FIB介紹

聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體失效分析與微納加工領域，雙束聚焦離子束（FIB）因其“穩(wěn)、準、狠、短、平、快”的技術(shù)特征，被業(yè)內(nèi)譽為“微創(chuàng)手術(shù)刀”。它通過聚焦離子束直接在材料上進行操作，無需掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)納米級精度的成像和修改，特別適合需要高精度的任務。

截面量測

以鎵離子源為核心，F(xiàn)IB 技術(shù)通過精確調(diào)控離子束與樣品表面的相互作用，實現(xiàn)納米級的精細操作。

缺陷分析

案例1：針對膜層內(nèi)部缺陷通過FIB精細加工至缺陷根源處，同時結(jié)合前段生產(chǎn)工藝找出缺陷產(chǎn)生點，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。

案例2：產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后金鑒通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。

TEM制樣

透射電子顯微鏡（TEM）是研究材料微觀結(jié)構(gòu)的重要手段，但需要制備超薄樣品。FIB 技術(shù)能夠精確地將樣品減薄到納米級厚度，同時保持樣品的結(jié)構(gòu)完整性，為 TEM 分析提供高質(zhì)量的樣品。通過 FIB 制備的樣品可以清晰地觀察到材料的晶體結(jié)構(gòu)、界面特征和缺陷分布等信息。

1.FIB粗加工

2.納米手轉(zhuǎn)移

3.FIB精細加工完成制樣

氣相沉積（GIS）

FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據(jù)其導電特性對樣品進行加工。FIB加工前為材料提供保護層，或用于材料精加工。

納米材料電阻無法直接進行測量，通過FIB GIS系統(tǒng)對其沉積Pt，將其連接到電極上進行四探針法測電阻。

結(jié)語

聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體量產(chǎn)中具有廣泛的應用前景。它能夠?qū)崿F(xiàn)納米級精度的成像和修改，特別適合缺陷分析、電路修改、光掩模修復、TEM 樣品制備和故障分析等任務。