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紫光國芯亮相2025全球閃存峰會

西安紫光國芯半導體 ? 來源:西安紫光國芯半導體 ? 2025-07-11 16:12 ? 次閱讀
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近日,由DOIT傳媒主辦的2025全球閃存峰會(FMW 2025) 在南京盛大開幕。本屆峰會以“存力覺醒 AI未來”為主題,聚焦以閃存和內(nèi)存芯片為核心的存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)創(chuàng)新與變革。作為國內(nèi)CXL技術(shù)先行者,紫光國芯攜CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案精彩亮相峰會展區(qū),全面展示公司在CXL領(lǐng)域的技術(shù)實力和產(chǎn)品應(yīng)用成果。

優(yōu)化內(nèi)存性能并降低TCO

紫光國芯定制存儲芯片業(yè)務(wù)總經(jīng)理左豐國受邀出席峰會,并在CXL技術(shù)應(yīng)用論壇上發(fā)表了題為“用 CXL技術(shù)優(yōu)化內(nèi)存性能并降低TCO”的演講,分享了公司依托CXL生態(tài)的創(chuàng)新實踐與產(chǎn)品方案,包括通過池化技術(shù)與先進介質(zhì)技術(shù)優(yōu)化內(nèi)存性能、有效降低TCO的系列成果。

左豐國在演講中指出:“當前內(nèi)存系統(tǒng)在性能與成本方面面臨雙重挑戰(zhàn),高效、靈活、經(jīng)濟的內(nèi)存解決方案是業(yè)界亟待突破的關(guān)鍵方向。紫光國芯的CXL內(nèi)存擴展主控方案,可助力用戶實現(xiàn)系統(tǒng)內(nèi)存帶寬擴展、容量擴展,并通過內(nèi)存共享有效降低總擁有成本(TCO)。

作為CXL技術(shù)聯(lián)盟的早期‘Contributor’級別成員及國內(nèi)CXL技術(shù)的先行者,紫光國芯始終深度參與生態(tài)建設(shè),緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢,持續(xù)推進前沿技術(shù)成果的產(chǎn)品化和市場化落地?!?/p>

助力高性能服務(wù)器實現(xiàn)TB級內(nèi)存容量

此次亮相峰會的UniIC CXL內(nèi)存擴展主控芯片產(chǎn)品,旨在滿足服務(wù)器系統(tǒng)主存容量擴展、帶寬擴展等方面的核心需求,可助力高性能服務(wù)器實現(xiàn)TB級內(nèi)存容量。同時,該技術(shù)系列產(chǎn)品兼容CXL2.0/1.1,支持Type3應(yīng)用,并能夠靈活支持DRAM和PCM等不同存儲介質(zhì),同時兼容EDSFF和AIC等多種形態(tài)。

在峰會展區(qū),紫光國芯特別展出了CXL內(nèi)存擴展主控芯片,以及基于CMC1XX主控芯片的CXL-DRAM 內(nèi)存解決方案和CXL-SCM 內(nèi)存解決方案,吸引了諸多與會嘉賓的廣泛關(guān)注和駐足交流。 依托前沿技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)資源整合的多重優(yōu)勢,紫光國芯將不斷創(chuàng)新、深化合作,持續(xù)打造領(lǐng)先的存儲技術(shù)產(chǎn)品和創(chuàng)新性解決方案,為業(yè)界高效應(yīng)對算力、存儲墻等瓶頸提供堅實的技術(shù)支撐與創(chuàng)新路徑,積極助推存儲行業(yè)高質(zhì)量快速發(fā)展。 END 編輯:品牌組 審核:GM

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原文標題:紫光國芯CXL內(nèi)存擴展主控產(chǎn)品方案亮相2025全球閃存峰會

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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