傾佳電子行業(yè)洞察工業(yè)機器人伺服電控技術(shù)深度解析:SiC功率模塊的變革與未來
傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!
傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:
傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!
傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!
傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!
第一章:緒論:工業(yè)機器人伺服電控的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)演進背景
1.1 工業(yè)機器人性能的根本要求與伺服電控的決定性作用
工業(yè)機器人作為現(xiàn)代智能制造的核心執(zhí)行機構(gòu),其性能表現(xiàn)直接決定了生產(chǎn)線的效率、質(zhì)量和柔性。在機器人復雜的運動控制中,伺服電控系統(tǒng)扮演著至關(guān)重要的角色,它如同機器人的“神經(jīng)-肌肉系統(tǒng)”,負責將控制器的指令精確地轉(zhuǎn)化為電機的實際運動。因此,工業(yè)機器人對伺服電控系統(tǒng)提出了極為嚴苛的技術(shù)要求,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:
首先是高精度與高可重復性?,F(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn),特別是精密制造領(lǐng)域,對機器人的定位精度提出了納微米級的要求。為此,伺服電控系統(tǒng)必須能夠支持高分辨率的編碼器,例如23位或24位單圈/多圈絕對值編碼器,以確保對電機轉(zhuǎn)角的精確反饋 。只有具備極高的位置分辨率,才能實現(xiàn)諸如1.2納米的理論定位精度和0.02毫米的重復定位精度,從而滿足諸如航空航天零部件修配、電子產(chǎn)品精密裝配等高附加值任務的需求 。
其次是高動態(tài)響應。工業(yè)機器人需要頻繁進行加速、減速和啟停操作,以應對復雜多變的生產(chǎn)節(jié)拍。伺服電控系統(tǒng)必須具備極快的動態(tài)響應能力,以確保電機能夠瞬時、精準地跟隨控制指令。這通常需要其內(nèi)部的電流環(huán)帶寬達到3KHz以上,甚至更高,而速度環(huán)帶寬也需超過1KHz 。此外,機器人作業(yè)中常伴隨著重載作業(yè)或急停工況,對伺服系統(tǒng)的

強大過載能力也提出了挑戰(zhàn)。例如,需要能在160秒內(nèi)承受120%的額定電流,或在3秒內(nèi)承受高達300%的額定電流,以確保在短時高負荷下的穩(wěn)定運行 。
最后,隨著協(xié)作機器人和移動機器人等新型機器人的興起,伺服電控系統(tǒng)還面臨著小型化與輕量化的挑戰(zhàn) 。對于這些需要與人共享工作空間或在狹小空間內(nèi)移動的機器人而言,伺服電機和驅(qū)動器必須盡可能地減少體積和重量,以提升其有效負載、部署靈活性和安全性。

在工業(yè)機器人產(chǎn)業(yè)鏈中,伺服系統(tǒng)與減速器、控制器并稱為三大核心零部件,其成本在整機中占比高達20%,是影響機器人性能、成本和技術(shù)壁壘的關(guān)鍵環(huán)節(jié) 。
1.2 傳統(tǒng)IGBT方案的性能瓶頸分析
長期以來,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)一直是伺服驅(qū)動器功率模塊的主流選擇。IGBT因其高耐壓、大電流和相對較低的導通損耗而受到青睞。然而,作為一種雙極性器件,IGBT在關(guān)斷過程中存在一個固有的物理特性——拖尾電流(Tail Current)。這種現(xiàn)象是由于器件內(nèi)部少數(shù)載流子(少子)在關(guān)斷時需要較長時間才能完全復合,導致在關(guān)斷的最后階段仍有電流流過,從而產(chǎn)生額外的能量損耗 。

這一拖尾電流的存在直接導致IGBT的開關(guān)損耗較高,使其難以在較高的開關(guān)頻率下高效工作。在中小功率伺服系統(tǒng)中,為了控制損耗和散熱,通常將開關(guān)頻率限制在10kHz左右 。這種對開關(guān)頻率的限制,反過來又制約了電流環(huán)帶寬的擴展,使得伺服驅(qū)動器無法提供最理想的動態(tài)響應,從而成為工業(yè)機器人進一步提升控制精度和運行速度的瓶頸 。為了克服這一瓶頸,業(yè)界一直在尋求一種能夠同時兼具高耐壓、低損耗和高速開關(guān)能力的功率器件,而碳化硅(SiC)功率模塊的出現(xiàn),為這一技術(shù)演進提供了新的路徑。
第二章:碳化硅(SiC)功率模塊的核心技術(shù)優(yōu)勢深度剖析
2.1 SiC與IGBT:核心物理特性的根本差異


SiC(碳化硅)功率模塊的崛起并非偶然,其優(yōu)異性能源于碳化硅材料本身卓越的物理特性。與傳統(tǒng)的硅(Si)基IGBT相比,SiC是一種寬帶隙(Wide Bandgap, WBG)半導體材料,其禁帶寬度是硅的三倍。這一根本差異賦予了SiC更高的臨界電場強度、更高的熱導率和更高的飽和電子漂移速率 。這些特性直接轉(zhuǎn)化為功率器件層面的三大核心優(yōu)勢:

低導通損耗、超低開關(guān)損耗和優(yōu)異的熱性能。
在導通特性方面,SiC MOSFET與IGBT的輸出曲線存在顯著差異。SiC MOSFET的導通特性更接近一個電阻,其導通電阻$R_{DS(on)}$隨電流線性變化 。相比之下,IGBT則表現(xiàn)出明顯的“膝點電壓”(Knee Voltage)特性,即在導通后存在一個固定的壓降 。這種技術(shù)上的差異,導致兩種器件在不同電流條件下的導通損耗存在“盈虧平衡點” 。在電流較小時,SiC MOSFET的導通損耗更??;而在電流較大(超過曲線交點)時,IGBT的導通損耗可能更具優(yōu)勢 。然而,對于工業(yè)機器人而言,其典型的運行工況并非長時間的高功率運行,而是頻繁的啟停、加減速和低負載運行。在這種情況下,SiC在低電流下的低導通損耗和無拖尾電流的開關(guān)損耗優(yōu)勢將得到最大化發(fā)揮,使得它在綜合效率上遠超IGBT。
2.2 SiC MOSFET的關(guān)鍵性能優(yōu)勢量化分析
超低開關(guān)損耗是SiC相較于IGBT最突出的優(yōu)勢。由于SiC MOSFET是一種單極性器件,其關(guān)斷過程不依賴于少數(shù)載流子的復合,因此從根本上杜絕了IGBT的拖尾電流現(xiàn)象 。這使得SiC的開關(guān)速度極快,開關(guān)損耗也顯著降低。根據(jù)實際測試數(shù)據(jù),采用SiC MOSFET替換IGBT后,總損耗可降低5.9W,降幅高達41% 。在相同功率等級下,SiC模塊在19kHz工作頻率下的功率損耗比IGBT模塊降低了50% 。這種低損耗特性直接使得SiC能夠工作在遠高于IGBT的頻率。例如,SiC模塊可以在48kHz頻率下工作,而其損耗仍然低于IGBT模塊在19kHz下的損耗 。




卓越的熱性能是SiC的另一大優(yōu)勢。SiC材料的熱導率是硅的三倍,這意味著它能更有效地傳導和耗散熱量 。SiC功率器件能夠承受高達175°C甚至更高的結(jié)溫 。這不僅提升了器件本身的可靠性和耐受性,更重要的是,它對整個伺服系統(tǒng)的散熱設計產(chǎn)生了革命性的影響。SiC的低損耗和耐高溫特性允許設計人員簡化散熱措施,例如將復雜的強制風冷或水冷系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)楦唵?、更可靠的自然風冷,從而減小了散熱器的尺寸和重量 。這直接降低了系統(tǒng)的物料清單(BOM)成本,同時由于減少了風扇等機械部件,也提升了系統(tǒng)的整體可靠性。
為更直觀地對比兩種技術(shù),下表總結(jié)了SiC MOSFET與IGBT的核心性能差異:
| 性能指標 | SiC MOSFET | IGBT |
|---|---|---|
| 導通特性 | 類電阻性,低電流下?lián)p耗小 | 存在“膝點電壓”,大電流下可能更優(yōu) |
| 開關(guān)損耗 | 極低 | 較高,存在拖尾電流 |
| 工作頻率 | 極高(可達數(shù)十kHz甚至更高) | 較低(通常低于20kHz) |
| 工作溫度 | 高(可達175°C以上) | 較低(通常低于150°C) |
| 散熱要求 | 可簡化,甚至采用自然風冷 | 復雜,通常需強制風冷或水冷 |
| 功率密度 | 極高 | 較低 |
| 系統(tǒng)能效 | 顯著提升 | 較低 |
第三章:SiC賦能:工業(yè)機器人伺服電控的技術(shù)升級路徑
3.1 突破動態(tài)響應瓶頸,實現(xiàn)更快速、精準的控制
工業(yè)機器人伺服電控系統(tǒng)性能的核心在于其控制環(huán)路的帶寬。在伺服系統(tǒng)中,電流環(huán)是速度環(huán)和位置環(huán)的基礎(chǔ),其帶寬直接決定了系統(tǒng)的動態(tài)響應能力。傳統(tǒng)IGBT因高開關(guān)損耗而無法提升工作頻率,從而限制了電流環(huán)的帶寬 。

SiC功率模塊通過其超低開關(guān)損耗和高頻工作能力,從根本上突破了這一瓶頸 。由于SiC模塊可以在遠高于IGBT的頻率下進行開關(guān)操作,伺服電控系統(tǒng)的PWM(脈沖寬度調(diào)制)開關(guān)頻率得以顯著提升。這一提升直接擴展了電流環(huán)的帶寬,縮短了控制環(huán)路的延遲,使得伺服系統(tǒng)對電流、速度和位置指令的響應更加迅速和精準 。例如,一個能夠支持更高電流環(huán)帶寬的伺服驅(qū)動器,可以更快速地響應機器人關(guān)節(jié)負載的變化,在保證平穩(wěn)運行的同時,顯著提升路徑定位精度和重復定位精度 。這種技術(shù)升級的深層影響在于,它不僅僅是性能指標上的簡單提升,更是直接解鎖了機器人在高速高精度應用場景的潛力,例如高速分揀、精密機械加工和快速裝配,從而在保證質(zhì)量的前提下,極大地提升了生產(chǎn)效率。
3.2 提升功率密度,驅(qū)動伺服系統(tǒng)小型化與集成化
SiC功率模塊的另一個關(guān)鍵價值在于其實現(xiàn)高功率密度的能力。高頻開關(guān)特性使得伺服驅(qū)動器能夠使用更小、更輕的無源濾波器元件(如電抗器和電容) 。同時,SiC的低損耗和耐高溫特性簡化了散熱設計,進一步減小了散熱器尺寸,從而在系統(tǒng)層面實現(xiàn)了顯著的體積和重量縮減 。

多個實際案例證明了SiC在提升功率密度方面的優(yōu)勢。與同等額定功率的IGBT設計相比,基于SiC的轉(zhuǎn)換器模塊功率密度可高出數(shù)倍,例如從19.8 kW/L提升至72.5 kW/L 。另一個案例顯示,一個集成了SiC模塊的伺服驅(qū)動器,其功率密度可達到5.7 kW/L,并能夠在高達100kHz的開關(guān)頻率下輸出30A的有效值電流 。這種高功率密度的實現(xiàn),直接驅(qū)動了伺服系統(tǒng)設計的革命性變革,例如 嵌入式伺服驅(qū)動器的出現(xiàn) 。

嵌入式驅(qū)動器將伺服驅(qū)動器直接集成到電機內(nèi)部,消除了外部驅(qū)動柜和冗長的連接線,極大地簡化了機器人的布線和結(jié)構(gòu),降低了整體重量和體積。這種設計對于與人近距離協(xié)作的協(xié)作機器人和對空間、重量敏感的移動機器人至關(guān)重要 。嵌入式驅(qū)動器的普及,意味著未來的機器人本體制造商可能會更多地采購高度集成的“電機-驅(qū)動器”一體化模組,而非單獨的電機和驅(qū)動器,這將簡化裝配、縮短調(diào)試周期,并降低系統(tǒng)集成商的整體成本。
3.3 顯著的能效提升與節(jié)能減排效應
SiC技術(shù)的應用還帶來了顯著的能效提升。如前所述,通過用SiC模塊替換IGBT,伺服系統(tǒng)的總能量損耗可以降低41% 。在特定的應用中,這種效率提升甚至可以使電耗減少6% 。這種能效提升的價值不僅在于節(jié)約電費,其更深層次的影響在于 能源管理和系統(tǒng)熱設計。
在工業(yè)制造中,每一份能量損耗都以熱量的形式散發(fā)。通過采用SiC技術(shù),驅(qū)動器自身產(chǎn)生的熱量顯著減少,這降低了對復雜冷卻系統(tǒng)的依賴 。系統(tǒng)能夠從強制風冷轉(zhuǎn)為更高效、更可靠的自然風冷,這進一步降低了能耗和維護成本。這種能效提升的“乘數(shù)效應”意味著,SiC的優(yōu)勢通過降低系統(tǒng)復雜性、提高可靠性、減少冷卻需求,將其總體價值放大,從而為工業(yè)生產(chǎn)帶來全面的成本和性能優(yōu)勢。
第四章:傾佳電子案例分析:以雙六單元SiC碳化硅功率模塊BMS065MR12EP2CA2模塊為例
4.1 模塊技術(shù)參數(shù)深度解讀
傾佳電子代理的基本半導體(BASiC Semiconductor)的BMS065MR12EP2CA2是一款典型的SiC MOSFET功率模塊,其技術(shù)參數(shù)和設計理念充分體現(xiàn)了上述SiC技術(shù)優(yōu)勢在工業(yè)應用中的實踐 。該模塊的關(guān)鍵電氣特性包括:




耐壓:1200V的漏-源電壓(V_{DSS})和18V的柵-源電壓(+V_{GSS}) 。這使其適用于中高壓工業(yè)電機驅(qū)動應用。
低導通電阻:在T_{vj}=175^{circ}C時,典型導通電阻為65mΩ 。這一低電阻特性確保了在導通狀態(tài)下的低能量損耗。
低開關(guān)損耗:在T_{vj}=175^{circ}C時,導通開關(guān)能量(E_{on})為1.01mJ,關(guān)斷開關(guān)能量(E_{off})為0.31mJ 。這些數(shù)據(jù)表明了其在高速開關(guān)條件下的優(yōu)異性能。
高可靠性與高功率密度:該模塊專為高可靠性、高功率密度應用設計,支持高達175°C的過載運行溫度 。
除了電氣特性,該模塊的機械與熱特性也為工業(yè)應用提供了堅實保障 :
陶瓷襯底:采用氮化硅($Si_{3}N_{4}$)陶瓷襯底,提供了出色的功率循環(huán)能力 。
銅基板:帶有銅基板,用于優(yōu)化熱量擴散,確保高效散熱 。
集成溫度傳感器:集成了NTC溫度傳感器,為系統(tǒng)提供了實時的溫度監(jiān)控能力,進一步保障了運行的可靠性 。
下表總結(jié)了該模塊的部分關(guān)鍵電氣參數(shù):
| 參數(shù)符號 | 參數(shù)名稱 | 典型值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| $V_{DSS}$ | 漏-源電壓 | 1200 | V | - |
| $R_{DS(on).typ}$ | 導通電阻 | 65 | mΩ | $@V_{GS}=18V, T_{C}=175^{circ}C$ |
| $E_{on}$ | 導通開關(guān)能量 | 1.01 | mJ | $@T_{vj}=175^{circ}C$ |
| $E_{off}$ | 關(guān)斷開關(guān)能量 | 0.31 | mJ | $@T_{vj}=175^{circ}C$ |
| $t_{rr}$ | 反向恢復時間 | 65 | ns | $@T_{vj}=175^{circ}C$ |
| $R_{th(j-c)}$ | 熱阻(結(jié)到殼) | 0.80 | K/W | - |
| $L_{sigma}$ | 模塊雜散電感 | 30 | nH | - |
| $T_{vj.op}$ | 運行結(jié)溫 | 175 | °C | - |
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4.2 模塊在工業(yè)機器人伺服電控中的應用適配性分析

根據(jù)該模塊的產(chǎn)品摘要,其推薦應用明確包括工業(yè)電機驅(qū)動和控制。其1200V的耐壓和25A的持續(xù)電流能力,使其非常適合用于中高功率工業(yè)機器人的關(guān)節(jié)驅(qū)動 。此外,該模塊的關(guān)鍵性能指標,例如極低的開關(guān)能量( $E_{on}$和$E_{off}$)和納秒級的反向恢復時間($t_{rr}$),表明其能夠支持高頻開關(guān),從而滿足工業(yè)機器人對高動態(tài)響應和高控制帶寬的嚴格要求。集成的NTC溫度傳感器和優(yōu)化的散熱設計,進一步增強了模塊在嚴苛工業(yè)環(huán)境下的可靠性,確保其能夠在高負荷、長時間運行的工況下穩(wěn)定工作。
第五章:產(chǎn)業(yè)展望與未來趨勢
5.1 全球SiC功率器件市場前景與挑戰(zhàn)
全球?qū)?jié)能、高效電力電子器件的需求日益增長,電動汽車、可再生能源、儲能和工業(yè)自動化等領(lǐng)域是主要驅(qū)動力 。這些趨勢共同推動了SiC功率器件市場的快速擴張。根據(jù)市場預測,全球SiC功率器件市場規(guī)模有望從2023年的30.4億美元快速增長至2028年的91.7億美元,復合年增長率(CAGR)高達25% 。
盡管市場前景廣闊,SiC技術(shù)仍面臨一些挑戰(zhàn),主要包括高昂的材料成本和復雜的制造工藝。與基于硅基板的GaN器件不同,SiC材料的原材料成本更高,且需要專用制造工藝和設備 。此外,高質(zhì)量SiC襯底的供應有限,以及與器件封裝和可靠性相關(guān)的技術(shù)挑戰(zhàn),也阻礙了其在成本敏感型應用中的廣泛滲透 。因此,盡管SiC的技術(shù)優(yōu)勢顯著,其全面普及將是一個逐步克服成本和產(chǎn)能瓶頸的過程。
5.2 SiC技術(shù)在機器人領(lǐng)域的未來走向
隨著SiC技術(shù)日趨成熟和成本逐漸下降,其在工業(yè)機器人伺服電控領(lǐng)域的應用將呈現(xiàn)出以下幾個發(fā)展趨勢:
技術(shù)融合與集成化:未來的SiC功率器件將不再是獨立的元件,而是會與傳感器、控制器等智能元件高度集成,形成更高效、更智能的能源管理和控制系統(tǒng) 。這種集成化趨勢意味著競爭將從單一器件的性能比拼轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級解決方案的創(chuàng)新。
應用場景的拓展:SiC的應用將從最初的高端、大功率機器人關(guān)節(jié)驅(qū)動,逐步向更廣泛的中小功率工業(yè)機器人、協(xié)作機器人乃至移動機器人滲透 。這得益于其小型化和高能效的優(yōu)勢,能夠更好地滿足這些新興應用對輕量化、緊湊型和高續(xù)航的需求。
國產(chǎn)替代的機遇:在半導體和工業(yè)機器人兩大產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化加速的背景下,SiC為國內(nèi)廠商提供了“彎道超車”的戰(zhàn)略機遇 。盡管國內(nèi)在伺服控制器的軟件算法和底層芯片方面仍與國際領(lǐng)先水平存在差距 ,但SiC技術(shù)的引入,使得國內(nèi)廠商可以從全新的技術(shù)平臺起步,通過在SiC材料、制造工藝以及伺服控制算法等多個維度進行技術(shù)突破,有望重塑國內(nèi)工業(yè)機器人伺服系統(tǒng)的供應鏈格局。
第六章:傾佳電子結(jié)論與戰(zhàn)略建議
6.1 傾佳電子結(jié)論
傾佳電子通過對工業(yè)機器人伺服電控技術(shù)要求的深度剖析,以及對SiC與IGBT兩種功率模塊的詳盡對比分析,得出核心結(jié)論:SiC功率模塊憑借其超低開關(guān)損耗、高頻工作能力和卓越熱性能,正在從根本上革新工業(yè)機器人伺服電控系統(tǒng)的技術(shù)范式。它通過提升電流環(huán)帶寬、實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和顯著提高能效,使伺服系統(tǒng)實現(xiàn)了**“更快速、更小、更高效”**的根本性升級,從而為工業(yè)機器人向更高精度、更高動態(tài)性能和更高集成度方向發(fā)展提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。
SiC技術(shù)的應用不僅僅是簡單的器件替換,它帶來的是系統(tǒng)級的設計簡化和性能提升,為工業(yè)機器人和自動化設備制造商提供了全新的產(chǎn)品差異化路徑,并為協(xié)作機器人、移動機器人等新興應用場景創(chuàng)造了更多可能。


6.2 傾佳電子戰(zhàn)略建議
深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:
傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務聚焦三大方向:
新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設施;
交通電動化:服務新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機)及高壓平臺升級;
數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應國家“雙碳”政策(碳達峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊,配套驅(qū)動板及驅(qū)動IC,請搜索傾佳電子楊茜
基于上述分析,對相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈參與者提出以下戰(zhàn)略建議:
對于機器人本體制造商:建議將SiC技術(shù)納入核心產(chǎn)品研發(fā)路線圖。通過與國內(nèi)SiC模塊廠商(比如基本半導體)建立深度合作,共同開發(fā)適合特定機器人應用的定制化模塊,可以實現(xiàn)產(chǎn)品的性能領(lǐng)先和成本優(yōu)化,從而在市場競爭中占據(jù)優(yōu)勢。
對于伺服驅(qū)動器設計商:建議加大在SiC驅(qū)動算法和模塊集成技術(shù)上的研發(fā)投入。由于SiC的高速開關(guān)特性對驅(qū)動電路和系統(tǒng)雜散電感提出了更高要求 ,需要專門的柵極驅(qū)動器設計和低電感母線結(jié)構(gòu)。同時,應積極探索“電機-驅(qū)動器一體化”等新型產(chǎn)品形態(tài),以滿足機器人輕量化和集成化的發(fā)展趨勢。
對于投資者:建議關(guān)注SiC半導體產(chǎn)業(yè)鏈中具備核心襯底、外延片制造技術(shù)和產(chǎn)能優(yōu)勢的企業(yè) ,這些是SiC技術(shù)大規(guī)模商業(yè)化落地的基礎(chǔ)。同時,也應關(guān)注那些能夠?qū)iC技術(shù)與機器人應用深度結(jié)合,提供包含功率模塊、驅(qū)動、控制算法和散熱方案在內(nèi)的一站式解決方案的系統(tǒng)級集成商,它們將是未來市場競爭中的關(guān)鍵角色。
審核編輯 黃宇
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