電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近有不少關于HBM技術被應用到手機的消息，此前有消息稱蘋果會在20周年iPhone，也就是2027年推出使用HBM DRAM的iPhone手機，提高端側AI能力。近日著名博主《數(shù)碼閑聊站》又繼續(xù)爆料，華為會先于蘋果落地HBM DRAM。

但HBM在手機應用真的可行嗎？

從成本的角度來看，HBM首先在制造工藝上相比傳統(tǒng)的LPDDR更復雜。為了實現(xiàn)高帶寬，HBM是采用多層DRAM芯片通過硅通孔（TVS）垂直堆疊，比如HBM3E就是8層或12層；而這些DRAM芯片通過微凸點（Microbumps）連接到基底的邏輯芯片，再通過硅中階層跟處理器集成。

其中TSV提供了高密度、低延遲的垂直互連，相比LPDDR5的平面布局，HBM的數(shù)據(jù)傳輸路徑更短，減少信號延遲和損耗。同時每層DRAM都擁有獨立通道，比如HBM3每個堆疊支持8-16個通道，每個通道有128位寬的總線。相比之下，LPDDR5通常只有2-4個通道（16-32位寬）。

總體來看，HBM的生產(chǎn)成本大約是LPDDR的2-3倍，這導致了其應用到智能手機將大幅提高整機成本，可能只有部分萬元以上旗艦機型具備應用條件。

另一方面影響HBM登陸智能手機的是空間。雖然HBM本身利用垂直堆疊的2.5D、3D封裝理論上是比LPDDR集成度更高，但需要額外的硅中介層和更復雜的電源管理模塊，這可能增加模組厚度或占用主板空間，與手機輕薄化設計趨勢存在一定沖突。

在功耗方面，在手機低負載場景下，HBM復雜的架構下靜態(tài)功耗較高，而LPDDR5專為低功耗場景設計，待機功耗極低，在低負載場景下HBM有一定的劣勢。HBM的優(yōu)勢在于高數(shù)據(jù)吞吐量場景，例如，HBM3E在處理1TB/s數(shù)據(jù)時，功耗可能在5-10W范圍內(nèi)，而LPDDR5在類似場景下可能因帶寬瓶頸導致約8-15W的更高功耗。

根據(jù)SK海力士和美光的數(shù)據(jù)，8層堆疊24GB的HBM3E動態(tài)功耗約2-3pJ/bit，待機功耗約1-2W，峰值功耗約8-12W；6400MHz、16GB的LPDDR5，動態(tài)功耗約4-6pJ/bit，待機功耗約0.5-1W，峰值功耗約4-8W。

而在混合負載下，HBM的高帶寬優(yōu)勢可能被其靜態(tài)功耗抵消，而LPDDR5的低功耗設計在中等帶寬需求下表現(xiàn)均衡，實際功耗取決于具體工作負載和SoC優(yōu)化。

當然也有可能未來會采用定制化的方案，比如Marvell此前推出的XPU與定制HBM集成封裝的方案，也能夠降低芯片尺寸和功耗；或是開發(fā)出低容量、低堆疊層數(shù)的HBM，這樣也能降低靜態(tài)功耗和成本，更適合手機的需求。

所以，HBM未來在手機中的應用可能更多是技術展示的形式，作為品牌的圖騰應用在部分高端的智能手機上。尤其是在AI驅動的邊緣計算和AR/VR場景下，華為、蘋果等大廠可能會有動力去推動HBM的端側應用，通過高帶寬和低延遲支持本地化大模型推理或沉浸式體驗。而成本和空間問題可通過提高價格和優(yōu)化設計緩解，但在實際應用中，還需解決散熱和SoC兼容性等挑戰(zhàn)。