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森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

森國科 ? 來源:森國科 ? 2025-08-16 15:44 ? 次閱讀
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在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對眾多領域的發(fā)展至關重要。隨著1500V 光儲系統(tǒng)的廣泛應用,1000V/800V 新能源汽車架構平臺的蓬勃發(fā)展,高壓兆充的快速布局,森國科及時推出了 2000V SiC 分立器件及模塊產(chǎn)品。森國科的2000V SiC產(chǎn)品系列正是順應市場需求而生,它能在提高效率、降低損耗等方面發(fā)揮重要作用。

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眾所周知,1500V高壓光伏系統(tǒng)具備多方面顯著優(yōu)勢。其通過增加串聯(lián)光伏組件塊數(shù)、減少并聯(lián)電路數(shù)量,有效削減接線盒及線纜數(shù)量。電壓提升后,線纜損耗進一步降低,系統(tǒng)發(fā)電效率得以提高。

同時,設備(逆變器、變壓器)的功率密度提升,體積減小,降低運輸和維護工作量,有利于降低光伏系統(tǒng)成本。此外,順應高壓并網(wǎng)發(fā)展趨勢,該系統(tǒng)在未來的能源格局中更具適應性和競爭力。

在光伏發(fā)電側,當光伏組串的母線電壓高達1500V的時候,就要求逆變器的輸入側能承受1500V的電壓,從而要求逆變器內部的高壓側功率器件的耐壓要求高達2000V以上,而電壓越高就越能發(fā)揮SiC功率器件的優(yōu)勢,

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上面的光伏發(fā)電框圖直觀展示了光伏發(fā)電系統(tǒng)的整體架構與運行流程。逆變器與2000V SiC器件緊密相連。2000V SiC 器件有利于簡化光伏逆變器的拓撲結構、提升功率密度、提升系統(tǒng)效率、降低系統(tǒng)成本。具體來說,它可以支持1500V的MPPT升壓電路,減少系統(tǒng)損耗,提升效率。在組串式逆變器領域,對于8kW - 150kW的大功率逆變器,能將直流 - 交流轉換效率提升至99%以上,顯著降低能量損耗。

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在光伏逆變器中,有以上三種升壓變換電路拓撲,分別是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。這些電路拓撲有顯著優(yōu)勢。使用SiC器件比傳統(tǒng)Si器件頻率更高、效率更高,能讓電路運行更高效。

01 森國科針對1500V 工作電壓系統(tǒng)需求,推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A,2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A, 兩款產(chǎn)品的溫度適用范圍廣,都可以在-55℃到175℃間穩(wěn)定工作,且通過了JEDEC的嚴格測試,包括HV - HTRB和HV - H3TRB,可靠性極高。其驅動電壓在15V至18V,采用開爾文源極引腳的封裝設計可減少開關損耗,提升開關速度。

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02 基于森國科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圓,森國科還推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模塊KC019DF20W3M1,這是一款全碳化硅模塊(4 通道 Boost),其工作溫度范圍在 -55℃到 175℃之間,通過了 JEDEC 的嚴格測試,包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。

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該模塊采用 3B 封裝并加裝銅金屬底座,既安裝牢固,又消除了塑料底座老化隱患,安全性大幅提升。內部集成 4 相升壓電路,共用電源接地并分 2 組,還集成熱敏電阻監(jiān)測溫度,能靈活適配 2 路或 4 路直流輸入,滿足多樣設計需求。對比分立器件方案,它大幅提升功率密度,簡化電路設計。

在前面的分享中,我們詳細介紹了森國科2000V SiC功率器件的出生背景、優(yōu)勢、相關電路拓撲以及具體的器件型號和模塊型號等內容。隨著越來越多的高壓應用的快速發(fā)展,森國科將推出更多2000V系列的SiC 功率器件,針對不同的應用場景,推出最合適的功率器件及模塊產(chǎn)品。

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū),在深圳、成都設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%,研究生以上學歷占比50%,來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構,囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產(chǎn)品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩(wěn)步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經(jīng)過5年的發(fā)展,該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)?;旌?、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片,已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面,成功推出了單相BLDC散熱風扇電機系列和三相BLDC電機驅動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下,以低成本創(chuàng)新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領先的功率半導體公司!

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原文標題:森國科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模塊系列產(chǎn)品,滿足1500V 以上高壓應用場景

文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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