近日，在中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件年會上，新潔能憑借在半導體功率器件領域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻，再次成功入選 “中國半導體功率器件十強企業(yè)”！自2016年以來，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對企業(yè)技術實力與市場地位的認可，更是對企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！

“中國半導體功率器件十強企業(yè)”評選由中國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)起，旨在表彰在功率半導體領域具有領先技術、市場影響力和創(chuàng)新能力的標桿企業(yè)。評選基于企業(yè)技術研發(fā)實力、市場占有率、產(chǎn)品可靠性及行業(yè)貢獻等多維度綜合評定，含金量極高。

作為功率器件領域的核心供應商，新潔能始終專注于 “高性能、高可靠性半導體功率器件”的研發(fā)與生產(chǎn)，不斷突破各產(chǎn)品線技術瓶頸。目前已成功推出：

1、第三代SGT MOSFET系列產(chǎn)品，相比于第二代產(chǎn)品特征導通電阻Ron.sp 降低30%，F(xiàn)OM值降低30%，拓寬直流電機驅動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用市場。

2、第七代IGBT系列產(chǎn)品，擁有業(yè)界領先水平的飽和壓降和開關損耗的折中特性和超高電流密度，以1200V/160A、650V/200A超大電流單管產(chǎn)品為主導，不斷拓展新能源等市場應用。

3、第四代SJ MOSFT系列產(chǎn)品，進一步降低特征導通電阻，提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力。同時，器件加入了開關特性優(yōu)化設計，可以為系統(tǒng)EMC設計提供更大的余量。此外，該系列產(chǎn)品優(yōu)化了器件的抗靜電能力，提升了系統(tǒng)應用的可靠性。

4、Trench MOSFET G5系列產(chǎn)品，是新潔能新推出的高集成度短溝世代產(chǎn)品，集成度較上一代產(chǎn)品提高了1.5倍以上，Rsp以P30V為例降低50%以上。

5、第二代SiC MOSFET系列產(chǎn)品，通過創(chuàng)新性的結構設計與先進的，碳化硅材料工藝,實現(xiàn)高溫工況下導通電阻特性的大幅優(yōu)化,顯著提升系統(tǒng)效率與可靠性，其雪崩耐量參數(shù)達到業(yè)界頂尖水平，可完美適配新能源汽車電驅、大功率充電模塊、工業(yè)變頻器等高頻、高精度場景，并通過超越AEC-O101等車規(guī)級認證的嚴苛可靠性驗證,確保產(chǎn)品在極端溫度、機械應力及長期負載下的穩(wěn)定表現(xiàn)。

6、IGBT系列模塊搭載第七代IGBT芯片，實現(xiàn)更高功率密度和更低開關/導通損耗，低雜散電感設計，更低的熱阻，拓寬光伏、儲能、電機驅動等應用市場。

7、柵極驅動：涵蓋硅基、碳化硅、氮化鎵等功率器件驅動，電壓范圍覆蓋25V~700V，近200款驅動覆蓋Infineon/ON/TI全系列產(chǎn)品；

智能功率模塊（IPM）：提供業(yè)內(nèi)功率密度最大的半橋模塊，實現(xiàn)“器件集成化、保護內(nèi)置化、控制智能化”三大突破；

智能功率開關：涵蓋過流/過溫保護、雙通道、過壓保護、失地保護、狀態(tài)診斷、負載開路保護、斜率控制等，能夠實現(xiàn)高度集成化、主動安全防護、數(shù)字智能控制等;

高邊靜態(tài)驅動：可提供100%占空比驅動高邊NMOS，在安全性、可靠性、和設計便捷性方面，全面超越了傳統(tǒng)的開關方案；

音頻功放（ClassD）：提供高達300V/600V耐壓的Class D功放驅動，正快速取代傳統(tǒng)模擬功放。

未來，新潔能將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅動，深耕功率半導體技術，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案，助力中國半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展！