近日，2025年走進長城汽車技術(shù)交流日在保定長城總部熱力開啟。作為車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)跑者，芯長征攜多款IGBT/SiC模塊重磅亮相，展示了我們在車規(guī)級功率器件領(lǐng)域的深厚積累與前沿創(chuàng)新，吸引了長城汽車的工程師們紛紛駐足芯長征展臺，雙方隨即展開了深入而富有成效的交流探討。

本次技術(shù)交流日活動舉辦地——河北保定長城汽車技術(shù)中心

交流日現(xiàn)場，各展位前人流涌動，行業(yè)同仁齊聚一堂，共話汽車技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展，芯長征展臺也憑借優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品成為現(xiàn)場焦點之一。

MPFS200R08L4 IGBT模塊

產(chǎn)品亮點：750V/ 200A IGBT模塊。內(nèi)部三相全橋電路拓撲，出流能力180A，高性價比產(chǎn)品。

技術(shù)創(chuàng)新：模塊內(nèi)置NTC溫度傳感器，實現(xiàn)實時溫度監(jiān)控與過溫保護；采用高功率密度設(shè)計，緊湊高效。結(jié)合高爬電距離和電氣間隙，確保在高壓環(huán)境下的安全穩(wěn)定運行。

應(yīng)用場景：廣泛應(yīng)用于汽車輔驅(qū)、混合動力電動汽車（HEV）應(yīng)用中，為車輛提供高效、穩(wěn)定且可靠的電力轉(zhuǎn)換與控制解決方案。

MPFFB660M12L3 SiC模塊

產(chǎn)品亮點：1200V/660A SiC MOSFET模塊，采用先進的G3 SiC MOSFET芯片及模塊封裝技術(shù)，具有低損耗、高出流能力，符合AQG324車規(guī)要求。

技術(shù)創(chuàng)新：采用SiC技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率，能夠有效降低系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率。同時，具備卓越的熱性能和機械性能，能夠在惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定工作。

應(yīng)用場景：特別適用于高功率、高頻率的電力電子系統(tǒng)，如乘用車與商用車領(lǐng)域，為行業(yè)提供卓越的電氣性能和長期穩(wěn)定性。

MPFSB1040M12P3 SiC模塊

產(chǎn)品亮點：1200V/1040A SiC模塊，超低Rds(on) 1.64 mΩ，低開關(guān)損耗；HPD低電感封裝（<10 nH），集成NTC溫度檢測，實現(xiàn)800 V母線下570 A持續(xù)輸出。符合AQG324車規(guī)要求。

技術(shù)創(chuàng)新：第三代SiC芯片，損耗小出流強；4200 V隔離耐壓、高爬電與電氣間隙設(shè)計，確保高壓環(huán)境安全與穩(wěn)定。

應(yīng)用場景：適用于乘用汽車、混動汽車及商用車輛等領(lǐng)域，提供高效、穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換與控制解決方案，助力設(shè)備能效提升和性能優(yōu)化。

此次走進長城技術(shù)交流日活動，不僅是芯長征展示產(chǎn)品和技術(shù)實力的平臺，更是與長城汽車及其他行業(yè)伙伴深入交流、共同探討技術(shù)發(fā)展趨勢的難得機會。通過與長城汽車的技術(shù)團隊進行深入交流，我們更加了解了汽車行業(yè)的需求和發(fā)展方向，為我們未來的產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新提供了寶貴的參考。

芯長征將以此次活動為契機，不斷加大研發(fā)投入，持續(xù)提升產(chǎn)品性能和技術(shù)水平，為汽車行業(yè)的發(fā)展提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的功率器件解決方案。

關(guān)于芯長征

江蘇芯長征微電子集團股份有限公司是一家集新型功率半導(dǎo)體器件設(shè)計研發(fā)與封裝制造為一體的高新技術(shù)企業(yè)。核心業(yè)務(wù)包括：硅基芯片及模組系列、第三代半導(dǎo)體芯片及模組系列（SiC、GaN）及功率器件檢測裝備?？偛孔溆谀暇?，生產(chǎn)制造基地坐落于山東威海，同時在深圳、武漢、西安等地設(shè)有辦事處、銷售和研發(fā)中心。

“一往無前長征路，自強不息中國芯”，芯長征將承載功率芯片國產(chǎn)化使命，秉持市場化運營的理念，致力于成為國際有影響力的功率半導(dǎo)體公司。