在數(shù)字經(jīng)濟(jì)加速滲透的當(dāng)下，算力與光互聯(lián)的協(xié)同演進(jìn)成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力，而光模塊的性能突破，始終依賴于核心光源芯片的技術(shù)迭代。作為國內(nèi)高端半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺(tái)，成功推出全國產(chǎn)化新一代1310nm單模DFB（分布式反饋）激光芯片及其COS封裝產(chǎn)品，從芯片設(shè)計(jì)、外延生長、工藝制備到規(guī)?；慨a(chǎn)實(shí)現(xiàn)全流程自主可控，其核心優(yōu)勢包括：非制冷70mW高功率、高效率輸出、單縱模高穩(wěn)定性激光，為數(shù)據(jù)中心互連、光子計(jì)算等關(guān)鍵場景提供 “國產(chǎn)替代、性能領(lǐng)先” 的光源解決方案，助力中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈向上突破。

應(yīng)用背景

無處不在的光聯(lián)接

錨定光互聯(lián)核心需求

1310nm 波段作為光纖通信 O 波段的“黃金窗口”，兼具低傳輸損耗、近零色散特性，是中短距離高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖顑?yōu)選擇之一。隨著數(shù)據(jù)中心向400G/800G甚至1.6T速率演進(jìn)，光模塊對(duì)光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄線寬、高穩(wěn)定”的嚴(yán)苛要求——既要支撐高密度算力實(shí)時(shí)交互，又要適配數(shù)據(jù)中心低能耗部署需求。

度亙核芯1310nm DFB激光芯片精準(zhǔn)錨定這一需求，憑借其高穩(wěn)定、單縱模特性（邊模抑制比≥40dB），完美匹配硅光模塊對(duì)光源的高兼容性要求，成為高端光模塊的“核心心臟”，為光互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定高速運(yùn)轉(zhuǎn)注入“中國動(dòng)力”。

產(chǎn)品特點(diǎn)

四大指標(biāo)領(lǐng)跑行業(yè)

賦能高端光模塊

度亙核芯1310nm CW DFB 70mW產(chǎn)品是一款專為硅光光源、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用設(shè)計(jì)的高功率半導(dǎo)體激光芯片，可在25~75℃溫度范圍內(nèi)達(dá)到70mW的出光功率，采用掩埋異質(zhì)結(jié)（BH）結(jié)構(gòu)，具有低閾值、對(duì)稱遠(yuǎn)場發(fā)散角、高電光轉(zhuǎn)換效率、高耦合效率的優(yōu)勢。在功率、效率、穩(wěn)定性等維度實(shí)現(xiàn)全面突破：

1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲線

1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光譜曲線

1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光譜曲線

緊跟硅光/CPO趨勢

搶占下一代光通信技術(shù)高地

隨著硅光集成、CPO（共封裝光學(xué)）等新技術(shù)加速落地，光通信正朝著800G、1.6T乃至更高帶寬演進(jìn)，對(duì)激光芯片的“小型化、低功耗、高集成”提出更高要求?？此莆⑿〉?310nm DFB激光芯片與COS封裝技術(shù)，實(shí)則是現(xiàn)代光網(wǎng)絡(luò)不可或缺的基礎(chǔ)。在萬物互聯(lián)的時(shí)代，作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈的“上游核心”，度亙核芯將持續(xù)創(chuàng)新，深耕于光的細(xì)微之處，，讓“中國芯”支撐起全球數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的高速運(yùn)轉(zhuǎn)。