在剛剛于無錫圓滿落幕的第三屆芯粒開發(fā)者大會——這場匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機構及產(chǎn)業(yè)鏈專家的盛會上，行芯科技作為國內(nèi)Signoff領域的領軍企業(yè)，受邀發(fā)表了主題演講《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行芯創(chuàng)新性策略》，為行業(yè)破解3DIC Signoff難題提供了全新路徑。

Face to Face(F2F）晶圓堆棧憑借超短互連、超高帶寬成為3DIC前沿方向，卻也使Signoff復雜度指數(shù)級攀升：

數(shù)據(jù)交互劇增：高密度Hybrid Bonding (HB)與硅通孔(TSV)寄生參數(shù)提取量激增，傳統(tǒng)方法效率遭遇瓶頸。

新型耦合效應產(chǎn)生：復合Die結構引發(fā)跨層耦合（Coupling RC）、信號完整性（SI）、電源完整性（PI）等干擾新挑戰(zhàn)。

多物理場耦合系統(tǒng)級挑戰(zhàn)：電、熱、力等多物理場效應相互耦合，加劇系統(tǒng)級不確定性。

行芯科技推出的業(yè)內(nèi)首個多Die并行寄生參數(shù)提取方案三大核心優(yōu)勢直擊要害：

高精度跨層寄生參數(shù)提?。邯毤宜惴ň珳什东@相鄰Die間納米級寄生參數(shù)耦合，修正傳統(tǒng)工具對Coupling RC的低估。

多維度協(xié)同驗證閉環(huán)：實現(xiàn)SI/PI/Power/Thermal簽核流程的無縫銜接，提升驗證效率，達成“一次提取，全維度驗證”。

Shift Left設計實踐：將電源網(wǎng)絡分析、功耗驗證等關鍵環(huán)節(jié)前置，提前識別系統(tǒng)級風險，有效提升“首輪流片成功率”。

正如行芯科技銷售總監(jiān)在會議上提到：“多Die協(xié)同提取是3DIC Signoff的基石！”

該創(chuàng)新方案已成功應用于國內(nèi)頭部設計客戶的先進工藝項目，助力客戶實現(xiàn)首次流片即通過Signoff驗證。行芯科技將持續(xù)深耕技術，為加速中國芯粒生態(tài)突破技術瓶頸提供堅實的Signoff核心技術支撐！