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TPS552872/TPS552872-Q1轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-12 09:34 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS552872/TPS552872-Q1全集成降壓-升壓式轉(zhuǎn)換器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可將電池電壓適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌。TPS552872/TPS552872-Q1集成了四個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān),可為各種應(yīng)用提供緊湊型解決方案。TPS552872/TPS552872-Q1的輸入電壓高達(dá)36V。在升壓模式下,輸入電壓為12V時(shí),TPS552872/TPS552872-Q1可提供30W的輸出功率。它能夠在25W輸入電壓下提供9V電流。TPS552872/TPS552872-Q1采用平均電流模式控制方案。開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)外部電阻器在200kHz至2.2MHz之間進(jìn)行編程,并且可與外部時(shí)鐘同步。TPS552872/TPS552872-Q1還提供可選的擴(kuò)頻,最大限度地降低EMI峰值。

數(shù)據(jù)手冊(cè):

*附件:TPS552872-Q1數(shù)據(jù)表.pdf

*附件:TPS552872數(shù)據(jù)表.pdf

TPS552872/TPS552872-Q1具有輸出過(guò)壓保護(hù)、平均電感電流限制、逐周期峰值電流限制和輸出短路保護(hù)等特性。TPS552872/TPS552872-Q1還提供可選輸出電流限制和斷續(xù)模式保護(hù),可在持續(xù)過(guò)載情況下確保安全運(yùn)行。

Texas Instruments TPS552872/TPS552872-Q1可以使用具有高開(kāi)關(guān)頻率的小型電感器和小型電容器。此器件采用3.0mm × 5.0mm QFN封裝。TPS552872-Q1器件符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。

特性

  • 寬輸入和輸出電壓范圍
    • 寬輸入電壓范圍:3.0V至36V
    • 可編程輸出電壓范圍:0.8V至22V
    • 參考電壓精度:±1%
    • 可調(diào)輸出電壓補(bǔ)償,用于電纜電壓降
    • 精確輸出電流監(jiān)控:±5%
  • 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有高效率
    • 效率:96.7%(在VIN = 12V、VOUT = 20V和IOUT = 1.5A時(shí))
    • 效率:98.3%(在VIN = 12V、VOUT = 12V和IOUT = 2A時(shí))
    • 輕負(fù)載時(shí)可編程PFM和FPWM模式
  • 避免頻率干擾和串?dāng)_
    • 可選時(shí)鐘同步
    • 可編程開(kāi)關(guān)頻率:200kHz至2.2MHz
  • EMI抑制
    • 可選可編程擴(kuò)頻
    • 無(wú)引線封裝
  • 豐富的保護(hù)特性
    • 輸出過(guò)壓保護(hù)
    • 斷續(xù)模式,用于輸出短路保護(hù)
    • 熱關(guān)斷保護(hù)
    • 4A平均電感電流限制
  • 較小的解決方案尺寸
    • 最大開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)2.2MHz
    • 3.0mm × 5.0mm HotRod? QFN封裝

功能框圖

1.png

?

TPS552872 Buck-Boost轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、核心特性?

  • ?寬電壓范圍?:輸入3.0V至36V,輸出0.8V至22V,適用于多場(chǎng)景供電需求。
  • ?高集成度?:內(nèi)置4個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān),簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)。
  • ?高效轉(zhuǎn)換?:峰值效率達(dá)98.3%(12V輸入/輸出,2A負(fù)載),支持PFM/FPWM輕載模式切換。
  • ?靈活配置?:可編程開(kāi)關(guān)頻率(200kHz–2.2MHz)、時(shí)鐘同步及擴(kuò)頻功能,優(yōu)化EMI性能。

?典型應(yīng)用?:筆記本擴(kuò)展塢、無(wú)線充電器、顯示器電源、PC外設(shè)等。


?二、關(guān)鍵功能解析?

1. ?多模式無(wú)縫切換?

  • ?Buck模式?(VIN > VOUT):高側(cè)Buck MOSFET導(dǎo)通,效率優(yōu)先。
  • ?Boost模式?(VIN < VOUT):高側(cè)Boost MOSFET導(dǎo)通,支持升壓輸出。
  • ?Buck-Boost模式?(VIN ≈ VOUT):交替執(zhí)行Buck/Boost周期,確保輸出電壓穩(wěn)定。

2. ?電流模式控制?

  • ?平均電流控制?:簡(jiǎn)化環(huán)路補(bǔ)償,提升瞬態(tài)響應(yīng)。
  • ?雙重電流保護(hù)?:
    • 平均電感電流限制(典型4A)。
    • 逐周期峰值電流限制(6.5A高側(cè)/6A低側(cè))。

3. ?輕載效率優(yōu)化?

  • ?自動(dòng)PFM模式?(MODE=低電平):輕載時(shí)降低開(kāi)關(guān)頻率,減少損耗。
  • ?強(qiáng)制PWM模式?(MODE=高電平):保持固定頻率,避免低頻噪聲。

4. ?保護(hù)機(jī)制?

  • ? 輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP) ?:閾值23.5V,觸發(fā)后關(guān)閉高側(cè)MOSFET。
  • ?短路保護(hù)?: hiccup模式(76ms關(guān)斷周期),降低過(guò)熱風(fēng)險(xiǎn)。
  • ?熱關(guān)斷?:結(jié)溫>175°C時(shí)停機(jī),20°C滯后恢復(fù)。

三、性能實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)?

  • ?效率曲線?:12V輸入/輸出時(shí),2A負(fù)載效率達(dá)96.7%。
  • ?瞬態(tài)響應(yīng)?:負(fù)載階躍(0A→2A)輸出電壓波動(dòng)<50mV(20μs恢復(fù))。
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