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?TPIC6C596 8位移位寄存器芯片技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-08 14:49 ? 次閱讀
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TPIC6C596器件是單片、中壓、 低電流、8位移位寄存器,設(shè)計用于需要相對中等負(fù)載的系統(tǒng) 電源,例如 LED。該器件在輸出端包含一個內(nèi)置電壓鉗位,用于電感 瞬態(tài)保護。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他低電流或 中壓負(fù)載。

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器,可為 8 位饋電 D型存儲寄存器。通過移位寄存器和存儲寄存器進行數(shù)據(jù)傳輸 移位寄存器時鐘 (SRCK) 和寄存器時鐘 (RCK) 的邊沿。存儲 寄存器在移位寄存器清除 (CLR) 時將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器 很高。當(dāng)CLR為低電平時,設(shè)備中的所有寄存器都將被清除。什么時候 輸出使能 (G) 保持為高電平,輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平 并且所有漏極輸出均關(guān)閉。當(dāng) G 保持低電平時,來自存儲的數(shù)據(jù) 寄存器對輸出緩沖區(qū)是透明的。當(dāng)輸出緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)為低電平時,DMOS 晶體管輸出關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時,DMOS晶體管輸出具有灌電流 能力。
*附件:tpic6c596.pdf

串行輸出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿從器件中時鐘輸出,以 為級聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時間。這將為以下人員提供改進的性能 時鐘信號可能偏斜、設(shè)備彼此不靠近或 系統(tǒng)必須能承受電磁干擾。

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管,輸出額定值為 33 V 和 100 mA 連續(xù)灌電流能力。每個輸出提供250 mA的最大電流限制 T C = 25°C。 電流限制隨著結(jié)溫的升高而降低 用于額外的設(shè)備保護。該器件還提供高達 2500 V 的 ESD 保護,適用于以下情況 使用人體模型和 200 V 機器模型進行測試。

TPIC6C596器件的特點是在工作外殼溫度下運行 范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

  • 低R DS(開) ,7 和 3937;(典型)
  • 雪崩能量,30 mJ
  • 8個功率DMOS晶體管輸出
    ,連續(xù)電流為100 mA
  • 250mA 限流能力
  • ESD 保護,2500 V
  • 輸出箝位電壓,33 V
  • 增強多級級聯(lián)
  • 所有寄存器均通過單輸入清除
  • 低功耗

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 核心功能特性?

  • 采用低RDS(on)設(shè)計(典型值7Ω),集成8路功率DMOS晶體管輸出
  • 每通道支持100mA連續(xù)電流,峰值電流限制250mA
  • 內(nèi)置33V輸出鉗位電壓保護,提供30mJ雪崩能量保護
  • 增強級聯(lián)功能支持多級擴展,串行輸出采用下降沿觸發(fā)提升時序裕度
  • 工作溫度范圍-40°C至125°C,符合車規(guī)級應(yīng)用要求

?2. 關(guān)鍵電氣參數(shù)?

  • 邏輯供電電壓:4.5V-5.5V
  • 輸出導(dǎo)通電阻:9Ω(典型值@50mA)
  • 時鐘頻率:最高10MHz(級聯(lián)模式)
  • ESD防護:2500V(人體模型)

?3. 典型應(yīng)用場景?

?4. 封裝選項?

  • SOIC-16(9.9×3.91mm)
  • PDIP-16(19.3×6.35mm)
  • TSSOP-16(5×4.4mm)

?5. 設(shè)計要點?

  • 建議PCB布局時加強散熱設(shè)計(RθJA典型值83.7°C/W)
  • 級聯(lián)應(yīng)用時需注意SEROUT到下級SERIN的布線
  • 電源需配置0.1μF去耦電容
  • CLR引腳應(yīng)在初始化時執(zhí)行清零操作

該文檔詳細(xì)規(guī)范了TPIC6C596作為功率邏輯移位寄存器的技術(shù)指標(biāo)、應(yīng)用方法和可靠性數(shù)據(jù),特別適用于需要精確控制多個中等功率負(fù)載的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。

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