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中微公司重磅發(fā)布六大半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品 覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵

中微公司 ? 來(lái)源:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海) ? 2025-09-04 14:23 ? 次閱讀
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中國(guó)無(wú)錫,2025年9月4日 —— 在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC 2025)上,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱 “中微公司”,股票代碼:688012.SH)宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵工藝,不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實(shí)力,更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,為加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。

開(kāi)幕式上,中微公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯博士在主旨報(bào)告環(huán)節(jié)正式宣布了六款新設(shè)備的發(fā)布,并深入闡述了新產(chǎn)品的先進(jìn)性能與獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。他強(qiáng)調(diào),中微公司始終以市場(chǎng)與客戶需求為導(dǎo)向,持續(xù)加大研發(fā)力度。公司2025年上半年研發(fā)投入達(dá)14.92億元,同比增長(zhǎng)約53.70%,研發(fā)投入占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為30.07%,遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均研發(fā)投入水平。目前,公司在研項(xiàng)目涵蓋六大類、超二十款新設(shè)備,研發(fā)速度實(shí)現(xiàn)跨越式提升 —— 過(guò)去一款新設(shè)備的開(kāi)發(fā)周期通常為3到5年,如今僅需2年甚至更短時(shí)間就能推出極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品并順利落地。

尹志堯博士在開(kāi)幕式上做主旨報(bào)告

刻蝕技術(shù)再攀高峰

兩款新品又增核心競(jìng)爭(zhēng)力

在刻蝕技術(shù)方面,中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┝祟I(lǐng)先和高效的解決方案。

中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP 電容性高能等離子體刻蝕機(jī)Primo UD-RIE基于成熟的 Primo HD-RIE設(shè)計(jì)架構(gòu)并全面升級(jí),配備六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔,通過(guò)更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源,提供更高離子轟擊能量,可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求,兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

Primo UD-RIE引入了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),自主研發(fā)的動(dòng)態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過(guò)調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性,大大提高了晶圓邊緣的合格率。其上電極多區(qū)溫控系統(tǒng),優(yōu)化了高射頻功率下的散熱管理,有效提升了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí),Primo UD-RIE還采用了全新的溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤(pán)和主動(dòng)控溫邊緣組件,不僅提高了抗電弧放電能力,還顯著提升了晶圓邊緣的良率,為生產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片提供了有力保障。

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中微公司Primo UD-RIE

同步亮相的Primo Menova12 寸ICP 單腔刻蝕設(shè)備,專注于金屬刻蝕領(lǐng)域,尤其擅長(zhǎng)金屬 Al 線、Al 塊刻蝕,廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造,是晶圓廠金屬化工藝的核心設(shè)備。這款設(shè)備延續(xù)了中微公司量產(chǎn)機(jī)型Primo Nanova的優(yōu)秀基因,在刻蝕均一性控制方面表現(xiàn)卓越,可實(shí)現(xiàn)高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等優(yōu)異性能。同時(shí),其高效腔體清潔工藝能有效減少腔室污染、延長(zhǎng)持續(xù)運(yùn)行時(shí)間;集成的高溫水蒸氣除膠腔室(VoDM strip chamber)可高效清除金屬刻蝕后晶圓表面殘留的光刻膠及副產(chǎn)物。此外,主刻蝕腔體與除膠腔體可根據(jù)客戶工藝需求靈活組合,最大限度滿足高生產(chǎn)效率要求,確保高負(fù)荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。今年6月,該設(shè)備的全球首臺(tái)機(jī)已付運(yùn)到客戶認(rèn)證,進(jìn)展順利,并和更多的客戶展開(kāi)合作。

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中微公司Primo Menova

薄膜沉積布局升級(jí)

Preforma Uniflash 系列填補(bǔ)空白

在此次新品發(fā)布中,中微公司推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品 Preforma Uniflash 金屬柵系列,成為薄膜沉積領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)。該系列涵蓋Preforma Uniflash TiN、Preforma Uniflash TiAI及Preforma Uniflash TaN三大產(chǎn)品,能夠滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。

Preforma Uniflash 金屬柵系列產(chǎn)品采用中微公司獨(dú)創(chuàng)的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì),系統(tǒng)可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔,滿足高真空系統(tǒng)工藝集成需求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。該系列產(chǎn)品搭載中微公司獨(dú)有的多級(jí)勻氣混氣系統(tǒng),融合基于模型算法的加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì),以及可實(shí)現(xiàn)高效原子層沉積反應(yīng)的反應(yīng)腔流導(dǎo)設(shè)計(jì)等核心技術(shù),不僅能滿足先進(jìn)邏輯客戶的性能需求,其設(shè)備在薄膜均一性、污染物控制能力及生產(chǎn)效率方面均達(dá)到世界先進(jìn)水平。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級(jí),原子層沉積技術(shù)的應(yīng)用需求持續(xù)攀升。其中,金屬柵應(yīng)用作為先進(jìn)邏輯器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)設(shè)備的薄膜厚度和特性的精準(zhǔn)控制、臺(tái)階覆蓋率、顆粒物污染控制及系統(tǒng)整合能力均提出了極高要求。Preforma Uniflash 系列的推出,不僅進(jìn)一步豐富了中微公司的薄膜設(shè)備產(chǎn)品線,更以其在高精度、高性能原子層沉積領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體工藝應(yīng)用上的全新突破,為中微公司長(zhǎng)期發(fā)展開(kāi)辟了更為廣闊的空間。

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中微公司Preforma Uniflash 金屬柵系列

堅(jiān)持突破創(chuàng)新

構(gòu)建多元產(chǎn)品矩陣

中微公司在新興技術(shù)領(lǐng)域的布局同樣令人矚目,其發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設(shè)備 PRIMIO Epita RP,憑借獨(dú)特設(shè)計(jì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。作為目前市場(chǎng)上獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備,其反應(yīng)腔體積為全球最小,且可靈活配置多至6個(gè)反應(yīng)腔,在顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設(shè)備搭載擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的雙腔設(shè)計(jì)、多層獨(dú)立控制氣體分區(qū),以及具備多個(gè)徑向調(diào)節(jié)能力的溫場(chǎng)和溫控設(shè)計(jì),確保了優(yōu)秀的流場(chǎng)與溫場(chǎng)均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應(yīng)性和兼容性,該設(shè)備可滿足從成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、存儲(chǔ)和功率器件等多領(lǐng)域外延工藝需求。去年8月,該設(shè)備已付運(yùn)到客戶進(jìn)行成熟制程和先進(jìn)制程驗(yàn)證,進(jìn)展順利,并將和更多的客戶展開(kāi)合作。

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中微公司PRIMIO Epita RP

作為國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備制造的領(lǐng)軍者,中微公司的技術(shù)實(shí)力已得到全球市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。其等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國(guó)際一線客戶從65納米到14納米、7納米、5納米及其他先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線,以及先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。其中,CCP 電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和 ICP 電感性低能等離子體刻蝕機(jī)可覆蓋國(guó)內(nèi)95% 以上的刻蝕應(yīng)用需求,在性能、穩(wěn)定性等方面滿足客戶先進(jìn)制程的嚴(yán)苛要求。截至2025年6月底,公司累計(jì)已有超6800臺(tái)等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設(shè)備的反應(yīng)臺(tái),在國(guó)內(nèi)外155條生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售,深度融入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

中微公司始終堅(jiān)持突破創(chuàng)新,強(qiáng)調(diào) “技術(shù)的創(chuàng)新、產(chǎn)品的差異化和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)”,公司目前在研項(xiàng)目涵蓋六類設(shè)備、超二十款新設(shè)備的開(kāi)發(fā),包括新一代的CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、新一代的ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備,晶圓邊緣刻蝕設(shè)備,低壓熱化學(xué)沉積LPCVD及原子水平沉積ALD等薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備,新一代等離子體源的PECVD設(shè)備和電子束量檢測(cè)等設(shè)備。在泛半導(dǎo)體微觀制造領(lǐng)域,中微公司也在不斷拓展產(chǎn)品布局,包括制造氮化鎵基發(fā)光二極管,Mini-LED和Micro-LED的MOCVD設(shè)備,用于紅黃光LED的MOCVD設(shè)備,制造碳化硅和氮化鎵功率器件的MOCVD設(shè)備,制造MEMS的深硅刻蝕設(shè)備,先進(jìn)封裝Chiplet所需的TSV刻蝕設(shè)備和PVD設(shè)備,新型顯示技術(shù)領(lǐng)域所需的核心薄膜及等離子體刻蝕設(shè)備等。

未來(lái),中微公司將瞄準(zhǔn)“打造世界級(jí)裝備企業(yè)”戰(zhàn)略目標(biāo),持續(xù)開(kāi)發(fā)高端設(shè)備產(chǎn)品,不斷提升產(chǎn)品的性能和質(zhì)量、提高運(yùn)營(yíng)效率和風(fēng)險(xiǎn)管控能力,認(rèn)真貫徹“五個(gè)十大”的企業(yè)文化,即“產(chǎn)品開(kāi)發(fā)十大原則”、“戰(zhàn)略銷售十大準(zhǔn)則”、“營(yíng)運(yùn)管理十大章法”、“精神文化十大作風(fēng)”和“領(lǐng)導(dǎo)能力十大要點(diǎn)”,堅(jiān)持三維立體發(fā)展戰(zhàn)略,堅(jiān)持有機(jī)生長(zhǎng)和外延擴(kuò)展的策略,實(shí)現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展,力爭(zhēng)盡早成為高端設(shè)備平臺(tái)化公司,在規(guī)模上和競(jìng)爭(zhēng)力上成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體設(shè)備公司!

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡(jiǎn)稱:中微公司,證券代碼:688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開(kāi)發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類、包括二十幾種細(xì)分刻蝕設(shè)備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)和國(guó)際一線客戶,從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。中微公司最近十年著重開(kāi)發(fā)多種導(dǎo)體和半導(dǎo)體化學(xué)薄膜設(shè)備,如MOCVD,LPCVD,ALD和EPI設(shè)備,并取得了可喜的進(jìn)步。中微公司開(kāi)發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn),并在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。此外,中微公司已全面布局光學(xué)和電子束量檢測(cè)設(shè)備,并開(kāi)發(fā)多種泛半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備。這些設(shè)備都是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備,可加工和檢測(cè)微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國(guó)TechInsights(原VLSI Research)近五年的全球半導(dǎo)體設(shè)備客戶滿意度調(diào)查中,中微公司四次獲得總評(píng)分第三,薄膜設(shè)備四次被評(píng)為第一。

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原文標(biāo)題:中微公司重磅發(fā)布六大半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品

文章出處:【微信號(hào):gh_490dbf93f187,微信公眾號(hào):中微公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>和薄膜<b class='flag-5'>沉積</b>有什么不同

    高端芯片制造裝備的“中國(guó)方案”:等離子體相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    等離子體“尺度網(wǎng)絡(luò)”模型。該研究利用國(guó)產(chǎn)逐光IsCMOS相機(jī)(TRC411-H20-U)的超高時(shí)空分辨率,成功捕捉納米秒級(jí)等離子體動(dòng)態(tài),為半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備(
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:58 ?914次閱讀
    高端芯片制造裝備的“中國(guó)方案”:<b class='flag-5'>等離子體</b>相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

    遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:34 ?1672次閱讀
    遠(yuǎn)程<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>技術(shù)介紹

    公司首臺(tái)金屬刻蝕設(shè)備付運(yùn)

    集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)及制造服務(wù)商。此項(xiàng)里程碑既標(biāo)志著公司等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新,也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實(shí)力
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:05 ?1250次閱讀

    安泰高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置研究的應(yīng)用

    等離子體發(fā)生裝置通過(guò)外部能量輸入使氣體電離生成等離子體,在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件,直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:59 ?730次閱讀
    安泰高壓放大器在<b class='flag-5'>等離子體</b>發(fā)生裝置研究<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造的一種關(guān)鍵干法
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?5784次閱讀
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