在小體積、高功率密度、高效散熱成為行業(yè)剛需的今天，森國(guó)科通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)給出了自己的解決方案。

繼成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝的SiC二極管后，森國(guó)科正式發(fā)布三款同封裝類型的SiC MOSFET產(chǎn)品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V電壓覆蓋，為高功率密度應(yīng)用提供了更為豐富的選擇。

這一系列新品基于森國(guó)科自主研發(fā)的第三代平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)，通過創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在保持高性能的同時(shí)顯著提升了散熱效率和功率密度。

PART 01

三款新品核心參數(shù)解析：滿足不同功率等級(jí)需求 KM025065P1：650V/25mΩ高電流型號(hào)

這款產(chǎn)品在25℃條件下連續(xù)漏極電流高達(dá)91A，脈沖電流能力達(dá)到261A，特別適合大電流應(yīng)用場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻(典型值25mΩ)確保在高電流下仍保持較低的導(dǎo)通損耗。

該器件結(jié)殼熱阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技術(shù)，能夠?qū)⑿酒a(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)至PCB板，保證在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。

KM040120P1：1200V/40mΩ高壓應(yīng)用優(yōu)選

針對(duì)光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用，KM040120P1提供了1200V的耐壓能力，同時(shí)在15V驅(qū)動(dòng)電壓下導(dǎo)通電阻典型值為40mΩ。該產(chǎn)品靜態(tài)柵源電壓為-5/+15V，適用于嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。

值得一提的是，這款產(chǎn)品特別優(yōu)化了開關(guān)特性，在800V/33A測(cè)試條件下，開關(guān)能量表現(xiàn)優(yōu)異(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系統(tǒng)開關(guān)損耗。

KM065065P1：650V/65mΩ性價(jià)比之選

對(duì)于成本敏感型應(yīng)用，KM065065P1提供了平衡的性能與價(jià)格。其導(dǎo)通電阻典型值為65mΩ，連續(xù)漏極電流38A，適合中小功率場(chǎng)景。該產(chǎn)品輸入電容僅為977pF，柵極總電荷41nC，便于驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

三款產(chǎn)品均支持-55℃至+175℃的工作結(jié)溫范圍，滿足汽車電子、工業(yè)控制等嚴(yán)苛環(huán)境要求。

PART 02

PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝技術(shù)深度解讀

PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝是森國(guó)科為應(yīng)對(duì)高功率密度挑戰(zhàn)而推出的先進(jìn)封裝解決方案。與傳統(tǒng)的引線鍵合技術(shù)不同，Cu-Clip(銅夾片)技術(shù)采用扁平銅橋連接芯片表面和外部引腳，有效降低封裝電阻和熱阻。

這種封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)顯而易見：更低的寄生參數(shù)、更好的熱性能以及更高的電流承載能力。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，與傳統(tǒng)封裝相比，Cu-Clip技術(shù)能夠降低約35%的封裝電阻，同時(shí)提升約20%的電流能力。

熱性能是功率器件的關(guān)鍵指標(biāo)。PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了從芯片到PCB的高效熱管理路徑。三款新品的結(jié)殼熱阻均在0.46-0.81°C/W范圍內(nèi)，大幅提升了整體散熱能力。

封裝尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的緊湊外形，引腳間距為2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。這種緊湊設(shè)計(jì)使得器件在空間受限的應(yīng)用中具有明顯優(yōu)勢(shì)。

PART 03

電氣性能優(yōu)勢(shì)：低損耗與高可靠性兼?zhèn)?/p>

開關(guān)損耗是影響功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素。三款新品在開關(guān)特性方面表現(xiàn)出色：

優(yōu)化的開關(guān)速度:

由于減少了柵極回路的寄生電感，新品的開關(guān)速度得到顯著提升。以KM025065P1為例，其開啟延遲時(shí)間僅12ns，上升時(shí)間28ns，下降時(shí)間22ns，支持更高頻率的運(yùn)行。

低柵極電荷：

KM065065P1的柵極總電荷僅為41nC，KM040120P1為84nC，降低驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度和功率需求。

優(yōu)異的體二極管特性：

內(nèi)置的快恢復(fù)體二極管具有低反向恢復(fù)電荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值僅為67nC，減少反向恢復(fù)損耗。

可靠性方面，所有產(chǎn)品均通過嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，包括高溫反偏(HTRB)、高低溫循環(huán)等測(cè)試，確保在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

PART 04

應(yīng)用場(chǎng)景全覆蓋：從消費(fèi)電子到工業(yè)驅(qū)動(dòng)

新能源汽車領(lǐng)域

在車載充電機(jī)(OBC)和直流-直流轉(zhuǎn)換器中，KM025065P1的高電流能力(91A連續(xù)電流)可直接替代多個(gè)并聯(lián)的傳統(tǒng)器件，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。KM040120P1的1200V耐壓適合800V電池系統(tǒng)應(yīng)用。

可再生能源系統(tǒng)

光伏逆變器是SiC MOSFET的重要應(yīng)用領(lǐng)域。KM040120P1的高耐壓和低導(dǎo)通損耗可有效提升系統(tǒng)效率，配合其優(yōu)異的開關(guān)特性，助力實(shí)現(xiàn)99%以上的轉(zhuǎn)換效率。

工業(yè)電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)

服務(wù)器電源、通信電源等場(chǎng)景中，KM065065P1的平衡性能和成本優(yōu)勢(shì)明顯。其緊湊的封裝尺寸有助于提升功率密度，滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對(duì)高密度電源的需求。

消費(fèi)類電子

大功率快充電源適配器、便攜式充電站等應(yīng)用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率輸出。

PART 05

設(shè)計(jì)與應(yīng)用支持：助力客戶快速量產(chǎn)

針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，森國(guó)科技術(shù)團(tuán)隊(duì)可提供定制化的解決方案，幫助客戶優(yōu)化系統(tǒng)性能，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方面，由于三款產(chǎn)品的閾值電壓(VGS(th))在2.7-3.2V范圍內(nèi)，建議驅(qū)動(dòng)電壓在15-18V之間，以確保充分導(dǎo)通的同時(shí)避免過驅(qū)動(dòng)。

散熱設(shè)計(jì)建議

雖然Cu-Clip封裝具有良好的散熱性能，但在大功率應(yīng)用中仍需注意PCB的熱設(shè)計(jì)。建議使用2盎司及以上銅厚的PCB，并合理設(shè)計(jì)散熱過孔和散熱焊盤。

森國(guó)科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品，與先前發(fā)布的同封裝SiC二極管共同構(gòu)成了完整的功率半導(dǎo)體解決方案。這一產(chǎn)品組合體現(xiàn)了森國(guó)科在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和對(duì)市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握。

隨著新能源、電動(dòng)汽車等行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不斷提高。森國(guó)科通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化，為行業(yè)客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

未來，森國(guó)科將繼續(xù)擴(kuò)展Cu-Clip封裝的碳化硅功率器件產(chǎn)品線，包括2200V及更高電壓等級(jí)的器件，為全球綠色能源轉(zhuǎn)型提供核心半導(dǎo)體支撐。

以下是三款產(chǎn)品的規(guī)格：

關(guān)于森國(guó)科

深圳市森國(guó)科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動(dòng)芯片、無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運(yùn)營(yíng)中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤(rùn)上華等機(jī)構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級(jí)晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進(jìn)入國(guó)內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲(chǔ)逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國(guó)科功率IC采用先進(jìn)的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動(dòng)、BLDC及FOC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團(tuán)隊(duì)在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)?；旌?、電機(jī)驅(qū)動(dòng)算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動(dòng)芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方面，成功推出了單相BLDC散熱風(fēng)扇電機(jī)系列和三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系列。

森國(guó)科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價(jià)比的綠色“芯”動(dòng)力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司!