(shù)人員單獨(dú)實現(xiàn)的；2）周期較長，一直以來是通過自身研究和國外合作的方式；3）實現(xiàn)的突破是別人早就有的東西，雖然是突破，但仍然是在追趕。

可以看出國內(nèi)芯片事業(yè)一直是屬于受限的狀態(tài)，國內(nèi)其他芯片制造相關(guān)公司也都是受制于類似的原因：

1）生產(chǎn)設(shè)備落后，由于資本投入有限，雖然國內(nèi)很早以前就開始著力于芯片事業(yè)的發(fā)展，但是資本投入直至近幾年才有較大突破；

2）不掌握核心技術(shù)，一方面是從業(yè)人員不夠多有關(guān)，另一方面還是與資本投入有關(guān)，互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展一方面促進(jìn)了國內(nèi)經(jīng)濟(jì)和社會的發(fā)展，另一方面對于電子以及芯片行業(yè)產(chǎn)生競爭效應(yīng)，人才被互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)吸引的較多；

3）國內(nèi)的VC和PE等機(jī)構(gòu)發(fā)展較國外有較大差距，芯片發(fā)展主要依賴于國家支持；民間資本一直以來的浮躁特點(diǎn)：低風(fēng)險、短投資促使資本對IC相關(guān)投資力度較弱。

隨著國內(nèi)芯片市場的發(fā)展，對外芯片的采購量日益增大，超過石油市場；“棱鏡門”事件；3G、4G的發(fā)展，高通壟斷被判罰等事件，國家對芯片行業(yè)的重視和投入也日漸增多。

材料新突破

圣泉集團(tuán)是一家新三板企業(yè)，主要做做材料方面的研究。圣泉集團(tuán)的電子酚醛樹脂主要包括以下幾種材料：線性苯酚甲醛樹脂、液體酚醛樹脂、線性雙酚A甲醛樹脂、線性鄰甲酚甲醛樹脂、XYLOK酚醛樹脂、光刻膠用線性酚醛樹脂、DCPDN酚醛樹脂、含氮酚醛樹脂，其中線性酚醛樹脂是屬于正性光刻膠。

正性光刻膠的分辨率一般較負(fù)性光刻膠略差，對比度也略差，一般應(yīng)用的特征尺寸不會很小，也就是說此次的突破性進(jìn)展只是芯片制造行業(yè)的一小步，也只能說是突破，對于國內(nèi)芯片的發(fā)展來說當(dāng)然也很關(guān)鍵了，但是對于芯片制造實現(xiàn)國際領(lǐng)先水平還有較大差距。

雖然美國對我們國家的芯片事業(yè)一直在進(jìn)行技術(shù)封鎖，但是通過與非美國外技術(shù)先進(jìn)的公司進(jìn)行合作，或者資本注入的方式對國外公司進(jìn)行控制來實現(xiàn)國內(nèi)的技術(shù)突破都是加快國產(chǎn)芯片進(jìn)程的不錯的方法。

國內(nèi)“制芯”技術(shù)較日美韓和***等差距較大，雖然目前國內(nèi)的芯片發(fā)展已經(jīng)有了較多燃料（資本投入），技術(shù)上也有了一些突破，但是芯片事業(yè)的發(fā)展仍然任重而道遠(yuǎn)。