REF2125器件是一款低溫漂移（6 ppm/°C）、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源，具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 95 μA。該器件還提供 5 μV 的極低輸出噪聲 P-P /V，這使其能夠通過高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和噪聲關(guān)鍵系統(tǒng)保持高信號(hào)完整性。
*附件：ref2125.pdf

器件的低輸出電壓遲滯和低長(zhǎng)期輸出電壓漂移進(jìn)一步提高了穩(wěn)定性和系統(tǒng)可靠性。此外，器件體積小、工作電流低（95 μA）使其成為便攜式和電池供電應(yīng)用的理想選擇。

REF2125額定溫度范圍為 ?40°C 至 +125°C。

特性

• 初始精度：±0.05%（最大）
• 溫度系數(shù) ： 6 ppm/°C （最大值）
• 工作溫度范圍：?40°C至+125°C
• 輸出電流：±10 mA
• 低靜態(tài)電流：95 μA（最大值）
• 寬輸入電壓：12 V
• 輸出1/f噪聲（0.1 Hz至10 Hz）：5 μV 聚丙烯 /V
• 出色的長(zhǎng)期穩(wěn)定性 30 ppm/1000 小時(shí)
• 小尺寸 5 引腳 SOT-23 封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
REF2125是德州儀器（TI）推出的一款高精度CMOS電壓參考芯片，具有低溫度漂移（6 ppm/°C）、低功耗（最大靜態(tài)電流95 μA）和小封裝（5引腳SOT-23）特性。其主要特點(diǎn)包括：

• ?初始精度?：±0.05%（最大值）
• ?輸出電流?：±10 mA
• ?輸入電壓范圍?：12 V
• ?低噪聲?：0.1 Hz至10 Hz頻段輸出噪聲為5 μVPP/V
• ?長(zhǎng)期穩(wěn)定性?：30 ppm/1000小時(shí)

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?溫度性能?：工作溫度范圍-40°C至+125°C，適用于工業(yè)環(huán)境。
• ?節(jié)能設(shè)計(jì)?：支持使能（EN）引腳控制，關(guān)閉模式下電流低至2 μA。
• ?清潔啟動(dòng)功能?：通過CS引腳連接電阻或電容，控制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流（0.5 mA至19 mA可調(diào)）。

?3. 應(yīng)用領(lǐng)域?

• 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
• 工業(yè)儀器儀表（如PLC模擬I/O模塊）
• 4-20mA環(huán)路傳感器
• 測(cè)試設(shè)備（如LCR表）
• 便攜式及電池供電設(shè)備

?4. 電氣參數(shù)?

• ?輸出電壓?：2.5 V（固定）
• ?線性調(diào)整率?：2 ppm/V（典型值）
• ?負(fù)載調(diào)整率?：
  • 源電流（0至10 mA）：30 ppm/mA（典型值）
  • 吸電流（0至-10 mA）：70 ppm/mA（典型值）
• ?噪聲性能?：
  • 0.1 Hz至10 Hz：5 μVPP/V
  • 1 kHz頻點(diǎn)：0.25 ppm/√Hz

?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?布局建議?：
  • 輸入/輸出端需分別配置1 μF和10 μF低ESR陶瓷電容。
  • 敏感模擬信號(hào)走線應(yīng)避免與數(shù)字信號(hào)平行。
• ?熱管理?：最大結(jié)溫150°C，需通過熱阻公式（TJ = TA + PD × RθJA）計(jì)算實(shí)際功耗。
• ?長(zhǎng)期穩(wěn)定性?：建議對(duì)高穩(wěn)定性要求的系統(tǒng)進(jìn)行老化篩選。

?6. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?封裝?：SOT-23（5引腳），尺寸2.9 mm × 1.6 mm
• ?型號(hào)示例?：REF2125IDBVR（工業(yè)級(jí)溫度范圍）
• ?環(huán)保認(rèn)證?：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛（NIPDAU鍍層）

?7. 文檔支持?
包含詳細(xì)特性曲線（如溫度漂移、噪聲頻譜）、典型應(yīng)用電路（如與OPA735搭配生成負(fù)參考電壓）及ESD防護(hù)指南。