UM680A模塊接地與散熱和封裝推薦設計
接地與散熱
接地與散熱焊盤
UM680A模塊中間矩陣形的 48個焊盤用于接地與散熱，在 PCB設計時推薦接到大面 積地平面上，以加強模塊散熱。
PCB封裝推薦設計
UM680A的 PCB封裝推薦設計參考下圖。
PCB 封裝設計
說明： 為了方便測試，功能管腳焊盤設計的較長、超出模塊外框較多。例如
detail C描述的焊盤超出模塊外框 1.79mm；
detail A描述的焊盤超出模塊外框 0.50mm；因這些焊盤是射頻管腳，希望其在表層 的走線盡量短，減小外部干擾對射頻信號的影響，所以設計的適當短一些。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
pcb
+關(guān)注
關(guān)注
4418文章
23979瀏覽量
426395 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9339瀏覽量
149085 -
散熱
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
621瀏覽量
33366
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Onsemi NVMFS5C680NL：高性能N溝道功率MOSFET解析
公司推出的 NVMFS5C680NL，一款 60V、27.5mΩ、21A 的 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢，又能在哪些應用中發(fā)揮重要作用。 文件下載
onsemi NVMFS5C680NL MOSFET：高效設計的理想之選
NL是一款60V、27.5mΩ、21A的單N溝道MOSFET，采用小尺寸封裝，具有低導通電阻和低電容的特點，非常適合緊湊型設計。它有兩種封裝可供選擇：DFN5（SO - 8F
先進封裝的散熱材料有哪些？
先進封裝中的散熱材料主要包括高導熱陶瓷材料、碳基高導熱材料、液態(tài)金屬散熱材料、相變材料（PCM）、新型復合材料等，以下是一些主要的先進封裝散熱
淺談IGBT模塊的散熱設計技巧
在電力電子領(lǐng)域，IGBT模塊是當之無愧的“功率核心”，從儲能PCS、變頻器到新能源汽車電控，其穩(wěn)定運行直接決定整套系統(tǒng)的可靠性。而散熱設計，正是守護IGBT壽命與性能的關(guān)鍵防線。
AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點就是：CoWoS封裝散熱
摘要：由于半導體行業(yè)體系龐大，理論知識繁雜，我們將通過多個期次和專題進行全面整理講解。本專題主要從AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點就是：CoWoS封裝散熱進行講解，讓大家更準確和全面的認識半導體地整個行業(yè)體系
QDPAK頂部散熱封裝簡介
不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE
兩種散熱路徑的工藝與應用解析
背景：兩種常見的散熱設計思路 在大電流或高功率器件應用中，散熱和載流能力是PCB設計中必須解決的難題。常見的兩種思路分別是： 厚銅板方案：通過整體增加銅箔厚度（如3oz、6oz甚至更高），增強導熱和
IGBT模塊的封裝形式類型
不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設計、材料導熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應用場景進行系統(tǒng)分析。
面向智駕的車規(guī)級高精度RTK模塊UM680A的引腳功能
UM680A 模塊是和芯星通針對智能駕駛領(lǐng)域應用推出的高精度 GNSS 雙頻導航車規(guī)級模塊。模塊基于完全自主知識產(chǎn)權(quán)的多系統(tǒng)、雙頻點、高性能 SoC 芯片 - UC6580
和芯星通高精度RTK模塊UM960評估板的概述和接口說明
UM960 是和芯星通自主研發(fā)的新一代 BDS/GPS/GLONASS/Galileo/QZSS 全系統(tǒng)多頻高精度 RTK 定位模塊， 面向表演無人機、割草機、機器人、高精度GIS、手持設備等高精度導航定位領(lǐng)域。本文介紹UM96
丹佛斯DCM1000功率模塊的封裝技術(shù)演進
丹佛斯（Danfoss）的DCM（Direct Cooled Module直接冷卻模塊）是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的一款針對于車規(guī)級功率模塊的封裝設計，其核心創(chuàng)新在于直接水冷散熱設計，通過取消傳統(tǒng)基板
英特爾展示封裝創(chuàng)新路徑：提高良率、穩(wěn)定供電、高效散熱
為了推動AI等創(chuàng)新應用落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數(shù)級增長的算力。為此，半導體行業(yè)正在不斷拓展芯片制造的邊界，探索提高性能、降低功耗的創(chuàng)新路徑。 在這樣的背景下，傳統(tǒng)上僅用于散熱和保護設備
發(fā)表于 06-11 09:17
?1462次閱讀
MUN12AD03-SEC的封裝設計對散熱有何影響？
MUN12AD03-SEC是一款非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器，適配多種需要穩(wěn)定、高效電源供應的電子系統(tǒng)。MUN12AD03-SEC的封裝設計在提高散熱效率、降低模塊溫度、提高模塊可靠性和性能
發(fā)表于 05-19 10:02
評論