艾為推出SIM卡電平轉換產(chǎn)品AW39103，其憑借優(yōu)異的性能，成功通過高通平臺認證，并獲得高通最高推薦等級(GOLD)。

圖1高通平臺認證

隨著手機平臺處理器工藝向 4nm/3nm 演進，其 I/O 電平已降至1.2V，而SIM卡 I/O 仍遵循ISO-7816-3標準，維持Class A/B/C 三檔5V/3V/1.8V（目前手機常用 3V/1.8V）。為解決平臺與 SIM卡的I/O電平兼容問題，艾為推出 SIM 卡電平轉換產(chǎn)品 AW39103，可高效實現(xiàn)電平轉換，保障通訊穩(wěn)定。

AW39103產(chǎn)品特性

AWINIC

主控Host端供電電壓范圍：1.08V~1.98V

SIM卡端供電電壓范圍：1.65V~3.6V

支持25MHz時鐘頻率

內部集成EMI濾波器

內部集成必要的上拉電阻和下拉電阻，無需額外的外部電阻

SIM卡端具有高于IEC61000-4-2最高等級的系統(tǒng)級ESD能力：接觸放電＞±8kV，空氣放電＞±15kV

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3接口要求

支持主控與SIM卡之間Clock、Data、Reset信號的自動電平轉換

封裝：QFN 1.8mmx1.4mm-10L、FOWLP 1.06mmx1.06mm-9B

圖2 AW39103典型應用圖

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產(chǎn)品特點一

符合ETSI、IMT-2000標準及ISO7816-3規(guī)范，可確保SIM卡的正常啟用與禁用操作。

AW39103集成三路電平轉換器，可對SIM卡的RST、CLK 及IO信號進行電平轉換，實現(xiàn)SIM卡端口（1.8V/3V）與主芯片端口（1.2V/1.8V）的正常通訊。產(chǎn)品遵循 ISO-7816-3 標準的關機時序要求：當EN引腳置低時，先關閉 RST_SIM 通路啟動關機流程，隨后CLK_SIM 和IO_SIM通路由內部下拉電阻拉低，整個關機時序可在10μs內完成，既能確保SIM卡正確禁用以降低功耗，也能在熱插拔場景中避免數(shù)據(jù)誤寫與損壞。

圖3 AW39103關斷時序

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產(chǎn)品特點二

SIM卡端具有強健的ESD防護能力，可省去外部ESD器件，簡化設計流程。

AW39103的SIM卡端具備強勁ESD防護能力，可滿足IEC 61000-4-2系統(tǒng)級ESD最高等級要求。傳統(tǒng)設計中，工程師通常需額外增加或預留ESD防護器件以應對ESD 事件；而采用AW39103后，因其SIM卡側已集成高等級系統(tǒng)級ESD防護，可直接省去外部ESD器件，簡化設計流程。

圖4 傳統(tǒng)平臺與先進平臺設計對比

艾為在電平轉換產(chǎn)品領域擁有多年技術積累，全系列產(chǎn)品覆蓋消費電子、工業(yè)互聯(lián)、汽車應用等多元場景。詳細產(chǎn)品規(guī)格可參考下表：