日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合科泰N溝道MOS管2N7002在USB接口的應(yīng)用

深圳合科泰 ? 來(lái)源:深圳合科泰 ? 作者:深圳合科泰 ? 2025-07-22 13:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在液晶屏終端控制板中,USB接口用于連接上位機(jī)并接收下發(fā)的顯示命令。為確保USB接口通信的穩(wěn)定性,2N7002被用于控制USB接口的上拉電阻通斷,以便上位機(jī)對(duì)USB設(shè)備進(jìn)行可靠枚舉。2N7002是合科泰生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET,該器件采用SOT-23封裝,可有效減少PCB板的占用空間。使用高單元密度的MOSFET技術(shù)制造,具有可靠的快速開(kāi)關(guān)性能,市場(chǎng)價(jià)格很低,對(duì)板卡的整體BOM成本影響微乎其微。2N7002適合低電壓、小電流應(yīng)用場(chǎng)景,如LED驅(qū)動(dòng)、PWM驅(qū)動(dòng)和各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

應(yīng)用背景

系統(tǒng)核心處理器一端通過(guò)I2C接口外接點(diǎn)陣LCD顯示屏,另一端通過(guò)USB連接上位機(jī)。LCD屏通過(guò)觸摸功能實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互,將按鍵信息發(fā)送給STM32控制器,經(jīng)處理后通過(guò)USB接口上傳至上位機(jī)及遠(yuǎn)程服務(wù)器;上位機(jī)和服務(wù)器處理后將結(jié)果返回給STM32控制器,并在LCD上顯示相應(yīng)內(nèi)容。

USB接口控制電路設(shè)計(jì)

先來(lái)認(rèn)識(shí)下電路里的關(guān)鍵部分:處理器相當(dāng)于“大腦”,負(fù)責(zé)發(fā)出指令和處理信號(hào);2N7002是一種類似“電子開(kāi)關(guān)”的元件;控制信號(hào)相當(dāng)于“開(kāi)關(guān)指令”;USB接口的DP和DM是兩根信號(hào)線,其中DP在檢測(cè)和數(shù)據(jù)傳輸中起關(guān)鍵作用;還有一種“防護(hù)盾”似的器件,能防止靜電損壞電路。

為何采用兩級(jí)2N7002結(jié)構(gòu)?

這要從單級(jí)類似2N7002的“電子開(kāi)關(guān)”存在的問(wèn)題說(shuō)起。處理器剛上電復(fù)位的幾十毫秒到100毫秒內(nèi),控制信號(hào)的引腳會(huì)處于“高阻態(tài)”,就像一根沒(méi)接任何信號(hào)的懸空線頭。此時(shí)雖無(wú)明確的高電平信號(hào),但會(huì)有微安級(jí)的泄漏電流,可能讓引腳“誤認(rèn)”為高電平。

若只用一級(jí)這種“電子開(kāi)關(guān)”,可能會(huì)因這個(gè)“假高電平”導(dǎo)致開(kāi)關(guān)短暫導(dǎo)通,使USB接口出現(xiàn)錯(cuò)誤反應(yīng),比如讓上位機(jī)誤以為有設(shè)備插入。

增加第二級(jí)2N7002后,情況得到改善:當(dāng)控制信號(hào)處于高阻態(tài)時(shí),某個(gè)電阻會(huì)把第一級(jí)“電子開(kāi)關(guān)”(Q1)的控制端拉到高電平,讓Q1穩(wěn)定導(dǎo)通。這會(huì)使第二級(jí)“電子開(kāi)關(guān)”(Q2)的控制端變?yōu)榈碗娖?,Q2徹底斷開(kāi)(截止),避免了單級(jí)時(shí)的誤動(dòng)作。簡(jiǎn)單講,兩級(jí)開(kāi)關(guān)配合電阻的作用,讓電路在上電初期更穩(wěn)定,不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤反應(yīng)。

電路的工作原理

可分為“系統(tǒng)上電時(shí)”和“控制信號(hào)有效時(shí)”兩個(gè)階段:

1.系統(tǒng)剛上電時(shí)

控制信號(hào)處于高阻態(tài),Q1的控制端被某個(gè)電阻拉到高電平,Q1導(dǎo)通(相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合)。這會(huì)使Q2的控制端變成低電平,Q2截止(開(kāi)關(guān)斷開(kāi))。此時(shí)USB的DP信號(hào)沒(méi)接上拉電阻,上位機(jī)(如電腦)就檢測(cè)不到有USB設(shè)備插入,電路處于“待命”狀態(tài)。

2.控制信號(hào)變低電平后

當(dāng)處理器發(fā)出“控制信號(hào)為低電平”的指令,Q1的控制端變?yōu)榈碗娖剑琎1截止(開(kāi)關(guān)斷開(kāi))。這時(shí)Q2的控制端被另一個(gè)電阻拉到高電平,Q2導(dǎo)通(開(kāi)關(guān)閉合),DP信號(hào)通過(guò)某個(gè)電阻被拉到電源電壓。上位機(jī)檢測(cè)到DP信號(hào)的變化,就知道有USB設(shè)備插入,開(kāi)始進(jìn)行識(shí)別(枚舉)和初始化,之后便能正常通信。

結(jié)論

合科泰2N7002作為一款低成本、小封裝的N溝道MOSFET,在USB接口控制電路中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其毫秒級(jí)的開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定的電氣特性以及極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,使其成為低電壓小電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇,特別適合對(duì)成本敏感且要求高可靠性的消費(fèi)電子工業(yè)控制領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • USB接口
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    716

    瀏覽量

    59255
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2815

    瀏覽量

    77986
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析

    onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析 電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于
    的頭像 發(fā)表于 04-22 09:05 ?313次閱讀

    探索 onsemi 2N7002DW N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體

    探索 onsemi 2N7002DW N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體 電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:35 ?621次閱讀

    2N7002KW:小封裝大能量的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)

    2N7002KW:小封裝大能量的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng) 電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,工程師們常常在尋找那些性能卓越、體積小巧的電子元件,以滿足日益復(fù)雜和緊
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:35 ?590次閱讀

    2N7002K N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體:特性與應(yīng)用解析

    2N7002K N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體:特性與應(yīng)用解析 電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體是不可或缺
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:30 ?555次閱讀

    Onsemi 2N7002W N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體的特性與應(yīng)用解析

    Onsemi 2N7002W N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體的特性與應(yīng)用解析 電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:30 ?543次閱讀

    2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析

    2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析 作為電子工程師,設(shè)計(jì)電路時(shí),MOSFET是我們常用的器件之一。今天就來(lái)詳
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:25 ?547次閱讀

    Onsemi N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析

    Onsemi N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:10 ?200次閱讀

    MOS2N7002KM的技術(shù)原理和應(yīng)用案例

    2N7002KM是一款采用SOT-723超小封裝的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有六十伏特耐壓能力和零點(diǎn)三四安培連續(xù)電流承載能力。這款產(chǎn)品的突出特點(diǎn)在于其零點(diǎn)九歐姆的導(dǎo)通電阻配合八千伏特的ESD防護(hù)
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:43 ?2311次閱讀

    MOS鋰電保護(hù)場(chǎng)景中的應(yīng)用

    消費(fèi)電子與電動(dòng)工具的鋰電保護(hù)場(chǎng)景中,MOS 的選型對(duì)保護(hù)板的性能、可靠性有著直接影響。本文結(jié)合典型應(yīng)用場(chǎng)景介紹常見(jiàn)方案,并圍繞
    的頭像 發(fā)表于 12-03 16:11 ?1679次閱讀

    TOLL4封裝超結(jié)MOSHKTS13N65的應(yīng)用場(chǎng)景

    功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下,TOLL4封裝是超結(jié)MOSHKTS13
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:42 ?1218次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>TOLL4封裝超結(jié)<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTS13<b class='flag-5'>N</b>65的應(yīng)用場(chǎng)景

    ESOP-8封裝MOS高速風(fēng)筒中的應(yīng)用

    高速風(fēng)筒作為高頻使用的家電產(chǎn)品,其電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及輔助回路對(duì)MOS的性能要求差異顯著。針對(duì)高速風(fēng)筒的電路特性,推出5
    的頭像 發(fā)表于 11-17 14:44 ?1010次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>ESOP-8封裝<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>高速風(fēng)筒中的應(yīng)用

    650V高壓MOSHKTD7N65的特性和應(yīng)用

    工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中,功率MOS的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 17:46 ?1891次閱讀

    MOS精準(zhǔn)破解選型難題

    MOS來(lái)救場(chǎng)!
    的頭像 發(fā)表于 10-11 13:55 ?1063次閱讀

    三款N溝道MOSFET的區(qū)別

    電子電路中,封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS能否嵌入手機(jī)、可穿戴設(shè)備中,或者成為其驅(qū)動(dòng)電機(jī)的開(kāi)始。今天,我們聚焦
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:44 ?1772次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>三款<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>MOSFET的區(qū)別

    NMOSHKTD5N50產(chǎn)品介紹

    N溝道功率MOSHKTD5
    的頭像 發(fā)表于 05-20 10:55 ?2105次閱讀
    威信县| 芮城县| 哈密市| 禹城市| 武威市| 榕江县| 鲁山县| 延寿县| 新巴尔虎右旗| 齐齐哈尔市| 汨罗市| 广灵县| 花垣县| 连云港市| 独山县| 通化县| 自治县| 翁牛特旗| 和平县| 宜兰市| 衡水市| 长兴县| 郧西县| 万宁市| 汝南县| 揭东县| 易门县| 红原县| 玉林市| 平定县| 特克斯县| 宁河县| 子长县| 仁怀市| 孟州市| 孝义市| 资阳市| 绥棱县| 隆昌县| 连南| 桐城市|