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650V CoolMOS 8超結(jié) (SJ)

MOSFET

英飛凌推出全新650V CoolMOS 8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJ MOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動(dòng)汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護(hù)。我們的650V CoolMOS 8 SJ MOSFET集成了快速體二極管，使其適用于各種高功率應(yīng)用場(chǎng)景，是CoolMOS 7 MOSFET（包括C7和CFD7系列）的升級(jí)換代的最佳選擇。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IPDQ65R008CM8

■IPDQ65R018CM8

■IPT65R018CM8

■IPT65R025CM8

■IPT65R040CM8

■IPW65R018CM8

■IPW65R025CM8

■IPW65R040CM8

■IPW65R060CM8

■IPZA65R018CM8

■IPZA65R025CM8

■IPZA65R040CM

產(chǎn)品特點(diǎn)

業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)*A

集成快速體二極管

出色的換向耐用性

先進(jìn)的互連技術(shù)

完整產(chǎn)品組合含8mΩ BiC

頂部散熱封裝設(shè)計(jì)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)*A

Qrr反向恢復(fù)電荷性能顯著提升

trr反向恢復(fù)時(shí)間較同類產(chǎn)品縮短35%

采用QDPAK等頂部散熱封裝技術(shù)

卓越的品質(zhì)

增強(qiáng)型寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體解決方案

QDPAK封裝8mΩ系列產(chǎn)品

應(yīng)用價(jià)值

低振鈴特性

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮短開發(fā)周期

產(chǎn)品線清晰完善

系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新

應(yīng)用領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心

電信設(shè)備

超固態(tài)解決方案（繼電器/斷路器）

電動(dòng)汽車充電

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS